TSMC דיווחה ב־15 באוקטובר כי תהליך הייצור ב־2 ננומטר הניב 8% מהכנסותיה ממכירת פרוסות ברבעון השלישי של 2026. תהליך 3 ננומטר תרם 33%, ו־5 ננומטר תרם 28%. יחד היו שלושת הדורות אחראים ל־69% מהכנסות הפרוסות.

הנתונים מצביעים על התרחבות המשקל המסחרי של הדור החדש בתמהיל הייצור. הנתון של 8% מתייחס להכנסות מפרוסות, ואינו מציין את חלקן של פרוסות 2 ננומטר במספר הפרוסות שיוצרו או בכלל הכנסות החברה.

ההכנסות הרבעוניות הסתכמו ב־46.72 מיליארד דולר, עלייה של 41.2% לעומת הרבעון המקביל ושל 16.2% לעומת הרבעון הקודם. במטבע המקומי נרשמו הכנסות של כ־1.494 טריליון דולר טאיוואני ועלייה שנתית של 50.9%. ההבדל בין שיעורי הצמיחה משקף את השפעת שערי החליפין.

הרווח הנקי הסתכם בכ־763.06 מיליארד דולר טאיוואני, עלייה שנתית של 68.7%. שיעור הרווח הגולמי עמד על 66.4%, ושיעור הרווח התפעולי הגיע ל־58.7%.

סמנכ״ל הכספים ונדל הואנג מסר כי הביקוש לתהליכי הייצור המתקדמים תמך בתוצאות הרבעון. לדבריו, החברה מצפה להמשך ביקוש חזק ברבעון הרביעי, לצד האצה בהיקפי הייצור ב־2 ננומטר.

תחזית ההכנסות לרבעון הרביעי עומדת על 52.3–54.3 מיליארד דולר, עם שיעור רווח גולמי של 65%–67%.

עבור חברות תכנון השבבים, תמהיל ההכנסות מספק אינדיקציה לקצב האימוץ המסחרי של התהליכים החדשים. עם זאת, הוא אינו חושף את חלוקת הקיבולת בין הלקוחות או את שיעור השבבים התקינים המתקבלים בכל תהליך.

הפוסט TSMC: תהליך 2 ננומטר הגיע ל־8% מהכנסות הפרוסות ברבעון השלישי הופיע לראשונה ב-Chiportal.

חברת אפלייד מטיריאלס (Applied Materials) חשפה ב־12 באוקטובר את מרכז המחקר והפיתוח EPIC בסאניווייל, קליפורניה. החברה מתכננת השקעה מצטברת של כ־5 מיליארד דולר במרכז, שתגדל בהדרגה עם תחילת פעילותם של פרויקטים משותפים ללקוחותיה.

מרכז EPIC, ששמו המלא Equipment and Process Innovation and Commercialization, הוקם כדי לשנות את אופן הפיתוח של טכנולוגיות לייצור שבבים. במקום לבצע בנפרד מחקר בחומרים, פיתוח ציוד ובדיקות התאמה לייצור המוני, המרכז יאפשר ליצרניות שבבים ולספקיות ציוד לבצע את השלבים הללו במקביל.

המבנה משתרע על שטח של כ־55,700 מ"ר, מהם כ־16 אלף מ"ר של חדרים נקיים מתקדמים. לדברי אפלייד, זהו המתקן הגדול מסוגו בעולם למחקר משותף של ציוד ותהליכי ייצור מוליכים למחצה.

עם השותפות המייסדות נמנות TSMC, אינטל, סמסונג אלקטרוניקס, מיקרון ו־SK hynix. שותפות נוספות כוללות את ברודקום, KIOXIA, Advantest, SCREEN ו־Besi. גם אוניברסיטאות סטנפורד וברקלי, UCLA ומוסדות מחקר נוספים משתתפים בתוכנית.

הצורך בשיתוף פעולה כזה גובר ככל שמבני הטרנזיסטורים, הזיכרונות והאריזות התלת־ממדיות נעשים מורכבים יותר. בתהליכי ייצור ברמה האטומית, שינוי בחומר או בממשק שבין שכבות עשוי להשפיע על הביצועים, צריכת החשמל ותפוקת הייצור.

חשיפת המרכז מסמנת את המעבר משיתופי פעולה נקודתיים בין ספק ציוד ליצרן שבבים למודל של פיתוח משותף ורציף. עם זאת, הצלחת המודל תימדד ביכולתו לקצר בפועל את מחזורי הפיתוח ולהביא טכנולוגיות חדשות לייצור מסחרי.

הפוסט אפלייד מטיריאלס חשפה את מרכז EPIC בהשקעה מתוכננת של 5 מיליארד דולר הופיע לראשונה ב-Chiportal.

