קבוצה בראשות ביין קפיטל רכשה את חטיבת ייצור הזכרונות של טושיבה ב-18 מיליארד דולר

גרסת הדפסה
TOSHIBA LOGO
 

לאחר משא ומתן ממושך, שהתנהל מול מספר קבוצות, חתמה טושיבה (Toshiba) על ההסכם למכירת חטיבת ייצור הזיכרונות שלה לקבוצה שבהובלת חברת ההשקעות ביין קפיטל (Bain Capital) תמורת כ-17.7 מיליארד דולר, הרבה יותר מהסכום הראשוני של כ-12.5 מיליארד דולרים שרצתה לגייס החברה היפנית עמוסת הקשיים הכלכליים.

הקבוצה הרוכשת מורכבת מכמה חברות טכנולוגיה גדולות, וביניהן ניתן למצוא את אפל (Apple), את דל (Dell) ואת סיגייט (Seagate), וזאת לצד יצרניות הזיכרונות הינקס (Hynix) הדרום קוריאנית וקינגסטון (Kingston) האמריקנית. את התמונה משלימה חברת ההשקעות היפנית הויה (Hoya).

חטיבת הזיכרונות של טושיבה נחשבת לשנייה בגודלה בשוק ה-NAND, לאחר סמסונג (Samsung), ולאחר השלמת המכירה תוקם חברת ניהול חדשה בשם פאנגיאה (Pangea) אותה ינהלו מנהלים מצד ביין קפיטל ומצד חטיבת הזיכרונות עצמה, כשהמשקיעות האמריקניות לא יזכו למניות רגילות או מניות הצבעה.

בנוסף, במשך 10 השנים הקרובות הינקס, שהיא בעצם מתחרה של טושיבה בתחום ייצור הזיכרונות, תהיה מנועה מגישה לקניין הרוחני של החברה, והיא תוכל לכל היותר להחזיק ב-15% אחוז מזכויות ההצבעה בפאנגיאה או בחטיבה.

עם זאת שני מכשולים עיקריים עדיין עומדים בפני הפיכה העסקה לסופית, והראשון הוא כמובן האישורים הרגולטוריים הנדרשים ביפן ובארצות הברית. והבעיה העיקרית יכולה לצוץ מכיוונה של ווסטרן דיגיטל (Western Digital), יצרנית זיכרונות בפני עצמה – לאחר רכישת סאנדיסק (Sandisk) – שהייתה שותפתה של טושיבה בייצור הזיכרונות והייתה מעוניינת בעצמה לרכוש את החטיבה. כעת היא טוענת שההסכם למכירה לקבוצה אחרת מהווה הפרת חוזה מבחינתה של טושיבה.

עוד בתחום IPS וזכרונות

כתבות נוספות בתחום

‫ ‪וזכרונות IPs‬‬
סין חותרת לעצמאות בענף הזכרונות * חברה סינית הכריזה על זכרונות ללא IP אמריקני
יצרנית זיכרונות חדשה חשפה את זיכרונות ה-DRAM הראשונים שפותחו באופן מקומי בסין, מבלי להסתמך על טכנולוגיה של אחת מיצרניות הזיכרון האמריקניות
קרא עוד
‫ ‪וזכרונות IPs‬‬
סיוה: הסכם מכירת מעבדי נהיגה אוטונומית על רקע רבעון חלש והפסקת ייצור המודמים על ידי אינטל
סיוה מודיעה על הסכם עם יצרן רכב גדול לאספקת מעבדי בינה מלאכותית לנהיגה אוטונומית; צופה שיפור בתמלוגים מסמארטפונים בהמשך השנה
קרא עוד