חברת אפלייד מטיריאלס (Applied Materials) חשפה ב־12 באוקטובר את מרכז המחקר והפיתוח EPIC בסאניווייל, קליפורניה. החברה מתכננת השקעה מצטברת של כ־5 מיליארד דולר במרכז, שתגדל בהדרגה עם תחילת פעילותם של פרויקטים משותפים ללקוחותיה.

מרכז EPIC, ששמו המלא Equipment and Process Innovation and Commercialization, הוקם כדי לשנות את אופן הפיתוח של טכנולוגיות לייצור שבבים. במקום לבצע בנפרד מחקר בחומרים, פיתוח ציוד ובדיקות התאמה לייצור המוני, המרכז יאפשר ליצרניות שבבים ולספקיות ציוד לבצע את השלבים הללו במקביל.

המבנה משתרע על שטח של כ־55,700 מ"ר, מהם כ־16 אלף מ"ר של חדרים נקיים מתקדמים. לדברי אפלייד, זהו המתקן הגדול מסוגו בעולם למחקר משותף של ציוד ותהליכי ייצור מוליכים למחצה.

עם השותפות המייסדות נמנות TSMC, אינטל, סמסונג אלקטרוניקס, מיקרון ו־SK hynix. שותפות נוספות כוללות את ברודקום, KIOXIA, Advantest, SCREEN ו־Besi. גם אוניברסיטאות סטנפורד וברקלי, UCLA ומוסדות מחקר נוספים משתתפים בתוכנית.

הצורך בשיתוף פעולה כזה גובר ככל שמבני הטרנזיסטורים, הזיכרונות והאריזות התלת־ממדיות נעשים מורכבים יותר. בתהליכי ייצור ברמה האטומית, שינוי בחומר או בממשק שבין שכבות עשוי להשפיע על הביצועים, צריכת החשמל ותפוקת הייצור.

חשיפת המרכז מסמנת את המעבר משיתופי פעולה נקודתיים בין ספק ציוד ליצרן שבבים למודל של פיתוח משותף ורציף. עם זאת, הצלחת המודל תימדד ביכולתו לקצר בפועל את מחזורי הפיתוח ולהביא טכנולוגיות חדשות לייצור מסחרי.

הפוסט אפלייד מטיריאלס חשפה את מרכז EPIC בהשקעה מתוכננת של 5 מיליארד דולר הופיע לראשונה ב-Chiportal.

AMD מתכננת להגדיל באופן משמעותי את היקף אספקת השבבים שלה במהלך 2027, על רקע המשך הביקוש הגבוה למאיצי בינה מלאכותית ולמעבדים למרכזי נתונים. במקביל, החברה ממשיכה לבחון אפשרות להשתמש גם בשירותי הייצור של Samsung Foundry.

מנכ"לית AMD, ליסה סו, אמרה במהלך ביקור באסיה כי החברה כבר הגדילה את האספקה לאורך 2026, אך מתכננת הרחבה משמעותית נוספת בשנה הבאה. לדבריה, AMD מתכננת את צורכי הקיבולת שלה לטווח של שלוש עד חמש שנים, משום שהיא צופה ביקוש גבוה מאוד למוצריה בשנים הקרובות.

במהלך ביקורה בטייוואן נפגשה סו עם ספקים ובהם פוקסקון, וקיימה שיחות גם עם TSMC בנוגע להרחבת קיבולת הייצור של מעבדי CPU ו-GPU. לאחר מכן המשיכה לדרום קוריאה, שם נפגשה עם SK Hynix וקיימה שיחות עם סמסונג.

אחת הסוגיות המרכזיות היא זמינות הזיכרונות, ובפרט הזיכרונות המתקדמים הדרושים למערכות AI. סו הדגישה כי AMD תלויה במידה רבה בשרשרת האספקה הקוריאנית וכי סמסונג ו-SK Hynix הן שותפות מרכזיות במימוש תוכניות החברה בתחום מרכזי הנתונים.

AMD וסמסונג כבר חתמו במרץ על מזכר הבנות להרחבת שיתוף הפעולה בתחום הזיכרונות עבור תשתיות בינה מלאכותית. במסגרת זו הסכימו שתי החברות גם לבחון שיתוף פעולה בתחום ה-Foundry, שבמסגרתו עשויה סמסונג לייצר בעתיד שבבים מתקדמים עבור AMD.

בשלב זה לא הוכרז על חוזה ייצור מחייב עם Samsung Foundry, אולם עצם המשך השיחות מצביע על רצונה של AMD להרחיב ולגוון את מקורות הייצור שלה בתקופה שבה קיבולת הייצור המתקדמת והזיכרונות הפכו לאחד מצווארי הבקבוק המרכזיים של שוק ה-AI.

הפוסט AMD נערכת להגדלה משמעותית של אספקת השבבים ב-2027 ובוחנת ייצור אצל סמסונג הופיע לראשונה ב-Chiportal.

יצרנית הזיכרונות הדרום־קוריאנית SK hynix מנהלת מגעים ראשוניים עם אינטל בנוגע לייצור שבבי זיכרון בארצות הברית – מהלך שאם ייצא לפועל יהיה הפעם הראשונה שבה החברה מייצרת שבבי זיכרון על אדמת ארה״ב.

לפי דיווח רויטרס, אחת האפשרויות הנבחנות היא ש־SK hynix תשכור חלק ממתחם הייצור שאינטל מקימה באוהיו. אפשרות נוספת היא הקמת מיזם משותף בהשתתפות אינטל וחברות ענן גדולות המעוניינות להבטיח אספקה ארוכת טווח של זיכרונות.

