תרכובת אורגנית שהתגלתה כיעילה בפיתוח רכיבי אלקטרוניקה מבוססי צורן תוכל לשמש גם עבור ייצור רכיבים ע"ג יריעות של פחמן בעובי של פרודה יחידה. חוקרים ממכון מקס פלנק למתכות בשטוטגארט, גרמניה, פרסמו את ממצאי מחקרם זה בכתב העת המדעי Physical Review B.

שכבות פחמן דקות במיוחד, הידועות בשם גרפן, מהוות בסיס לפיתוח התקנים אלקטרוניים רבים יעילים וזעירים במיוחד. אולם, בכדי ליצור רכיבים שימושיים, התכונות האלקטרוניות של חומרים כדוגמת צורן או גרפן חייבות להיות מותאמות כנדרש באמצעות תהליך אילוח (זיהום מכוון בחומר, doping). בצורה אופיינית, התקנים מבוססי-צורן מאולחים ע"י החלפת שיעור קטן מאטומי הצורן באטומים או בפרודות מאלחות שונות. בגרפן, לעומת זאת, הצורונים המאלחים מתמקמים על פני שטח היריעה הפחמנית במקום להחליף חלק מאטומי הפחמן.

חומרים כגון זהב, ביסמוט ודו-תחמוצת החנקן שימשו לאילוח גרפן ברמות משתנות של הצלחה. כעת, חוקרים ממכון מקס פלנק גילו כי התרכובת F4-TCNQ (tetrafluoro-tetracyanoquinodimethane), שהוכחה כיעילה עבור ייצור דיודות פולטות אור (LEDs) בצורן, כנראה מתאימה גם עבור גרפן. התרכובת מתארגנת לכדי שכבות יציבות בגרפן העמידות בפני רמות גבוהות של חום וקרינה, ומסוגלת לשלוט בתכונות האלקטרוניות של הגרפן – ממצא המרמז כי היא תוכל להוות חומר מאלח טוב.

ממצאי המחקר מפורסמים בכתב-העת המדעי APS Physics.

הפוסט תהליכים המשמשים באלקטרוניקה מבוססת צורן עשויים להיות ישימים באלקטרוניקה מבוססת גרפן הופיע לראשונה ב-Chiportal.