אנבידיה ו-TSMC ציינו בפיניקס, אריזונה (17 באוקטובר 2025) אבן דרך תעשייתית: פרוסת שבבים (wafer) ראשונה של ארכיטקטורת Blackwell שיוצרה על אדמת ארה״ב – אינדיקציה לכך שהפלטפורמה נכנסה לייצור בכמויות. מנכ״ל אנבידיה, ג’נסן הואנג, ביקר במפעל TSMC Arizona וחתם יחד עם Y.L. Wang, סגן נשיא התפעול ב-TSMC, על הפרוסה הטקסית.

באנבידיה הגדירו את המהלך כחיזוק שרשרת האספקה האמריקנית ו״השבת״ שכבות מפתח בערימת הטכנולוגיה של ה-AI לייצור מקומי – ממירוץ הנתונים ועד ההסקה (Inference). לדבריהם, ייצור מקומי של רכיבי מפתח ל-AI צפוי לתמוך בחדשנות ולצמצם תלות בייבוא.

ה-wafer יעבור את שלבי העיבוד המקובלים – שכבות, הדפס תבניות, צריבה וחיתוך – עד להפיכתו ל-GPU בעל ביצועים גבוהים במיוחד בארכיטקטורת Blackwell, המיועדת למודלים גנרטיביים גדולים, אימון והיסק בקנה־מידה.

החברות מצביעות על כך שייצור מבוסס-ארה״ב הוא קריטי לעמידה בביקוש. במקביל, אנבידיה מתכננת לפרוס בארה״ב טכנולוגיות AI, רובוטיקה ו-Digital Twin לתכנון והפעלה של אתרי ייצור חדשים – כחלק מייעול תהליכים והאצת time-to-market. בנוסף צוין כנס NVIDIA GTC Washington, D.C. (27–29 באוקטובר), שבו יוצגו כלים ופתרונות ליישומי AI בארגונים, מגזר ממשל וקהילת המחקר.

לפי TSMC, האתר באריזונה ייצר טכנולוגיות מתקדמות, כולל שניים, שלושה וארבעה ננומטר, וכן דור A16, לשימושים ב-AI, טלקום ומחשוב עתיר ביצועים (HPC). זהו חלק מהרחבת הכושר היצרני בארה״ב לאור הביקוש הגואה לשבבי AI.

הואנג אמר באירוע: “זה רגע היסטורי… זו הפעם הראשונה זה עשרות שנים שבה השבב החשוב ביותר מיוצר בארה״ב, ב-fab המתקדם ביותר של TSMC כאן בארה״ב.” הוא קישר את המהלך לחזון “החנא״ת מחדש” של תעשייה מתקדמת בארה״ב וליצירת תעסוקה.

מנכ״ל TSMC Arizona, ריי ג׳ואנג, הוסיף: “להגיע בתוך כמה שנים קצרות לפרוסת Blackwell הראשונה שיוצרה בארה״ב משקף את הטוב ביותר של TSMC… זה נבנה על שלושה עשורים של שותפות עם אנבידיה ועל מחויבות העובדים והשותפים המקומיים.”

הפוסט אנבידיה ו-TSMC: פרוסת Blackwell ראשונה שיוצרה בארה״ב מסמנת ייצור סדרתי הופיע לראשונה ב-Chiportal.

Cadence ו-TSMC מרחיבים את שיתוף הפעולה הקיים במטרה להסמיך תזרימי תכנון לשבבי AI ו-3D-IC בטכנולוגיות A16, N2P ו-N3C. במסגרת ההסכם מאושרים רכיבי IP מרכזיים, ובהם רכיב DDR5 12.8G של Cadence שעמד בדרישות TSMC9000 לטכנולוגיית N2P. בנוסף אושרו כלים לניתוח תרמי ולניהול אספקת חשמל (BS PDN) לשימוש בתהליכי N2P ו-A16, הכוללים פיתוחים מבוססי AI ומודלים לשפה גדולה (LLM) לתמיכה בדור הבא של טכנולוגיית A14.

בתחום הרכב, ההסמכה כוללת תזרימי תכנון ל-N5A ול-N3A עבור יישומי ADAS ונהיגה אוטונומית, עם רכיבי IP כגון LPDDR5X-9600, PCIe 5.0, CXL 2.0 ו-SerDes בקצב 112G.

בתחום האריזה התלת-ממדית (3DFabric), מאושרים כלים לעבודה עם HBM3E ו-UCIe בטכנולוגיות N5/N4P ו-N3P, ופתרון הסימולציה EMX Planar 3D Solver הנמצא כעת בהסמכה ל-N2P. כלים אלה תומכים בתכנון משולב שבב-חבילה, באופטימיזציה גלובלית ובניתוח איכות תוצאה (QoR) ובקרת איכות (QC) לאורך כל התהליך.

שיתוף הפעולה בין Cadence ל-TSMC נועד לצמצם את משך הפיתוח ולשפר ביצועים עבור מוצרים מבוססי סיליקון, תוך הרחבת התמיכה בטכנולוגיות ייצור מתקדמות ושילוב כלי AI בתזרימי התכנון.

צ'ין-צ'י טנג ((Chin-Chi Teng, סמנכ"ל בכיר ומנכ"ל קבוצת ה-Digital&Signoff בקיידנס: "שיתוף הפעולה שלנו עם TSMC מדגיש את המחויבות של קיידנס לחדשנות ולהאצת זמן ההגעה לסיליקון עבור לקוחותינו. באמצעות תזרימי תכנון מאושרים, רכיבי IP מוכחים בסיליקון ותמיכה בטכנולוגיות ייצור מתקדמות כמו N2P, N3 ו, N5 –  אנו מאפשרים למתכננים לפתח פתרונות חדשניים בחזית הטכנולוגיה, בתחומים כמו בינה מלאכותית לתשתיות ו-AI משובץ-חומרה, לרבות ביישומים לתעשיית הרכב. יחד עם TSMC אנו מרחיבים את גבולות ההקטנה הטכנולוגית ומאפשרים פיתוח של הדור-הבא בתכנון ואריזת שבבים".\

לואיס פאריס (Lluis Paris), מנהל בכיר לניהול אקוסיסטם ושיתופי פעולה ב-TSMC, צפון אמריקה: "שיתוף הפעולה העקבי שלנו עם קיידנס היווה אלמנט מכריע בהתמודדות עם חלק מהאתגרים המורכבים ביותר בתחום תכנון השבבים. השילוב בין טכנולוגיות הייצור המתקדמות של TSMC לפתרונות התכנון החדשניים של קיידנס מאפשר ללקוחותינו המשותפים להאיץ את זמן ההגעה לסיליקון תוך אופטימיזציה מרבית של הביצועים, תצרוכת חשמל ויעילות שטח. יחד, אנו ממשיכים להוביל פריצות דרך טכנולוגיות ולאפשר חדשנות."

;3D-IC, Cadence, TSMC, תכנון שבבים, AI, 3D-IC, N2P, A16, N3C, הסמכת תזרימי תכנון שבבים, הסמכת תכנון, תכנון מבוסס AI, אריזות תלת-ממד, שיתוף פעולה טכנולוגי

הפוסט Cadence ו-TSMC מאיצות פיתוח שבבי AI ופתרונות אריזה מתקדמים הופיע לראשונה ב-Chiportal.