המגעים עדיין בשלב מוקדם ולא התקבלה החלטה. SK hynix מסרה כי היא בוחנת אפשרויות שונות להקמת בסיסי ייצור נוספים, אך לא סוכם דבר בנוגע לשיתוף פעולה עם חברה מסוימת או לייצור זיכרונות בארה״ב.

מהלך כזה עשוי להיות משמעותי במיוחד על רקע המחסור העולמי בזיכרונות והביקוש הגובר ל־HBM ול־DRAM עבור מערכות בינה מלאכותית. SK hynix כבר מקימה באינדיאנה מפעל לאריזה מתקדמת של זיכרונות HBM, אך פרוסות השבבים עבורו אמורות להיות מיוצרות בדרום קוריאה.

עבור אינטל, הכנסת SK hynix למפעל באוהיו עשויה לסייע בניצול המתחם, שפתיחתו נדחתה לאחר שהחברה צמצמה את קצב השקעות ההון שלה.

הפוסט SK hynix במגעים עם אינטל לייצור שבבי זיכרון בארה״ב הופיע לראשונה ב-Chiportal.

יצרניות השבבים הגדולות בעולם מתקדמות לקראת אימוץ רחב של מערכות הליתוגרפיה High-NA EUV של ASML, מהלך שעשוי לחזק עוד יותר את מעמדה של החברה ההולנדית כספקית קריטית לתהליכי הייצור המתקדמים ביותר בתעשיית השבבים.

מערכות High-NA הן הדור הבא של ליתוגרפיית EUV. הן מגדילות את המפתח הנומרי (Numerical Aperture) של המערכת מ־0.33 במכונות EUV הנוכחיות ל־0.55. השינוי מאפשר לשפר את הרזולוציה ולהדפיס מבנים הקטנים בכ־40% מאלה שאפשר להדפיס באמצעות מערכות EUV מהדור הנוכחי.

המחיר גבוה במיוחד – כ־400 מיליון דולר למערכת – ובשנים האחרונות נשמעו בתעשייה ספקות לגבי הקצב שבו יצרניות השבבים יאמצו את הטכנולוגיה. כעת מסתמן כי החברות המובילות מתכנסות בהדרגה לעבר High-NA, אם כי לוחות הזמנים שלהן שונים.

אינטל כבר מייצרת באמצעות High-NA

אינטל היא החלוצה באימוץ הטכנולוגיה. החברה קיבלה את מערכת ה־High-NA המסחרית הראשונה כבר ב־2024, וכיום משתמשת בה במסגרת תהליך Intel 18A.

לדברי ASML ואינטל, יותר ממיליון פרוסות סיליקון כבר עברו במערכות High-NA במסגרת הסמכת הציוד, מחקר ופיתוח וכן ייצור בנפח גבוה. הטכנולוגיה משמשת בשכבות מסוימות של חלק ממעבדי Core Ultra Series 3, הידועים בשם הקוד Panther Lake.

החברות דיווחו כי התפוקה, זמינות המערכות ודיוק ההתאמה בין שכבות עומדים בציפיות.

סמסונג מכוונת ל־2028

סמסונג הודיעה כי בכוונתה להכניס את High-NA EUV לייצור המוני של שבבי DRAM עתידיים ב־2028. אם התוכנית תתממש, תהיה זו הפעם הראשונה שבה High-NA ישמש לייצור המוני של זיכרונות DRAM.

היכולת להדפיס מבנים קטנים יותר עשויה לאפשר לסמסונג להמשיך בצמצום ממדי תאי הזיכרון ובמקביל לפשט חלק משלבי הייצור.

גם SK hynix נערכת לשימוש בטכנולוגיה בדורות עתידיים של זיכרונות.

TSMC תצטרף מאוחר יותר

TSMC נוקטת לוח זמנים שמרני יותר. החברה הודיעה כי היא מתכננת להכניס את מערכות High-NA לייצור המוני בצמתים מתקדמים החל מ־2030.

ככל שארכיטקטורות הטרנזיסטורים נעשות מורכבות יותר, ובמיוחד בשבבים המיועדים ליישומי בינה מלאכותית, TSMC מעריכה שמספר השכבות שבהן יהיה צורך ב־High-NA יגדל.

העובדה ש־TSMC אינה ממהרת להשתמש בטכנולוגיה אינה יוצאת דופן. יצרנית השבבים הטייוואנית נוהגת לאמץ טכנולוגיות ייצור חדשות כאשר היא סבורה שהן מספקות יתרון כלכלי ברור בייצור המוני.

האתגר הבא: מסכות גדולות יותר

ל־High-NA יש גם מגבלה. המערכת האופטית החדשה מקטינה את שטח החשיפה היחיד על פרוסת הסיליקון. הדבר מקשה במיוחד על ייצור שבבים גדולים, כגון מאיצי AI למרכזי נתונים.

כדי להתמודד עם הבעיה מובילות ASML ו־TSMC יוזמה למעבר ממסכות הפוטוליתוגרפיה הקיימות בגודל 6 אינץ' למסכות גדולות יותר בגודל 12 אינץ'.

התוכנית היא להקים קו ניסיוני למסכות החדשות עד 2031 ולהגיע למוכנות של מערכות ליתוגרפיה המתאימות להן לייצור בצמתים מתקדמים ב־2033.

סמסונג כבר הודיעה כי תצטרף ליוזמה, ואינטל פועלת גם היא עם ASML ועם חברות נוספות באקוסיסטם לקידום מסכות גדולות יותר.

ASML נשארת בצומת קריטי של תעשיית השבבים

המעבר ל־High-NA מדגיש מחדש את התלות של תעשיית השבבים ב־ASML. החברה היא הספקית היחידה בעולם של מערכות EUV מסחריות לייצור שבבים מתקדם, והדור החדש מעלה עוד יותר את הרף הטכנולוגי וההוני הנדרש כדי להתחרות בתחום.

