טאואר סמיקונדקטור הודיעה כי שבבי ה־beamforming של חברת Axiro Semiconductor האמריקנית זמינים כעת ומיוצרים במפעלי טאואר בארה״ב, בטכנולוגיית Silicon Germanium, או SiGe. לפי ההודעה, הרכיבים כבר נמצאים בתהליך מעבר לייצור בכמויות, ומיועדים לשילוב במערכות רדאר ביטחוניות מתקדמות.

Axiro היא חברת תכנון שבבים מארה״ב המתמקדת ברכיבי RF, רדאר, תקשורת לוויינית ותקשורת מהירה. במסגרת שיתוף הפעולה, Axiro מתכננת ומשווקת את רכיבי ה־BFIC, ואילו טאואר מייצרת אותם במתקניה בארה״ב. בכך מבקשות החברות לתת מענה לדרישה גוברת מצד קבלני ביטחון ויצרני רדאר אמריקניים לרכיבים שתוכננו ומיוצרים בתוך שרשרת אספקה מקומית ובטוחה יותר.

רכיבי beamforming משמשים לשליטה בעיצוב ובכיוון של אלומות רדאר או תקשורת. במקום להסתמך רק על תנועה מכנית של אנטנה, מערכות מתקדמות משתמשות במערכי אנטנות וברכיבים אלקטרוניים כדי לכוון את האלומה במהירות ובדיוק גבוהים. זהו רכיב מרכזי במערכות רדאר מודרניות, בתקשורת לוויינית ובמערכות תקשורת עתירות ביצועים.

לפי טאואר, הרכיבים החדשים של Axiro מיועדים לתחומי Ku ו־X, שני תחומי תדרים המשמשים בין היתר ביישומי רדאר ותקשורת. החברה מציינת כי הרכיבים מציעים יתרונות בביצועים כגון הגבר, ליניאריות, הספק יציאה, יעילות ומהירות מיתוג. אלה פרמטרים חשובים במערכות רדאר, שבהן נדרשים שילוב בין דיוק, אמינות, תגובה מהירה ויכולת פעולה בתנאים תובעניים.

הבחירה בטכנולוגיית SiGe אינה מקרית. טכנולוגיות Silicon Germanium משמשות לעיתים קרובות ביישומי RF ותדרים גבוהים, שבהם נדרש שילוב בין ביצועים אנלוגיים גבוהים לבין יכולת ייצור תעשייתית יציבה. עבור טאואר, זהו אחד מתחומי ההתמחות המרכזיים שלה, לצד פלטפורמות נוספות כמו RF CMOS, BiCMOS, פוטוניקה על סיליקון, חיישני תמונה, ניהול הספק ו־MEMS.

המשמעות האסטרטגית של ההודעה רחבה יותר מהזמינות של רכיב מסוים. בשנים האחרונות ארה״ב מחזקת את הדגש על ייצור מקומי של שבבים קריטיים, במיוחד בתחומים ביטחוניים ותשתיתיים. כאשר מדובר במערכות רדאר ותקשורת ביטחונית, מקור הייצור והשליטה בשרשרת האספקה הופכים לחלק מהשיקול הטכנולוגי עצמו. העובדה שהרכיבים מיוצרים במתקני טאואר בארה״ב מאפשרת ל־Axiro להציע ללקוחותיה פתרון אמריקני יותר מבחינת תכנון, ייצור ואספקה.

מייק סקוט, סגן נשיא ומנהל חטיבת התעופה והביטחון בטאואר, אמר כי לחברה נוכחות מבוססת כספקית לתעשיות התעופה והביטחון בארה״ב, וכי הניסיון הזה, יחד עם יכולות ה־SiGe של החברה, מספקים בסיס לביצועים ולמדרגיות הנדרשים במערכות ביטחוניות מודרניות. מנכ״ל Axiro, נאווין ינדורו, אמר כי החברה בחרה בטאואר בשל מומחיותה בטכנולוגיית SiGe, וכי העבודה עם מתקן הייצור האמריקני של טאואר מחזקת את מחויבותה לאספקת טכנולוגיה קריטית לשוק הביטחוני האמריקני.

ההודעה מגיעה גם על רקע רצף מהלכים של טאואר בתחומי הייצור המתקדם והפלטפורמות האנלוגיות. לפי הדיווח שצורף, טאואר תציג בכנס SPIE Defense and Security 2026, שיתקיים בין 28 ל־30 באפריל בנשיונל הרבור, מרילנד. אותו דיווח גם מזכיר מהלכים אחרונים של החברה, בהם שינוי מבנה הפעילות ביפן ושיתוף פעולה עם Lightwave Logic בתחום מודולטורים אופטיים מהירים.

עבור טאואר, ההכרזה מחזקת את מיצובה כחברת ייצור שבבים אנלוגיים ייעודיים לשווקים שבהם לא מספיקים רק מזעור וצפיפות טרנזיסטורים. בתחומים כמו RF, רדאר, תקשורת לוויינית, חישה ופוטוניקה, היתרון נמצא לעיתים קרובות בתהליך ייצור מותאם, באמינות וביכולת לשלב ביצועים אנלוגיים גבוהים עם ייצור יציב לאורך זמן. שיתוף הפעולה עם Axiro משתלב בדיוק בנקודה הזאת: לא עוד תחרות ישירה על המעבד הכללי המהיר ביותר, אלא התמחות בשבבים ייעודיים המשמשים מערכות קריטיות.

