אינטל חשפה הישגים טכניים המקיימים צינור עשיר של חידושים עבור מפת הדרכים העתידית של החברה, תוך הדגשת המשך והתפתחות חוק מור. בכנס IEEE להתקנים ומכשירים אלקטרוניים 2023‏ (IEDM), חוקרי אינטל הציגו התקדמות בטרנזיסטורי CMOS משוכבים תלת-ממדית בשילוב הספקת כוחבגב השבב ומגעים גביים ישירים.

הקטנת טרנזיסטורים והספקת כוח בצד האחורי הם מפתח לענות על הדרישה ההולכת וגדלה באופן מעריכי למחשוב חזק יותר. שנה אחר שנה, אינטל עונה על דרישת מחשוב זו, ומדגימה שהחידושים שלה ימשיכו להניע את תעשיית המוליכים למחצה ויהוו אבן פינה של חוק מור. אמר פול פישר מנהל תהליכי ייצור שבבים בקנה המדיה המזוסקופי במסיבת עיתונאים מקוונת שהתקיימה לרגל ההכרזה.

בכנס IEDM 2023 הציגה קבוצת המחקר של הרכיבים באינטל את מחויבותה לחדשנות בדרכים חדשות שמכניסות יותר טרנזיסטורים על סיליקון תוך השגת ביצועים גבוהים יותר.

החוקרים זיהו תחומי מחקר ופיתוח מרכזיים הנחוצים כדי להמשיך בהקטנת טרנזיסטורים. בשילוב הספקת כוח ומגעים בגב השבב, אלה יהיו צעדים גדולים קדימה בטכנולוגיית ארכיטקטורת טרנזיסטורים. בנוסף לשיפור הספקת הכוח בגב השבב והוספת ערוצים דו ממדיים חדשניים, אינטל עובדת כדי להאריך את חוק מור לטריליון טרנזיסטורים על שבב עד 2030.

אינטל הציגה מחקר טרנזיסטורים עדכני בכנס IEDM 2023 המציג לראשונה בתעשיה את היכולת לשכב אנכית טרנזיסטורי שדה משלים בפיץ' שער מקוטע של 60 ננומטר. תהליך זה מאפשר יעילות שטח ויתרונות ביצועים על ידי שיכוב טרנזיסטורים. זאת בשילוב גם עם הספקת כוח בגב השבב ומגעים ישירים בגב השבב.

אינטל מסתכלת לאחר פיתוח חמשת הצמתים בארבע שנים ומזהה תחומי מפתח במחקר ופיתוח הנחוצים כדי להמשיך בקיצור טרנזיסטורים עם הספקת כוח אחורית:

PowerVia של אינטל תהיה מוכנה לייצור ב-2024, מה שיהיה אחת היישומים הראשונים של הספקת כוח בגב השבב. קבוצת המחקר של רכיבים זיהתה נתיבים להרחבה וקיצור של הספקת כוח גבית מעבר ל-PowerVia, והשיפורים התהליכיים המרכזיים הנחוצים כדי לאפשר אותם.

אינטל היא הראשונה שמשלבת בהצלחה טרנזיסטורי סיליקון עם טרנזיסטורי גליום ניטריד (GaN) על אותה פלטת 300 מ"מ, ומדגימה שזה מבוצע היטב:

ב-IEDM 2022, המקדה אינטל בשיפורי ביצועים ובניית נתיב בר-קיימא לפלטות GaN-on-silicon בקוטר 300 מ"מ. השנה, החברה מתקדמת באינטגרציית תהליכים של סיליקון ו-GaN. אינטל הצליחה להדגים פתרון מעגל משולב ביצועים גבוהים בקנה מידה גדול – נקרא "DrGaN" – להספקת כוח. אינטל היא הראשונה להראות שהטכנולוגיה הזו מבצעת היטב ויכולה בפוטנציאל לאפשר פתרונות הספקת כוח שישמרו קצב עם דרישות הצפיפות והיעילות של מחשוב עתידי.