הביקוש אינו מוגבל ל־High-NA. לפי דיווח נוסף שפורסם היום, ASML בוחנת כיצד להגדיל את יכולת הייצור שלה ליותר מ־110 מערכות EUV בשנת 2028, בעקבות הביקוש הגובר מצד יצרניות שבבים המרחיבות קיבולת עבור שוק הבינה המלאכותית.

החברה כבר כמעט מלאה בהזמנות לשנת 2027 ומתכננת להגדיל את כושר הייצור שלה כדי לענות על הביקוש בשנים הבאות.

ההתכנסות של אינטל, סמסונג, SK hynix ו־TSMC סביב High-NA מצביעה על כך שהשאלה בתעשייה עוברת בהדרגה מ"האם להשתמש בטכנולוגיה" ל"מתי ובאילו שכבות כדאי להשתמש בה".

הפוסט ASML מחזקת את שליטתה בליתוגרפיה: ענקיות השבבים נערכות לעידן ה־High-NA EUV הופיע לראשונה ב-Chiportal.

ההשקעות העצומות בתשתיות בינה מלאכותית משנות לא רק את שוק המעבדים הגרפיים, אלא את כלכלת תעשיית הזיכרונות העולמית. מרכזי הנתונים זקוקים לכמויות גדלות במהירות של זיכרון בעל רוחב פס גבוה — HBM — והייצור שלו מתחרה על אותם משאבים המשמשים לייצור זיכרונות DRAM עבור שרתים רגילים, מחשבים אישיים וטלפונים חכמים.

HBM בנוי ממספר שבבי DRAM המונחים זה על גבי זה ומחוברים באמצעות מוליכים העוברים דרך הסיליקון, TSV. המבנה מאפשר להעביר כמויות גדולות מאוד של מידע בין הזיכרון לבין מאיץ ה־AI, אך הוא מחייב יותר שטח סיליקון, תהליכי ייצור מורכבים ואריזה מתקדמת.

לפי נתון שהציגה Micron בכנס Hot Chips 2026, ייצור כמות נתונה של זיכרון HBM3E דורש בערך פי שלושה משטח הפרוסות הדרוש לייצור אותה קיבולת ב־DDR5. החברה העריכה כי יחס זה עלול להיות גבוה עוד יותר בדורות הבאים. המשמעות היא שהרחבת ייצור ה־HBM אינה רק מוסיפה מוצר חדש לקווי הייצור: היא מפחיתה את מספר סיביות הזיכרון הרגיל שאפשר להפיק מאותה קיבולת מפעל.

שלוש חברות ורווחיות גבוהה במיוחד

שוק ה־DRAM נשלט כמעט כולו בידי Samsung Electronics,‏ SK hynix ו־Micron. לפי נתוני Counterpoint שפורסמו בסקירת מצב השוק של The Verge, שלוש החברות החזיקו יחד בכ־90% מהשוק ברבעון השני של 2026.

כאשר הלקוחות הגדולים בתחום ה־AI מוכנים להתחייב מראש לכמויות גדולות ולשלם מחירים גבוהים, ליצרניות הזיכרון יש תמריץ ברור להפנות השקעות, כוח אדם וקיבולת ייצור למוצרי HBM ולזיכרונות שרתים מתקדמים. כך נוצר לחץ גם בשווקים שאינם משתמשים ב־HBM בעצמם.

בסקירת השוק שלה לשנת 2026, המצטטת תחזיות של Bank of America, העריכה SK hynix כי שוק ה־HBM יגיע השנה לכ־54.6 מיליארד דולר — צמיחה של 58% לעומת 2025. לפי אותה סקירה, הכנסות שוק ה־DRAM כולו צפויות לגדול ב־51%, כאשר המחיר הממוצע עולה בכ־33%.

הביקוש אינו מגיע רק מאימון מודלים גדולים. מערכות הסקה, סוכני AI, שמירת הקשר ארוך ומעבר לעיבוד רב־מודאלי מוסיפים דרישות זיכרון ואחסון בכל שכבות מרכז הנתונים. במקביל, שילוב יכולות AI מקומיות במחשבים ובטלפונים מגדיל את כמות ה־DRAM הנדרשת גם במכשירי הקצה.

חשבון ה־AI מגיע לטלפון

המחסור כבר מורגש היטב בשוק הטלפונים. לפי התחזית המעודכנת של IDC, עלויות רכיבי ה־DRAM וה־NAND עלו ביותר מ־300% לעומת השנה הקודמת. החברה צופה כי מספר הטלפונים שיימכרו בעולם ב־2026 יירד ב־16.7%, בעוד המחיר הממוצע יעלה ב־27.6% ל־581 דולר.

ההשפעה חזקה במיוחד בפלח הזול, שבו לזיכרון יש חלק גדול יחסית מעלות החומרים ושולי הרווח קטנים. יצרניות שאינן יכולות להעביר את מלוא ההתייקרות לצרכן נאלצות לצמצם את נפח הזיכרון, להשתמש ברכיבים ישנים יותר, לוותר על מצלמות או תצוגות יקרות ולבטל דגמים בעלי רווחיות נמוכה.

היצרניות הגדולות והמותגים הפועלים בשוק הפרימיום נמצאים במצב נוח יותר: יש להם כוח מיקוח מול הספקים ויכולת לגלגל חלק גדול יותר מהעלות למחיר המוצר. לכן המחסור עלול גם להאיץ את ריכוז שוק המכשירים בידי מספר קטן יותר של חברות.

אותה תופעה משפיעה על מחשבים אישיים, שרתים רגילים, ציוד תקשורת ומערכות רכב. אף שאלה אינם צורכים בהכרח HBM, כולם מתחרים על אספקת DRAM או NAND מתעשייה שהעדיפות הכלכלית שלה עברה למרכזי נתונים וללקוחות AI.

