טאואר סמיקונדקטור (נאסד"ק/ת"א: TSEM) הודיעה על ייצור מודולי RF-FEM (Radio Frequency front-end module) לתקשורת בתקן Wi-Fi 7, המבוססים על טכנולוגיית RFSOI ב-300 מ"מ. הטכנולוגיה מאפשרת ייצור שבבים עם ביצועים גבוהים וצריכת חשמל נמוכה, המתאימים ליישומים הדורשים עיבוד מהיר של אותות RF, כמו במכשירים סלולריים, מודמים אלחוטיים ומערכות תקשורת אחרות.

בשיתוף פעולה עם חברת ברודקום (נאסד"ק: AVGO), פותחו מספר התקני Wi-Fi FEM משולבים על גבי שבב RFSOI יחיד. פתרון זה משפר ביצועים ויעילות בהשוואה לטכנולוגיות שאינן מבוססות SOI, ומספק סטנדרט חדש למכשירים המשתמשים בחיבור אלחוטי לרשת Wi-Fi בתנועה.

"הטכנולוגיה של טאואר אפשרה לנו לפתח רכיבי FEM קומפקטיים ובעלי ביצועים גבוהים ליישומי Wi-Fi 7," אמר ויג'יי נגרג'אן, סגן נשיא לשיווק, תקשורת אלחוטית וקישוריות בברודקום. "רכיבים אלו מותאמים לדרישות של גודל ויעילות צריכת חשמל ביישומים ניידים."

מרקו ראקנלי, נשיא טאואר סמיקונדקטור, הוסיף כי "היכולות הטכנולוגיות של ברודקום בעיצוב מוצרי FEM משלימות את החוזקות שלנו, ומאפשרות להשיג ביצועים ואינטגרציה גבוהים במיוחד. שותפות זו מדגישה את המחויבות שלנו להתאמת הפתרונות לצרכי הלקוחות שלנו."

התהליך החדש מפחית את שטח השבב, למרות המורכבות שנדרשת לתמיכה בתכונות ובפסי תדרים חדשים. פלטפורמת RFSOI של טאואר מספקת ביצועים גבוהים בשוק, עם שילוב של מגבר דל רחש (LNA) ומתג משולב, מה שמייעל את היישומים הניידים ומפחית את איבודי ההספק.

הפוסט טאואר סמיקונדקטור וברודקום הציגו סטנדרט לדור הבא של יישומי תקשורת ניידים הופיע לראשונה ב-Chiportal.

בשוק הדינמי של תשתיות לדור 5, יש מירוץ מתמשך לסוגים יעילים יותר של אנטנות. החלפת הטכנולוגיה מראש רדיו מרוחק (RRH) למערכת אנטנות פעילות (AAS) תשנה את התקני החזית של ה-RF ממספר קטן של קווי RF עם הספק גבוה למספר גדול של קווי RF עם הספק נמוך. אחרי החדירה שלה לשוק תשתיות התקשורת LTE דור 4, GaN-on-SiC צפויה לשמור על המעמד החזק שלה בהתקנות דור 5 RRH תת 6GHz. אבל במגזר המתפתח של התקנות דור 5 AAS תת 6GHz – MINO מסיבי, היריבות בין GaN ו-LDMOS נמשכת. טכנולוגית LDMOS המשתלמת כלכלית ממשיכה עם התקדמות ראויה לציון בביצועי תדרים גבוהים בתת 6GHz, ואילו GaN-on-SiC מציעה רוחב פס מצוין, PAE ותפוקת הספק.

שוק הטלפונים הוא הגורם המניע הגדול של מכשירי GaAs כשתכולת מגברי ההספק (PA) בכל טלפון גדלה. באופן כללי, טלפונים סלולריים LTE דור 4 צריכים לכסות רצועות תדרים מרובות, עם מספר הולך וגדל של PAs בכל טלפון. הביקוש בדור 5 ל-PAs הוא לפחות כפול מאשר בדור 4. אם מוסיפים לזה את הדרישות המאוד מחמירות של ליניאריות והספק אז GaAs היא הבחירה המהותית של PAs במודול החזית (FEM) של ה-RF. למרות שהעלות של CMOS נמוכה יותר לשבב, לא בהכרח יהיה לו יתרון על פני GaAs כשמדובר במודולים וביצועים.
"בקישוריות סלולר, Wi-Fi 6 התחילה להיכנס לשוק ב-2019" מסבירה חברת מחקרי השוק והייעוץ האסטרטגי יול. יול פרסמה את הדוח השנתי על הטכנולוגיה והשוק של RF GaN, "שוק ה-GaN RF: יישומים, שחקנים, טכנולוגיה ותשתיות 2020". במשך כל השנה האנליסטים של יול חקרו את התחום הזה כדי להבין לעומק את התפתחות הטכנולוגיה, היישום פוטנציאלי וההשפעה על העסקים. דוח ה-GaN RF מציע השנה פילוח מעודכן של שוק המכשירים הארוזים והפרוסות החשופות וגם ניתוח נרחב של תשתית הסלולר לדור 5 וניתוח תחרותי של GaN לעומת טכנולוגיות קיימות אחרות.

הפוסט מכשירי RF Devices קריטיים לפריסה של דור 5 באמצעות תדרים גבוהים יותר הופיע לראשונה ב-Chiportal.