אינטל מתקדמת במחקר ופיתוח בתחום הטרנזיסטור הדו ממדי להמשך תחזוקת חוק מור.

חומרי ערוץ 2D מבוססי דיכלקוגנידים מעבריים מציעים הזדמנות ייחודית לאורך שער פיזי מקוטע של טרנזיסטור מתחת ל-10 ננומטר. ב-IEDM 2023, אינטל תדגים אבות-טיפוס של טרנזיסטורי TMD במובילות גבוהה הן ל-NMOS והן ל-PMOS, הרכיבים המרכזיים של CMOS.

הפוסט ללא הכרזה רשמית: אינטל הציגה פריצות דרך בטרנזיסטורים זעירים שיאפשרו להמשיך בייצור צמתים עתידיים הופיע לראשונה ב-Chiportal.

חברת קמטק הודיעה כי קיבלה הזמנות ל-34 מערכות לבדיקה ויזואלית (2D) של רכיבי חיישנים למצלמות (CMOS) מ- 5 יצרניות מובילות. 25 מההזמנות התקבלו משני לקוחות. מרבית ההזמנות יותקנו במהלך המחצית הראשונה של 2020.

הזמנות אלו מחזקות את מעמדה של קמטק בשוק בדיקות ה-2D עם מערכת ה-Eagle T ומערכת ה-Eagle T Plus שהושקה לאחרונה, ושומרות את מעמדה של החברה כמובילה בבדיקת חיישני CMOS.
רמי לנגר, COO של קמטק, אמר: "מצלמות הינן אחד הרכיבים המשמעותיים ביותר במכשירי סמרטפון היום. הגידול במספר המצלמות בסמרטפונים, הרזולוציה הגבוהה, והשוק המתעורר של 5G אשר מניע ייצור של סמרטופנים חדשים, מציבים רף חדש של דרישות וסטנדרטים לבדיקת רכיבי חיישנים למצלמות (CMOS). המומחיות ארוכת השנים שלנו בטכנולוגיות בדיקה, אשר עוצבה במיוחד לשוק ה-CMOS, הופכת את מערכות ה-Eagle T וה-Eagle T Plus למכונות הבדיקה האולטימטיביות עבור שוק זה."

רפי עמית, מנכ"ל קמטק, אמר: "אני מרוצה מאוד מההתחלה החזקה של שנת 2020. ההזמנות המשמעותיות שהתקבלו, לצד הזמנות אחרות אשר קיבלנו לאחרונה ליישומים אחרים, מסמנות שינוי חיובי במגמות השוק שלנו ומייצגות את הביקוש הגובר לציוד בדיקה ומטרולוגיה, וכן משפרות את הניראות למחצית הראשונה של 2020."

הפוסט קמטק מדווחת על קבלת הזמנות ל-34 מערכות מ- 5 יצרניות חיישנים למצלמות הופיע לראשונה ב-Chiportal.

חברת סוני מתכננת להשקיע כ-100 מיליארד יין – 1.2 מיליארד דולר במפעל שרכשה לאחרונה להגדלת יכולת הייצור של חיישני תמונות CMOS.

באמצעות הגדלת הקיבולת מתכננת סוני להגדיל את מיצובה כאחת מהחברותה מובילות בתחום חיישני התמונות בטכנולוגית CMOS ו-CCD.

לאחרונה רכשה סוני מחדש מפעל בנגאסאקי שביפן שמכרה לטושיבה ב-2008. סוני רכשה את המפעל תמורת 597 מיליון דולר במטרה להכפיל את יכולת ייצור חיישני ה-CMOS. סוני גם תרחיב את פעילות סוני סמיקונדקטור קיושו במרכז הטכנולוגי של נגסאקי בשנה הפיסקאלית המסתיימת ב-31 במארס 2012.