מפעל חדש אינו פתרון מיידי

יצרניות הזיכרון מגיבות בהשקעות של עשרות ומאות מיליארדי דולרים, אבל מפעלי שבבים אינם נבנים בתוך חודשים. Micron מסרה כי המפעל הראשון שהיא מקימה באיידהו יתחיל לייצר פרוסות רק באמצע 2027. החברה החלה גם בהקמת מתחם ייצור במדינת ניו יורק, אך תפוקה משמעותית ממנו צפויה רק בהמשך העשור. SK hynix מקדימה לפברואר 2027 את פתיחת החדר הנקי הראשון במפעל החדש שלה ביונגין שבדרום קוריאה.

גם לאחר השלמת המבנים נדרש זמן להתקנת הציוד, להרצת תהליכים ולהעלאת התפוקה התקינה. צוואר הבקבוק אינו מצוי רק בייצור פרוסות ה־DRAM: HBM תלוי גם בחיבור השבבים, בבדיקות וביכולות אריזה מתקדמת.

השוק עשוי כמובן להשתנות. תעשיית הזיכרונות ידועה במחזורים חריפים של מחסור ועודפי ייצור, והאטה בהשקעות ב־AI או הרחבת קיבולת מהירה מהצפוי יכולות להביא לתיקון מחירים. גם SK hynix מציינת אפשרות של לחץ על מחירי ה־HBM לאחר 2026 ככל שהתחרות והייצור יתרחבו.

אולם בטווח הקרוב, הפער בין קצב צמיחת הביקוש לבין הזמן הדרוש להוספת מפעלים מותיר מעט מרווח ביטחון. HBM הפך מרכיב אסטרטגי בתשתיות AI — ובאותו זמן הוא הפך את הזיכרון הרגיל לצוואר בקבוק המשפיע על חלק גדול מתעשיית האלקטרוניקה.

הפוסט בום ה־AI יוצר מחסור עולמי בזיכרונות — ומייקר גם טלפונים ומחשבים הופיע לראשונה ב-Chiportal.

TSMC ו־ASML הכריזו על יוזמה משותפת לפיתוח מסכות צילום בפורמט גדול עבור הדור החדש של מערכות הליתוגרפיה High-NA EUV. מטרת המהלך היא להסיר אחת המגבלות המרכזיות של הטכנולוגיה: היכולת להדפיס פרטים קטנים וצפופים יותר, אך רק על מחצית משטח השבב שאפשר לחשוף במערכות EUV מהדור הנוכחי.

המגבלה משמעותית במיוחד עבור מאיצי בינה מלאכותית ומעבדים למרכזי נתונים. שבבים של NVIDIA, גוגל וחברות אחרות מתקרבים לעיתים לגבול גודל הרשתית של מערכות הליתוגרפיה הקיימות — כ־800 מילימטרים רבועים. הדור הנוכחי של High-NA EUV מתקשה לחשוף שבב בגודל כזה במהלך יחיד.

רזולוציה גבוהה יותר, אבל שדה קטן יותר

מערכות EUV משתמשות באור באורך גל של 13.5 ננומטר כדי להעביר למסילת הסיליקון את הדפוסים המצויים על מסכת הצילום. במערכות NXE הנפוצות של ASML המפתח הנומרי הוא 0.33, ואילו במערכות EXE מסוג High-NA הוא הוגדל ל־0.55.

לפי הנתונים הטכניים של ASML, הגדלת המפתח הנומרי מאפשרת להגיע לרזולוציה של כ־8 ננומטר, לעומת כ־13 ננומטר במערכות EUV הקודמות. הדבר עשוי לאפשר הדפסת מבנים קטנים יותר בחשיפה יחידה, במקום שימוש בכמה חשיפות ובשלבי עיבוד נוספים.

אלא שהאופטיקה האנמורפית של מערכות High-NA מגדילה את דמות המסכה בשיעורים שונים בשני הצירים. כתוצאה מכך, שדה החשיפה קטן מהגודל המקובל של 26 על 33 מילימטרים לכ־26 על 16.5 מילימטרים. עבור מעבדים קטנים יחסית זו אינה בהכרח בעיה, אך שבבי AI גדולים עלולים לדרוש שתי חשיפות נפרדות וחיבור מדויק ביניהן בתהליך המכונה stitching.

החיבור מוסיף זמן, מורכבות וסיכון לשגיאות התאמה בין חלקי השבב. הוא גם פוגע בכדאיות הכלכלית של מערכות High-NA, שמחירן נאמד במאות מיליוני דולרים ליחידה.

מסכה גדולה במקום שתי מסכות

היוזמה החדשה מבקשת להחליף את מסכות ה־6 על 6 אינץ' המקובלות במסכות בפורמט גדול יותר. בתעשייה נבחנת מסכה בגודל 6 על 12 אינץ', שתוכל להכיל את מלוא הדפוס הנדרש לשדה חשיפה של 26 על 33 מילימטרים.

אם המהלך יצליח, ניתן יהיה להדפיס גם שבבים גדולים בחשיפה מלאה, במקום לפצל את הדפוס בין שתי מסכות ולחבר את התמונות על גבי הפרוסה. ASML מעריכה כי המעבר עשוי לשפר בכ־40% את פריון מערכות High-NA בהשוואה לשימוש בשתי מסכות.

ואולם, שינוי גודל המסכה מחייב התאמה של מערכת שלמה: מצעי המסכות, ציוד הכתיבה והבדיקה, שכבות ההגנה, מכלי ההובלה, מערכות הטיפול במסכה והרכיבים המכניים בתוך מכונת הליתוגרפיה. זו הסיבה שלוח הזמנים משתרע על פני שנים.

