SiGe Semiconductor, ספקית מודולים קדמיים ומגברי הספק RF מבוססי סיליקון, הרחיבה עוד את סדרת מגברי ההספק שלה עם התחלת ההפצה של SE7271T, מגבר הספק יחיד בהספק גבוה שיכול לכסות את שני התחומים של תדרי WiMAX, 2.3-2.4 GHz ו-2.5-2.7 GHz. ההתקן מפחית את מספר הרכיבים ואת העלות של עץ המוצר במוצרים כגון פלאגי USB, כרטיסי נתונים, מכשירי אינטרנט ניידים וטלפונים ניידים עם WiMAX.

בהתייחסו להתקן, אמר סנג'יב שאה, מנהל מוצרי WiMAX ב-SiGe,: "הידע המערכתי ושילוב ההתקנים המוכחים שלנו איפשרו לנו לספק את מגבר ההספק הקומפקטי והקטן הזה עם נצילות עוצמתית שאין שני לה". הוא הוסיף: "WiMAX מייצג בסופו של דבר חופש וניידות. באמצעות צריכת הזרם הנמוכה של SE7271T, אנו מספקים את אורך החיים של הסוללה שהצרכנים מצפים במכשירים ניידים".

מגבר ההספק המאוד משולב על פרוסה אחת החדש מתואם לגמרי עם מנחת צעדים, גלאי הספק ומסנן הרמוני, והכל במארז QFN שמידותיו 3 על 3 על 0.6 מ"מ. התאמת העכבה המשולבת יחד עם הפונקציונליות של המוצר יוצרים פתרון "הכנס והפעל" שמפשט את התכנון של מוצרי WiMAX ניידים וגם משפר את הייצוריות שלהם. צריכת הזרם הנמוכה והנצילות הגבוהה של SE7271T מפחיתה את משיכת הזרם ומביאה לשיפור אורך החיים של הסוללה בטלפונים, מכשירי אינטרנט ניידים ומחשבים ניידים עם WiMAX. צריכת הזרם של מגבר ההספק היא קריטית בפלאגי USB, שבהם המגבלות על הזרם הזמין מספק הכוח בדרך כלל גורמות להפחתה בהספק המוצא של ה-RF במגברי הספק פחות יעילים, וזה מפחית את כיסוי הרשת ואת קצב הנתונים.

שאה העיר: "המתחרים שלנו מתקשים לספק ללקוחות את נקודות הערך החשובות להתפתחות של מוצרי WiMAX ניידים. המוצרים המתחרים הם גדולים יותר פיזית או שאינם תואמים לטווח הטמפרטורות הדרוש לכרטיסי נתונים ופלאגי USB. וחלק מהם לא מכסה את כל טווח התדרים 2.5 GHz של WiMAX. כיסוי מלא של 2.3-2.7 GHz, נצילות מוגברת ברמות הספק RF גבוהות, טווח טמפרטורות עבודה של -40 עד +85 מעלות צלזיוס, גובה מארז מופחת – אלו תחומי ביצועים קריטיים עבור מגברי הספק WiMAX. SE7271T מספק את הסחורה בכל התחומים האלה".

לפי Dell'OroGroup, ספקית מובילה של מידע שוק על ענפי הרשתות והתקשורת, מספר מנויי ה-WiMAX צפוי לעלות מ-7 מיליון ב-2009 ל-69 מיליון עד 2013.

"בין אם הם משתמשים ברשת קווית או ברשת אלחוטית, הצרכנים כיום מצפים למהירות וביצועים של פס רחב. WiMAX הוא התקן של הדור הבא להספקת קישוריות אלחוטית בפס רחב בסביבות נייחות או ניידות, ומגברי ההספק ומודולי הקצה RF שלנו מספקים את האמינות, הגמישות, והביצועים שיצרני ציוד מקורי מבקשים וצרכני WiMAX דורשים", סיכם שאה. "SE7271T מספק ללקוחותינו פתרון משולב למדגמים שלהם. זמן התכנון המופחת שבו הוא תומך, עם הגודל הפיזי הקטן ביותר לפונקציונליות שלו וגם ההפחתה במספר הרכיבים הנחוצים ובעלות, כל אלה הופכים אותו למכשיר המועדף לפלאגי USB, כרטיסי נתונים, מכשירי אינטרנט ניידים וטלפונים עם WiMAX".