הפוסט טאואר מייצרת בארה״ב שבבי רדאר של Axiro למערכות ביטחוניות מתקדמות הופיע לראשונה ב-Chiportal.

טאואר סמיקונדקטור (נאסד"ק/ת"א: TSEM) הודיעה על ייצור מודולי RF-FEM (Radio Frequency front-end module) לתקשורת בתקן Wi-Fi 7, המבוססים על טכנולוגיית RFSOI ב-300 מ"מ. הטכנולוגיה מאפשרת ייצור שבבים עם ביצועים גבוהים וצריכת חשמל נמוכה, המתאימים ליישומים הדורשים עיבוד מהיר של אותות RF, כמו במכשירים סלולריים, מודמים אלחוטיים ומערכות תקשורת אחרות.

בשיתוף פעולה עם חברת ברודקום (נאסד"ק: AVGO), פותחו מספר התקני Wi-Fi FEM משולבים על גבי שבב RFSOI יחיד. פתרון זה משפר ביצועים ויעילות בהשוואה לטכנולוגיות שאינן מבוססות SOI, ומספק סטנדרט חדש למכשירים המשתמשים בחיבור אלחוטי לרשת Wi-Fi בתנועה.

"הטכנולוגיה של טאואר אפשרה לנו לפתח רכיבי FEM קומפקטיים ובעלי ביצועים גבוהים ליישומי Wi-Fi 7," אמר ויג'יי נגרג'אן, סגן נשיא לשיווק, תקשורת אלחוטית וקישוריות בברודקום. "רכיבים אלו מותאמים לדרישות של גודל ויעילות צריכת חשמל ביישומים ניידים."

מרקו ראקנלי, נשיא טאואר סמיקונדקטור, הוסיף כי "היכולות הטכנולוגיות של ברודקום בעיצוב מוצרי FEM משלימות את החוזקות שלנו, ומאפשרות להשיג ביצועים ואינטגרציה גבוהים במיוחד. שותפות זו מדגישה את המחויבות שלנו להתאמת הפתרונות לצרכי הלקוחות שלנו."

התהליך החדש מפחית את שטח השבב, למרות המורכבות שנדרשת לתמיכה בתכונות ובפסי תדרים חדשים. פלטפורמת RFSOI של טאואר מספקת ביצועים גבוהים בשוק, עם שילוב של מגבר דל רחש (LNA) ומתג משולב, מה שמייעל את היישומים הניידים ומפחית את איבודי ההספק.

הפוסט טאואר סמיקונדקטור וברודקום הציגו סטנדרט לדור הבא של יישומי תקשורת ניידים הופיע לראשונה ב-Chiportal.

בשוק הדינמי של תשתיות לדור 5, יש מירוץ מתמשך לסוגים יעילים יותר של אנטנות. החלפת הטכנולוגיה מראש רדיו מרוחק (RRH) למערכת אנטנות פעילות (AAS) תשנה את התקני החזית של ה-RF ממספר קטן של קווי RF עם הספק גבוה למספר גדול של קווי RF עם הספק נמוך. אחרי החדירה שלה לשוק תשתיות התקשורת LTE דור 4, GaN-on-SiC צפויה לשמור על המעמד החזק שלה בהתקנות דור 5 RRH תת 6GHz. אבל במגזר המתפתח של התקנות דור 5 AAS תת 6GHz – MINO מסיבי, היריבות בין GaN ו-LDMOS נמשכת. טכנולוגית LDMOS המשתלמת כלכלית ממשיכה עם התקדמות ראויה לציון בביצועי תדרים גבוהים בתת 6GHz, ואילו GaN-on-SiC מציעה רוחב פס מצוין, PAE ותפוקת הספק.

שוק הטלפונים הוא הגורם המניע הגדול של מכשירי GaAs כשתכולת מגברי ההספק (PA) בכל טלפון גדלה. באופן כללי, טלפונים סלולריים LTE דור 4 צריכים לכסות רצועות תדרים מרובות, עם מספר הולך וגדל של PAs בכל טלפון. הביקוש בדור 5 ל-PAs הוא לפחות כפול מאשר בדור 4. אם מוסיפים לזה את הדרישות המאוד מחמירות של ליניאריות והספק אז GaAs היא הבחירה המהותית של PAs במודול החזית (FEM) של ה-RF. למרות שהעלות של CMOS נמוכה יותר לשבב, לא בהכרח יהיה לו יתרון על פני GaAs כשמדובר במודולים וביצועים.
"בקישוריות סלולר, Wi-Fi 6 התחילה להיכנס לשוק ב-2019" מסבירה חברת מחקרי השוק והייעוץ האסטרטגי יול. יול פרסמה את הדוח השנתי על הטכנולוגיה והשוק של RF GaN, "שוק ה-GaN RF: יישומים, שחקנים, טכנולוגיה ותשתיות 2020". במשך כל השנה האנליסטים של יול חקרו את התחום הזה כדי להבין לעומק את התפתחות הטכנולוגיה, היישום פוטנציאלי וההשפעה על העסקים. דוח ה-GaN RF מציע השנה פילוח מעודכן של שוק המכשירים הארוזים והפרוסות החשופות וגם ניתוח נרחב של תשתית הסלולר לדור 5 וניתוח תחרותי של GaN לעומת טכנולוגיות קיימות אחרות.

הפוסט מכשירי RF Devices קריטיים לפריסה של דור 5 באמצעות תדרים גבוהים יותר הופיע לראשונה ב-Chiportal.