לפי הדיווח על תוכנית החברות, ASML מתכננת להדגים קו ניסוי המשתמש במסכות הגדולות ב־2031, ולהביא את הטכנולוגיה למוכנות לייצור המוני ב־2033.

High-NA כבר נכנסת למפעלים

המעבר למסכות הגדולות אינו תנאי להתחלת השימוש ב־High-NA. יצרניות השבבים יוכלו להפעיל את המערכות עם המסכות הקיימות, בעיקר בשכבות שבהן יתרון הרזולוציה מצדיק את העלות ואת שדה החשיפה המצומצם.

אינטל כבר משתמשת ב־High-NA בחלק משכבות תהליך Intel 18A. ביולי 2026 הודיעו אינטל ו־ASML כי שכבות מסוימות במעבדי Core Ultra Series 3, המוכרים בשם הקוד Panther Lake, הוסמכו לייצור הן באמצעות מערכות High-NA והן באמצעות מערכות NXE רגילות. ASML הדגישה כי מדובר בשכבות מסוימות ובחלק מהמוצרים, ולא בהעברת תהליך הייצור כולו לטכנולוגיה החדשה. לפי ASML, אינטל היא הראשונה ששילבה High-NA במוצר לוגי המיוצר בכמויות מסחריות.

TSMC מתכננת להכניס את High-NA לייצור המוני בצמתים מתקדמים החל מ־2030. סמסונג ו־SK hynix מכוונות להשתמש בטכנולוגיה בייצור זיכרונות DRAM החל מ־2028, אם כי לוחות הזמנים עשויים להשתנות בהתאם להבשלת הציוד ולעלות לכל פרוסה.

היוזמה למסכות הגדולות מראה כי עתיד הליתוגרפיה אינו תלוי רק בשיפור הרזולוציה. ככל שמעבדי AI נעשים גדולים יותר, היכולת לחשוף שטח גדול במהירות ובדיוק הופכת למרכיב מרכזי לא פחות מגודל הטרנזיסטורים. High-NA אמורה לאפשר את המשך מזעור המעגלים, ואילו המסכות החדשות נועדו להבטיח שהמזעור לא יבוא על חשבון גודל השבב ופריון המפעל.

הפוסט TSMC ו־ASML מקדמות מסכות גדולות לייצור שבבי AI ב־High-NA EUV הופיע לראשונה ב-Chiportal.

SK hynix הניחה את אבן הפינה למפעל הראשון שלה בארצות הברית לייצור, אריזה ובדיקות של זיכרונות HBM מהדור הבא. החברה מתכננת להשקיע במתקן בווסט לאפייט שבאינדיאנה יותר מ־4 מיליארד דולר ולהתחיל בייצור המוני במחצית השנייה של 2029.

המתקן לא יהיה מפעל מלא לייצור פרוסות סיליקון. הפרוסות המתקדמות ייוצרו במפעלי SK hynix בדרום קוריאה, יישלחו לאינדיאנה ושם יעברו את שלבי האריזה המתקדמת, הערמת שבבי הזיכרון והבדיקות.

החברה מתכננת להשלים את החדר הנקי עד אוקטובר 2028. בעת ההפעלה המסחרית צפויים לעבוד במתקן עצמו כאלף עובדים, ואילו החברה מעריכה כי הבנייה והפעילות התעשייתית שמסביבו ייצרו כ־7,000 משרות ישירות ועקיפות.

אריזה הפכה לצוואר בקבוק מרכזי

זיכרון HBM בנוי ממספר שבבי DRAM המוערמים זה על גבי זה ומחוברים בערוצים קצרים ורחבים. המבנה מאפשר להעביר כמויות גדולות של נתונים למאיצי AI במהירות גבוהה ובצריכת חשמל נמוכה יחסית.

ייצור ה־DRAM עצמו הוא רק חלק מהתהליך. הערמת השבבים, יצירת החיבורים האנכיים, בקרת החום והחיבור למאיץ דורשים תהליכי אריזה מורכבים. ככל שמספר השכבות והקיבולת גדלים, האריזה הופכת לאחד מצווארי הבקבוק החשובים בשרשרת האספקה.

המפעל באינדיאנה מיועד לדורות HBM שיגיעו אחרי HBM4. לפי דיווח רויטרס, החברה מתכננת להתחיל בו בייצור HBM4E ברבעון השלישי של 2029.

SK hynix העריכה כי המחסור ברכיבי זיכרון עלול להימשך עד 2030, על רקע הביקוש מצד אנבידיה, ספקיות הענן ומפתחי מודלים. החברה מחזיקה כיום בעמדה מובילה בשוק HBM, אך מתמודדת עם הרחבת הייצור של סמסונג ומיקרון.

מרכז פיתוח משותף עם אוניברסיטת פרדו

לצד קווי האריזה יוקם מרכז ניסויים למחקר ופיתוח. הוא ישמש את SK hynix, לקוחותיה, ספקים ואוניברסיטאות לפיתוח ולבדיקה של טכנולוגיות אריזה ואינטגרציית מערכות.

החברה חתמה עם אוניברסיטת פרדו על מזכר הבנות למחקר משותף בתחומי HBM, אריזה מתקדמת ושילוב מערכות. מיקומו של המפעל בסמוך לאוניברסיטה נועד גם להקל על גיוס מהנדסים וחוקרים.

יותר ממאה חברות נבחנות כספקיות אפשריות של חומרים, רכיבים וציוד למתקן. בכך מבקשת SK hynix לבנות סביב המפעל שרשרת אספקה מקומית ולא להסתמך רק על יבוא מאסיה.