SE7271T מגיע במארז QFN קטן שמידותיו 3 על 3 ל 0.6 מ"מ, נטול עופרת והלוגן ותואם RoHS.

הפוסט SiGe Semiconductor משיקה מגבר הספק WiMAX בעל נצילות גבוהה יותר מהדור השני הופיע לראשונה ב-Chiportal.

טאואר-ג'אז הודיעה על זמינותן של ספריות תכנון עבור פלטפורמות ה-SiGe וה-RF המתקדמות והייחודיות של החברה בטכנולוגיית 0.13 מיקרון. ספריות אלה, שיפותחו ויסופקו יחד עם ARM, יצטרפו לסט ספריות התכנון הקיימות של החברה המסוגלות לספק הספק מתח נמוך וביצועים גבוהים מהמובילים בתעשייה. השילוב של הפלטפורמות הטכנולוגיות של טאואר-ג'אז יחד עם ההיצע של  ARM מהווים פתרון אידיאלי עבור לקוחות המתכננים שבבי RF ויישומים ניידים הזקוקים לתדר גבוה וחיי סוללה ארוכים.

טכנולוגיית ה-0.13 מיקרון, הזמינה כעת במתקן הייצור הישראלי של החברה, משלבת ביצועים דו-קוטביים של SiGe יחד עם תהליך CMOS מבוסס נחושת על-מנת להשיג ביצועי RF גבוהים. שווקי היעד לפתרון טכנולוגי זה הינם יישומים בעלי הספק מתח נמוך עבור  מכשירים ניידים אלחוטיים (WLAN), תקשורת למטרות כלליות ומקלטי טלוויזיה דיגיטלית.

"אנו שמחים כי יצרנית השבבים המובילה בעולם בטכנולוגיות ייחודיות בחרה להציע את ספריות התכנון שלנו ללקוחות הדורשים הספק מתח נמוך וביצועים גבוהים עבור יישומים חדשניים שלהם. ספריות אלה יאפשרו להם לשמור על עלויות ייצור נמוכות  תוך מתן אפשרויות תכנון המעניקות ערך מוסף גבוה," אמר סיימון סגארס, סמנכ"ל בכיר ומנהל כללי ב-ARM.

"אנחנו מרוצים מאוד מהשילוב של הספריות בהספקים נמוכים של  ARM עם טכנולוגיית ה-0.13 מיקרון בפלטפורמות ה-SiGe וה-RF המתקדמת של טאואר ג'אז, שילוב שיביא לערך חסר תקדים בביצועי RF וחיי סוללה ארוכים למוצרי לקוחותינו," אמר אורי גלצור, סמנכ"ל מרכז התכנון של טאואר-ג'אז. "הודעה זו מתבססת על שותפות ארוכה עם ARM בפלטפורמות טכנולוגיות רבות, מבוצעת במתקני הייצור שלנו בישראל ובקליפורניה, ועולה בקנה אחד עם המחויבות שלנו להשקיע ביכולות התכנון הטובות ביותר ובפתרונות  ה-IP שלנו תוך מצוינות בתכנון וייצור עבור לקוחותינו. "

רק לפני כשבועיים הודיעה טאואר-ג'אז על זמינותה של ערכת תכנון עבור טכנולוגיית הדור הבא של SiGe BiCMOS ב-0.13 מיקרון ליישומי RF. הטכנולוגיה אותה מציעה החברה משלבת בין הביצועים של פלטפורמת סיליקון גרמניום עם תהליך 130 ננו-מטר משולב נחושת ונועדה להשיג ביצועי RF גבוהים עם יותר מעגלים דיגיטאליים משולבים. הטכנולוגיה מיועדת ליישומי RF אלחוטיים וטיונר טלוויזיה המהווים ביחד שוק של מעל מיליארד דולר. מוצרים אלה נדרשים לספק ביצועים גבוהים יותר תוך עלות נמוכה יותר ואינטגרציה של מעגלים דיגיטליים מורכבים.

פלטפורמת ה-SBL13 היא הראשונה להיבנות במתקן הייצור של החברה בישראל, ובכך מהווה טאואר-ג'אז יצרן השבבים היחידי בעל טכנולוגיית ייצור SiGe BiCMOS ביותר ממתקן ייצור אחד, דבר המאפשר גמישות ייחודית עבור תכנון וייצור שבבי RF עם ביצועים גבוהים.