אילון מאסק ניסה לשים קץ לאי-הוודאות סביב מבנה פרויקט Terafab והבהיר כי החברות שבשליטתו הן שיבנו ויפעילו את מפעל השבבים המתוכנן בטקסס. לדבריו, TSMC אינה צפויה לקבל לידיה את ניהול המפעל, אף שהאפשרות שהחברה הטייוואנית תשכור חלק מהמתחם עדיין נבחנת.

ההבהרה באה לאחר שמאסק אישר כי מתקיימות שיחות עם TSMC בנוגע לשיתוף פעולה אפשרי. השיחות עוררו שאלות לגבי מעמדה של אינטל בפרויקט, שנבחרה קודם לכן כשותפה טכנולוגית.

מנכ"ל אינטל, ליפ-בו טאן, הבהיר מצדו כי אינטל תמשיך לעבוד עם Terafab. אינטל אמורה לתרום לפרויקט באמצעות טכנולוגיית הייצור המתקדמת שלה, והמשך מעורבותה חשוב במיוחד למאמצי החברה להפוך את Intel Foundry לספקית ייצור משמעותית גם עבור לקוחות חיצוניים.

Terafab הוא פרויקט שמקדמות Tesla ו-SpaceX במטרה להקים בארה"ב יכולת ייצור שבבים שתשרת את צורכי הבינה המלאכותית, הרובוטיקה והמערכות האוטונומיות של קבוצת החברות של מאסק.

ההתפתחות מדגישה את התחרות ההולכת וגוברת על קיבולת ייצור מתקדמת בארצות הברית. מצד אחד אינטל מנסה להרחיב את פעילות ה-Foundry שלה ולבסס לקוחות חיצוניים; מצד שני TSMC ממשיכה להגדיל את נוכחות הייצור שלה בארה"ב. Terafab עשוי להפוך ללקוח משמעותי – ואף לשחקן ייצור עצמאי – בתוך המערכת הזו.

בשלב זה עדיין לא פורסם הסכם מחייב עם TSMC, ומאסק הדגיש כי גם במקרה של שיתוף פעולה, החברה הטייוואנית לא תהיה המפעילה של Terafab.

הפוסט מאסק: TSMC לא תנהל את Terafab; אינטל תישאר שותפה בפרויקט הופיע לראשונה ב-Chiportal.

AMD מתכננת להגדיל באופן משמעותי את היקף אספקת השבבים שלה במהלך 2027, על רקע המשך הביקוש הגבוה למאיצי בינה מלאכותית ולמעבדים למרכזי נתונים. במקביל, החברה ממשיכה לבחון אפשרות להשתמש גם בשירותי הייצור של Samsung Foundry.

מנכ"לית AMD, ליסה סו, אמרה במהלך ביקור באסיה כי החברה כבר הגדילה את האספקה לאורך 2026, אך מתכננת הרחבה משמעותית נוספת בשנה הבאה. לדבריה, AMD מתכננת את צורכי הקיבולת שלה לטווח של שלוש עד חמש שנים, משום שהיא צופה ביקוש גבוה מאוד למוצריה בשנים הקרובות.

במהלך ביקורה בטייוואן נפגשה סו עם ספקים ובהם פוקסקון, וקיימה שיחות גם עם TSMC בנוגע להרחבת קיבולת הייצור של מעבדי CPU ו-GPU. לאחר מכן המשיכה לדרום קוריאה, שם נפגשה עם SK Hynix וקיימה שיחות עם סמסונג.

אחת הסוגיות המרכזיות היא זמינות הזיכרונות, ובפרט הזיכרונות המתקדמים הדרושים למערכות AI. סו הדגישה כי AMD תלויה במידה רבה בשרשרת האספקה הקוריאנית וכי סמסונג ו-SK Hynix הן שותפות מרכזיות במימוש תוכניות החברה בתחום מרכזי הנתונים.

AMD וסמסונג כבר חתמו במרץ על מזכר הבנות להרחבת שיתוף הפעולה בתחום הזיכרונות עבור תשתיות בינה מלאכותית. במסגרת זו הסכימו שתי החברות גם לבחון שיתוף פעולה בתחום ה-Foundry, שבמסגרתו עשויה סמסונג לייצר בעתיד שבבים מתקדמים עבור AMD.

בשלב זה לא הוכרז על חוזה ייצור מחייב עם Samsung Foundry, אולם עצם המשך השיחות מצביע על רצונה של AMD להרחיב ולגוון את מקורות הייצור שלה בתקופה שבה קיבולת הייצור המתקדמת והזיכרונות הפכו לאחד מצווארי הבקבוק המרכזיים של שוק ה-AI.