סיוע במסגרת חוק השבבים

הפרויקט זכה להתחייבות למענקים של עד 458 מיליון דולר ולהלוואות פדרליות של עד 500 מיליון דולר במסגרת חוק השבבים האמריקני. מדינת אינדיאנה והרשויות המקומיות צפויות לספק הטבות נוספות.

למרות הכותרת „HBM מתוצרת ארצות הברית”, שלבי הייצור הקדמיים יישארו לפי שעה בדרום קוריאה. התרומה האמריקנית תתרכז בשלבים המתקדמים של האריזה והבדיקות, שהם בעלי חשיבות גדלה אך אינם מחליפים מפעל DRAM מלא.

המהלך ממחיש את ניסיונה של ארצות הברית להעביר אליה לא רק ייצור פרוסות, אלא גם את טכנולוגיות האריזה הדרושות למערכות AI. מבחינת SK hynix, הקרבה ללקוחות הגדולים בארצות הברית עשויה לקצר את שרשרת האספקה ולהעמיק את הקשר עם יצרניות המאיצים וספקיות הענן.

סוף הכתבה

מקורות:

הודעת SK hynix על המפעל באינדיאנה

דיווח רויטרס על ההשקעה והמחסור הצפוי בזיכרונות

שדות התמונה:

קישור לתמונה: בעמוד ההודעה של SK hynix מופיעה הדמיה רשמית של המפעל וכן צילום מטקס אבן הפינה.

כיתוב: הדמיית מפעל האריזה והבדיקות לזיכרונות HBM של SK hynix בווסט לאפייט, אינדיאנה. הדמיה: SK hynix

טקסט חלופי: הדמיה של מפעל SK hynix לאריזה מתקדמת של זיכרונות HBM באינדיאנה

שם הקובץ: sk-hynix-indiana-hbm-packaging-fab.jpg

הפוסט SK hynix החלה להקים בארה״ב מפעל אריזה לזיכרונות HBM בהשקעה של יותר מ־4 מיליארד דולר הופיע לראשונה ב-Chiportal.

דירקטוריון SK Hynix אישר השקעה של 54.3 טריליון וון, כ־38.3 מיליארד דולר, בהקמת ובהרחבת שני מפעלי שבבים בדרום קוריאה. ההשקעה תיפרס עד 2031 ותגדיל את כושר הייצור של זיכרונות DRAM,‏ HBM ו־NAND.

מתוך הסכום הכולל יושקעו 35.2 טריליון וון בשלב השני של מפעל החברה ביונגין, מדרום לסיאול. 19.1 טריליון וון נוספים יושקעו בהקמת מפעל M17 בצ'אונגג'ו.

המפעל החדש ביונגין, המכונה Y2, יהיה השני מתוך ארבעה מפעלי ייצור המתוכננים במתחם השבבים הגדול שמקימה החברה באזור. עבודות הבנייה אמורות להתחיל ביולי 2027, וחדר הייצור הנקי הראשון צפוי להיפתח ביוני 2029.

המפעל יתמקד בזיכרונות DRAM מתקדמים, ובהם זיכרונות HBM בעלי רוחב פס גבוה המשמשים מאיצי AI ושרתים. המפעל הראשון במתחם יונגין כבר נמצא בהקמה, וחדר הייצור הנקי הראשון בו צפוי להתחיל לפעול בפברואר 2027.

מפעל NAND חדש בצ'אונגג'ו

במקביל תקים SK Hynix את מפעל M17 בצ'אונגג'ו. הקמתו צפויה להתחיל בפברואר 2027, וחדר הייצור הראשון אמור להיפתח בדצמבר 2028.

מפעל זה יוקדש בעיקר לזיכרונות NAND, המשמשים לאחסון נתונים במחשבים, בטלפונים, במרכזי נתונים ובשרתי AI. הגידול בהיקף האימון וההרצה של מודלים מגדיל לא רק את הביקוש ל־HBM, אלא גם את הצורך במערכות אחסון מהירות ובעלות קיבולת גבוהה.

האישור הנוכחי הוא חלק מתוכנית רחבה בהרבה של SK Hynix. החברה מסרה ביוני כי בכוונתה להשקיע לאורך השנים כ־600 טריליון וון במתחם יונגין וכ־100 טריליון וון בהרחבת בסיס הייצור בצ'אונגג'ו.

ההשקעה הגדולה מבטאת את הערכת SK Hynix שהביקוש לזיכרונות עבור AI יישאר גבוה לאורך זמן. עם זאת, בשל משך ההקמה הארוך, מרבית הקיבולת החדשה לא תהיה זמינה לפני סוף העשור ולכן לא צפויה להקל מיד על מגבלות האספקה בשוק ה־HBM.

הפוסט SK Hynix תשקיע 38.3 מיליארד דולר בשני מפעלי זיכרונות חדשים בדרום קוריאה הופיע לראשונה ב-Chiportal.

המחסור העולמי בזיכרונות והחרפת המאבק הטכנולוגי בין ארה"ב לסין יוצרים שתי מגמות מנוגדות בשרשרת האספקה. מצד אחד, יצרניות מחשבים גדולות מתחילות לשלב רכיבי זיכרון סיניים כדי להבטיח את המשך הייצור. מצד אחר, ממשל טראמפ מכין מגבלות חדשות על הכנסת ציוד סיני לתשתיות מרכזי הנתונים שעליהן נשען גל הבינה המלאכותית.

לפי דיווח של Nikkei Asia שהובא ב־Tom’s Hardware, HP, אסוס ואייסר החלו להשתמש בכמויות קטנות של שבבי DRAM מתוצרת חברת ChangXin Memory Technologies הסינית, המוכרת בראשי התיבות CXMT. הרכיבים משולבים בשלב זה במספר מוגבל של דגמי מחשבים ניידים שאינם מיועדים לשוק האמריקני.