תהליך זה מתאים במיוחד למשדרים-מקלטים לתקשורת אינטרנטית, יחידת שידור-קליטה בטלפונים סלולאריים ומקלטי טלוויזיה. על-ידי שילוב של טכנולוגית 130 ננו-מטר מוכחת עם מבחר גדול של IP ניתן לתכנן פונקציות מורכבות במיוחד של פרוססורים בשטח המהווה מחצית מהשטח בטכנולוגית 0.18 מיקרון. טרנזיסטור SiGe של 100 גיגה-הרץ המשולב בפלטפורמה זו, מאפשר אינטגרציה של מגברי RF דלי רעש, בעוד ששילוב של טרנזיסטור סיליקון גרמניום למתח גבוה, מאפשר שילוב של מגברי הספק –על אותו שבב.

"פלטפורמת ה-SBL13 מאריכה ומגדילה את מפת הדרכים בטכנולוגיית ה-SiGe שלנו ועונה על צרכי לקוחותינו לשילוב גבוה יותר של מעגלים דיגיטאליים ומתן מענה לאספקת מוצריהם ממספר מתקני ייצור," אמר ד"ר מרקו ראקנלי, סמנכ"ל בכיר ומנהל קו מוצרי ה-RF בטאואר-ג'אז. "חתמנו על מספר הסכמים לייצור פרוסות ליישומי RF המשתמשים בפלטפורמה זו עם פוטנציאל מכירות של 50-100 מיליון דולר."

הפוסט טאואר-ג'אז מודיעה על ספריות תכנון עבור פלטפורמות ה-SiGe וה-RF בטכנולוגיית 0.13 מיקרון הופיע לראשונה ב-Chiportal.

טאואר סמיקונדקטור וג'אז סמיקונדקטור (מקבוצת טאואר) הודיעו היום כי טכנולוגיית ה-SiGe של החברה נבחרה על-ידי נאס"א לפיתוח יישום עבור משימת מחקר שתבחן את סביבת האבק באטמוספרת הירח. המשימה, (Lunar Atmosphere and Dust Environment Explorer (LADEE, תבוצע במסלול שיקיף את הירח ומטרתה העיקרית אפיון סביבת האבק של הירח על מנת לקבוע את הצפיפות, ההרכב והשינויים לאורך זמן באטמוספרה השברירית של הירח טרם חשיפתה לפעילויות אנושיות והיא תספק נתונים אופטיים בקצב של למעלה מ-500 מגה-בייט בשנייה. מועד שיגור המשימה נקבע ל-1 במאי, 2012.

היישום יתבסס על פתרון טכנולוגי המבוסס על פלטפורמת ה-SiGe המתקדמת של ג'אז ועל טכניקות תכנון של חברת ADSANTEC. פתרון זה נבחר גם על-ידי JPL לשם ביצוע משימה עתידית במאדים.

"טכנולוגיית ה-SiGe המובילה בתעשייה של ג'אז מאפשרת לנו להשיג באופן שיטתי הצלחה מהירה בפיתוח יישומים עבור תעשיות החלל והיבשה," אמר ד"ר ולאדימיר קצמן, נשיא ADSANTEC. "אנו נרגשים להמשיך ולהרחיב את שיתוף הפעולה עם ג'אז על-ידי מימוש התכנון שלנו והפיכתו לזמין עבור לקוחות ג'אז." נכון להיום מספקת ADSANTEC רכיבים המיוצרים בג'אז למספר לקוחות מהמובילים בעולם בתחום התקשורת.

"אנו שמחים מאוד לחבור ל-ADSANTEC לפיתוח משימת המחקר של נאס"א בירח," אמר ד"ר מרקו רקאנלי, סמנכ"ל בכיר ומנהל קבוצת ה-RF וה-HPA, וקבוצת הביטחון והחלל בטאואר וג'אז. "אנו צופים כי בזכות פרויקט זה נזכה בלקוחות נוספים בתחום החלל."

הפוסט טאואר-ג'אז ונאס"א חתמו על הסכם שיתוף-פעולה לפיתוח וייצור רכיבים למקפת הירח LADEE הופיע לראשונה ב-Chiportal.