סמסונג אלקטרוניקס הודיעה על עריכת טקס כניסת הציוד למתחם המחקר והפיתוח החדש לשבבים שלה (NRD-K) בקמפוס שלה בגיונג, קוריאה. בטקס השתתפו כ-100 אורחים, כולל ספקים ולקוחות, לציון רגע חשוב זה. קמפוס גיונג, הממוקם מדרום לסיאול, הוא המקום שבו נוצר ה-DRAM הראשון בעולם בנפח 64 מגה-ביט בשנת 1992, מה שסימן את תחילתה של ההובלה של סמסונג בתחום השבבים. המתחם החדש ימשיך להוביל את החדשנות בתחום הטכנולוגיה והתהליכים.

המתקן המתקדם, שהחלה בנייתו בשנת 2022, נועד לשמש כבסיס מרכזי למחקר ופיתוח של שבבי זיכרון, LSI ומוליכים למחצה עבור סמסונג. המתחם יאפשר קיום מחקר ואימות ברמת המוצר תחת קורת גג אחת. סמסונג מתכננת להשקיע סכום של כ-15.3 מיליארד דולר אמריקאי (KRW 20 טריליון) עד שנת 2030 במתחם, המשתרע על שטח של כ-109,000 מ"ר. כמו כן, המתחם יכלול קו ייעודי למחקר ופיתוח, הצפוי להתחיל לפעול באמצע 2025.

NRD-K יכלול טכנולוגיות מתקדמות כגון ליתוגרפיה באולטרה-סגול קיצוני (EUV) עם מספר נומרי גבוה (High NA), וכן ציוד חדש לשיקוע חומרים חדשניים, במטרה להאיץ את פיתוח שבבי זיכרון עתידיים כמו DRAM תלת-ממדי ו-V-NAND עם למעלה מ-1,000 שכבות. בנוסף, המתחם יכלול תשתית לחיבור וופרים (wafer-to-wafer bonding) שתשמש לחדשנות בתהליכי ייצור שבבים.

ברבעון השלישי של 2024, סמסונג השקיעה סכום שיא של כ-6.8 מיליארד דולר אמריקאי (KRW 8.87 טריליון) במחקר ופיתוח. החברה ממשיכה לדחוף את הגבולות הטכנולוגיים כדי להבטיח את התחרותיות בתחומים כמו אריזות מתקדמות לזיכרונות פס רחב (HBM).

יאנג היון ג'ון, סגן יו"ר ומנהל מחלקת פתרונות ההתקנים של סמסונג, אמר: "NRD-K יאפשר לנו להאיץ את פיתוח הטכנולוגיות הבסיסיות של העתיד ולהניח את היסודות לזינוק חדש בגיונג, המקום שבו החלה ההיסטוריה של 50 שנות שבבים בסמסונג. אנו יוצרים את עתיד 100 השנים הבאות."

המתקן החדש
NRD-K מהווה חלק מרכזי בתוכנית המחקר והפיתוח של סמסונג לשבבים מתקדמים. עם השקעה רחבת היקף ותשתיות מתקדמות, המתחם צפוי לחזק את מעמדה של סמסונג כחברת השבבים המובילה בעולם.

תגיות: סמסונג, NRD-K, DRAM תלת-ממדי, זיכרונות V-NAND, מחקר ופיתוח, ליתוגרפיה EUV, השקעות טכנולוגיות, גיונג.

הפוסט סמסונג חוגגת אבן דרך במתחם המחקר והפיתוח החדש לשבבים הופיע לראשונה ב-Chiportal.