הדיווח טרם אושר רשמית בידי החברות. אייסר מסרה כי אינה מפרסמת את זהות ספקיה, אך ציינה שהיא עובדת עם כמה יצרנים וספקים כדי לשפר את עמידות שרשרת האספקה ולהתאים את פעילותה לשינויים במחירי הרכיבים. החברה לא הכחישה במפורש את השימוש בזיכרונות CXMT.

המעבר משלב הבדיקה לשימוש מסחרי מוגבל

כבר בפברואר דווח כי HP, דל, אסוס ואייסר בוחנות זיכרונות מתוצרת CXMT. באותה עת העריכה HP כי תתחיל להשתמש בהם בשווקים שמחוץ לארה"ב אם המחסור יימשך והמחירים יוסיפו לעלות. דל החלה גם היא בתהליך הסמכה של רכיבי החברה הסינית, ואילו אסוס ואייסר פנו לשותפות הייצור שלהן בסין כדי לבחון אפשרויות רכש מקומיות. רויטרס הדגישה אז כי לא הצליחה לאמת עצמאית את הדיווח.

הדיווח החדש מצביע על מעבר מהסמכה ובדיקות לשימוש מסחרי, אם כי בהיקף קטן. HP, אסוס ואייסר נוקטות זהירות הן בשל הסיכון הרגולטורי והן כדי שלא לפגוע ביחסיהן עם שלוש ספקיות הזיכרון הגדולות – סמסונג אלקטרוניקס, SK Hynix ומיקרון.

המהלך אינו נובע בהכרח מיתרון במחיר. גורם שצוטט בדיווח טען כי רכיבי ה־DRAM של CXMT אינם זולים יותר באופן מובהק מאלה של סמסונג. נראה אפוא שהמטרה המרכזית היא הוספת מקור אספקה רביעי בתקופה שבה השגת הרכיבים עצמם נעשתה חשובה לא פחות ממחירם.

הקמת תשתיות AI הגדילה מאוד את הביקוש לזיכרונות HBM ולזיכרונות שרתים. יצרניות הזיכרון הגדולות מפנות אליהם השקעות וכושר ייצור, בין היתר משום ששולי הרווח בתחום גבוהים יותר. כתוצאה מכך מצטמצמת זמינותם של שבבי DRAM למחשבים אישיים ולמוצרי צריכה אחרים.

CXMT מופיעה ברשימת חברות שלדעת משרד ההגנה האמריקני קשורות לצבא הסיני. ההכללה ברשימה אינה כשלעצמה איסור גורף על רכישת מוצריה, אך היא מגדילה את הסיכון שממשל ארה"ב יטיל עליה בעתיד מגבלות נוספות. מחוקקים אמריקנים כבר קראו להחמיר את ההגבלות על הכנסת שבבי זיכרון סיניים לשרשרת האספקה.

ה־FCC מכוונת למקמ"שים האופטיים

במקביל לפניית יצרניות המחשבים לזיכרונות סיניים, ממשל טראמפ מגבש איסור על יבוא דגמים חדשים של רכיבים סיניים למרכזי נתונים בארה"ב. לפי דיווח רויטרס, רשות התקשורת הפדרלית, ה־FCC, עובדת על הגבלה שתתמקד בשלב הראשון במקמ"שים אופטיים סיניים.

מקמ"שים אופטיים ממירים אותות חשמליים לאור ובחזרה ומאפשרים העברת כמויות גדולות של מידע דרך סיבים אופטיים בתוך מרכזי נתונים וביניהם. הם רכיב מרכזי באשכולות מחשוב המבוססים על אלפי מאיצי AI, שבהם קצב התקשורת בין השרתים משפיע ישירות על ביצועי המערכת.

ארבעה מקורות מסרו לרויטרס כי הממשל מעוניין לפרסם את המהלך עוד במהלך 2026, אך הדגישו כי ההצעה עדיין עשויה להשתנות או להיגנז. הבית הלבן וה־FCC לא הגיבו לדיווח.

הנימוק הרשמי למהלך הוא חשש שרכיבים של חברות סיניות יאפשרו גניבת מידע, החדרת תוכנה זדונית או שיבוש הפעילות במרכזי נתונים. בשלב זה לא פורסמו הוכחות שלפיהן מקמ"שים מסוימים שימשו בפועל לפעולות כאלה. מטרת הממשל היא למנוע מצב שבו רכיבים סיניים נעשים חלק עמוק וקשה להחלפה בתשתיות האמריקניות.

Innolight במוקד, הספקיות האמריקניות עשויות ליהנות

אחת הנפגעות המרכזיות האפשריות היא Zhongji Innolight הסינית, המחזיקה לפי Counterpoint Research בכ־27% מהשוק העולמי של מקמ"שים למרכזי נתונים. החברה צורפה ביוני לרשימת החברות שלטענת הפנטגון נתמכות בידי הצבא הסיני.

הידיעה גרמה לירידות חדות במניות יצרניות הציוד האופטי בסין. מניות Innolight ו־Eoptolink איבדו כ־10%, ואילו מניית Suzhou TFC Optical Communications ירדה בכ־6%. מנגד, לאחר פרסום הידיעה עלו מניות היצרניות האמריקניות Lumentum, Coherent ו־Applied Optoelectronics.

עם זאת, יכולתן של היצרניות האמריקניות להחליף במהירות את הספקיות הסיניות מוגבלת. לפי הערכה שצוטטה ברויטרס, Coherent ו־Lumentum מחזיקות בטכנולוגיות מתחרות אך עדיין אינן פועלות בהיקף שיאפשר להן להחליף לבדן את היצרנים הסיניים. מגבלה כזאת עלולה להעלות את עלויות הקמתם של מרכזי נתונים עבור חברות ענן דוגמת AWS.