השקעות אלה יאפשרו לסוני להמשיך ולהרחיב את יכולת הייצור לחיישני CMOS מהסוג Exmor ו- Exmor R כדי לענות על הדרישה משווקי הטלפונים החכמים והמצלמות הדיגיטליות.

הפוסט סוני תשקיע 1.2 מיליארד דולר בחיישנים הופיע לראשונה ב-Chiportal.

יצרנית המצלמות קאנון פיתחה חיישן בגודל APS-H המספק תמונות ברזולוציה של 120 מגה פיקסל.

התמונות, שממדיהן 13,280 על 9,134 פיקסלים והחיישן החדש מהווים שיא עולמי חדש ברמת הרזולוציה לגודל כזה של חיישן. נראה איפה שאין סוף לאפשרות הדחיסה של שבבים ועל המשך התפתחות תחום המוליכים למחצה.

כמות הפיקסלים גדולה פי 7.5 לערך מאשר בחיישני CMOS מסחריים בעלי הרזולוציה הטובה ביותר שקאנון מספקת באותו גודל – 16.1 מגהפיקסל, היא גם מספקת הכפלה של פי 2.4 ברזולוציה. קאנון מסרה כי החיישן החדש יספק תפוקה מרבית של כ-9.5 fps ויאפשר המשכיות מהירה של צילום תמונות ברזולוציה עצומה.

לדברי קנון היא שיפרה את השיטות כדי לבקר את תזמון מעגלי הקריאה, וכך לאפשר עיבוד אותות מהיר. החיישן כולל בתוכו מערכת תפוקת וידאו ב-HD מלא (1,920 על 1,080).

פיתוח החיישן הוא שלב לעבר תוכניתה ארוכת הטווח של קאנון, כפי שהוצגה בתפיסת מצלמת הפלא (Wonder Camera) בתערוכת אקספו 2010 בשנחאי. לדברי מדגימי השיטה, עתיד הצילום טמון בחיישנים מהירים ברזולוציה גבוהה ובלכידת וידאו, שמהן ניתן יהיה לתפוס מסגרות בודדות ולהפוך לתמונות סטילס.

Canon  עדיין לא הכריזה אם החיישן החדש ישמש ליישומי צילום מסחריים. החברה גם לא פירטה לגבי כמות האור הנדרשת לחיישן כה דחוס, כמו גם על השפעת הצפיפות על ביצועי הרעש.

הפוסט קאנון פיתחה חיישן CMOS ברזולוציה של 120 מגה פיקסל הופיע לראשונה ב-Chiportal.

.

מפעל בדרזדן שבגרמניה השייך לחברת גלובל פאונדריז המאריקנית החל לפתח תהליך ייצור שבבי CMOS בטכנולוגית 22 ננומטר, שתשמש לייצור המוני.

לא ברור אם הפיתוח ב-22 ננומטר יכלול נטישה של מתהליך ייצור ה-CMOS בשיטת gate-first high-K metal gate (HKMG) הנהוג כיום בטכנולוגיות 32 ו-28 ננומטר. המפעל החדש, פאב-1, היה צפוי להיות סוס העבודה של גלובל פאונדריז בטכנולוגיות 45/40 ו-32/28 ננומטר בעוד המפעל הנמצא בבניה במדינת ניו יורק – פאב 8, אמור היה להריץ את תהליך הייצור בטכנולוגית 22 ננומטר.

במקום זאת הוחלט שפאב1 ישמש פיילוט לייצור המוני בכמה מהטכנולוגיות הכרוכות במעבר ל-22 ננומטר, אמר עודו נוטהלפר, מנהל פאב 1. לדבריו, בעוד גלובל פאונדריז מקימה את המפעל בניו יורק, הייצור ההמוני בו לא צפוי להתחיל לפני המחצית השניה של 2012, והביקוש למערכות CMOS בטכנולוגיות 22 ננומטר יתחיל קודם לכן.

הפוסט המפעל של גלובל פאונדריז בגרמניה ייצר גם בטכנולוגית 22 ננומטר הופיע לראשונה ב-Chiportal.