לא סתירה, אלא שתי שרשראות אספקה

שני המהלכים אינם מתייחסים לאותו מוצר או לאותו שוק. יצרניות המחשבים משלבות זיכרונות DRAM סיניים במחשבים המיועדים מחוץ לארה"ב, ואילו ההצעה האמריקנית עוסקת בציוד תקשורת אופטי במרכזי נתונים בתוך ארה"ב.

עם זאת, יחד הם ממחישים את המתח המתרחב בין צורכי התעשייה למדיניות הממשלתית. המחסור דוחף חברות להרחיב את מספר הספקים ולהשתמש בכושר הייצור הסיני, בעוד שיקולי ביטחון לאומי דוחפים את ארה"ב להקים שרשרת אספקה נפרדת לתשתיותיה הרגישות ביותר.

התוצאה עשויה להיות פיצול גובר של שוק הרכיבים: מוצרים הכוללים שבבים סיניים עבור אסיה, אירופה ושווקים נוספים, לצד דגמים ושרשראות ייצור נפרדות המותאמות לדרישות הרגולטוריות בארה"ב. פיצול כזה משפר לעיתים את עמידות האספקה, אך גם מגדיל את עלויות הבדיקות, ההסמכה, ניהול המלאי והייצור.

הפוסט יצרניות המחשבים פונות לזיכרונות סיניים – וארה״ב נערכת לחסום ציוד סיני במרכזי נתונים הופיע לראשונה ב-Chiportal.

יצרנית הזיכרונות הסינית CXMT שוקלת להקים מפעל DRAM נוסף בבייג׳ינג, כחלק מתוכנית התרחבות רחבה שנועדה לצמצם את הפער בינה לבין סמסונג, SK Hynix ומיקרון. לפי דיווח של רויטרס, החברה מנהלת מגעים ראשוניים עם גופים הנתמכים בידי הממשל המקומי למימון הפרויקט.

המפעל המתוכנן יוקם באזור התעשייה ייז׳ואנג, כ־20 קילומטרים מדרום־מזרח למרכז בייג׳ינג, שבו כבר מפעילה CXMT מפעל לייצור זיכרונות DRAM על גבי פרוסות בקוטר 300 מ״מ. בשלב זה לא פורסמו כושר הייצור המתוכנן או היקף ההשקעה הכולל, ו־CXMT ועיריית בייג׳ינג לא אישרו את הדיווח.

החברה מבקשת תמיכה של לפחות 60 מיליון יואן, כ־8.9 מיליון דולר, מרשות הפיתוח של האזור. חברות טכנולוגיה ממשלתיות נוספות הביעו עניין בהשתתפות במימון. סכום זה הוא רק חלק קטן מהעלות האפשרית: הקמת מפעל מתקדם לייצור זיכרונות DRAM עשויה לעלות יותר מעשרה מיליארד דולר.

CXMT מפעילה כיום שלושה מפעלי DRAM – שניים בחפיי ואחד בבייג׳ינג – שכושר הייצור של כל אחד מהם נאמד בכ־100 אלף פרוסות בחודש. החברה מקדמת גם מפעלים חדשים בשנגחאי ובחפיי. אם הפרויקטים הללו יושלמו, כושר הייצור הכולל שלה עשוי לעלות ליותר מ־600 אלף פרוסות בחודש, יותר מכפליים מרמתו הנוכחית.

תוכנית ההתרחבות מגיעה לאחר ש־CXMT השלימה ביולי הנפקה בהיקף של 8.6 מיליארד דולר – הנפקת השבבים הגדולה שנרשמה עד כה בסין היבשתית. ההון שגויס מעניק לחברה יכולת לממן הרחבת מפעלים בתקופה שבה הביקוש לזיכרונות מתחזק בעקבות הקמת מרכזי נתונים ומערכות בינה מלאכותית.

למרות קצב הצמיחה, CXMT עדיין רחוקה משלוש יצרניות הזיכרונות הגדולות בעולם. לפי נתוני Counterpoint Research, סמסונג, SK Hynix ומיקרון החזיקו יחד בכמעט 90% משוק ה־DRAM העולמי ברבעון הראשון של 2026. CXMT מדורגת במקום הרביעי, אך מעמדה בשוק הסיני התחזק והיא הפכה לספקית מרכזית עבור יצרניות מקומיות, ובהן וואווי.

התרחבות החברה משתלבת במדיניות הסינית להפחתת התלות בטכנולוגיות ובספקים זרים. מגבלות היצוא האמריקניות על ציוד לייצור שבבים ותוכנות תכנון האיצו את השקעותיה של בייג׳ינג בשרשרת אספקה מקומית, מזיכרונות ומעבדים ועד ציוד וחומרים.

הצמיחה של CXMT נשענה במידה רבה על מה שמכונה בסין „מודל חפיי”: שילוב של השקעות ממשלתיות, תשתיות ותמריצים מקומיים שנועדו לטפח חברות טכנולוגיה אסטרטגיות. כעת מתחרות גם בייג׳ינג ושנגחאי על חלק גדול יותר בהתרחבות החברה.

עם זאת, המפעל הנוסף בבייג׳ינג עדיין אינו פרויקט מאושר. שיחות המימון נמצאות בשלב מוקדם, והמבנה והיקף התמיכה עשויים להשתנות. אם התוכנית תצא לפועל לצד המפעלים האחרים, היא תחזק את CXMT כמתחרה משמעותית יותר בשוק הזיכרונות ותגדיל את יכולתה של סין לספק DRAM מתוצרת מקומית.

הפוסט סין מאיצה את מרוץ הזיכרונות: CXMT שוקלת להקים מפעל DRAM נוסף בבייג׳ינג הופיע לראשונה ב-Chiportal.