הפוסט AMD נערכת להגדלה משמעותית של אספקת השבבים ב-2027 ובוחנת ייצור אצל סמסונג הופיע לראשונה ב-Chiportal.

TSMC בוחנת השקעה אפשרית בטקסס להרחבת ייצור השבבים בארצות הברית, כך דיווחה רויטרס ב־30 בספטמבר מפי שני מקורות. לפי הדיווח, התוכניות טרם גובשו סופית והחברה לא הגיבה לפניית הסוכנות בעת פרסומו.

הבדיקה בטקסס מתרחשת בזמן ש־TSMC מקדמת הרחבה נרחבת באריזונה. בהודעה שפרסמה עיריית פיניקס ביולי נמסר כי החברה מתכננת להשקיע 100 מיליארד דולר נוספים במדינה, ולהקים ארבעה מפעלי ייצור נוספים בטכנולוגיית 2 ננומטר או בטכנולוגיות מתקדמות יותר. בכך עלה היקף ההשקעה המתוכנן באריזונה ל־265 מיליארד דולר, במסגרת תוכנית הכוללת 12 מתקנים.

לפי אותה הודעה, המפעל הראשון באריזונה נמצא בייצור בהיקף מסחרי בטכנולוגיית N4 מאז סוף 2024, עם שיעורי תפוקה תקינה הדומים לאלה שבמפעלי החברה בטייוואן. בניית המפעל השני, המיועד לייצור בטכנולוגיית 3 ננומטר, הושלמה, והייצור בו צפוי להתחיל ב־2027.

עוד נמסר ביולי כי עם השלמת המפעלים שעליהם הוכרז, כ־30% מכושר הייצור של TSMC בטכנולוגיות 2 ננומטר ומתקדמות יותר יהיו באריזונה. הנתון מתייחס לכושר ייצור עתידי, ולא לחלוקת הייצור בפועל כיום.

אם תבשיל השקעה נוספת בטקסס, היא עשויה להרחיב את הפריסה הגאוגרפית של מערך הייצור האמריקני של TSMC. מבחינת התעשייה, השאלה הבאה תהיה כיצד יתורגמו תוכניות ההשקעה לקיבולת זמינה: באילו תהליכי ייצור, עבור אילו לקוחות ובאיזה לוח זמנים. שאלות אלה יוכלו להיבחן כאשר יפורסמו פרטי תוכנית קונקרטית.

הפוסט דיווח: TSMC בוחנת השקעה בטקסס להרחבת ייצור השבבים בארה״ב הופיע לראשונה ב-Chiportal.

תהליך הייצור Intel 14A עשוי להפוך בשנים הקרובות לאחת מזירות התחרות החשובות ביותר בתעשיית השבבים. לפי דיווח שהתבסס על ניתוח של Piper Sandler, שמונה חברות – Amazon, Apple, AMD, Google, Tesla, Microsoft, Nvidia ו-Qualcomm – בוחנות את האפשרות לייצר שבבים בתהליך הדור הבא של Intel Foundry. בשלב זה אף אחת מהחברות לא הכריזה על התחייבות לייצור מסחרי. TechSpot

עבור אינטל, עצם ההתעניינות היא משמעותית. החברה מנסה כבר שנים להפוך את חטיבת הייצור שלה לספקית foundry אמיתית המתחרה ב-TSMC וב-Samsung, ולא רק למפעל המשרת את מוצריה שלה. 14A הוא התהליך הראשון שאינטל תכננה מלכתחילה תוך התמקדות בלקוחות חיצוניים, והחברה עצמה הזהירה בעבר כי אם לא תצליח להשיג לקוח חיצוני גדול, ייתכן שהמשך ההשקעה בדורות שאחרי 18A לא יהיה כלכלי. Intel

אינטל: 14A יהיה קרוב מאוד ל-TSMC A14

נאגה צ'נדרסקראן, מנהל הטכנולוגיה והתפעול של Intel Foundry, אמר לאחרונה כי אינטל מעריכה שביצועי 14A יהיו "בטווח של 5%" מאלה של תהליך A14 של TSMC. הניסוח אינו קובע מי מהשניים יהיה מהיר יותר, אך הוא ממקם את שני התהליכים באותה קטגוריית ביצועים. Tom's Hardware

לפי נתוני אינטל, 14A אמור לספק שיפור של 15%–20% בביצועים באותה צריכת חשמל לעומת 18A, או הפחתה של 25%–35% בצריכת החשמל באותה רמת ביצועים, לצד שיפור של עד 30% בצפיפות. התהליך ישתמש בדור השני של טרנזיסטורי RibbonFET ובמערכת PowerDirect להזנת חשמל מהצד האחורי של הפרוסה. אינטל

14A גם מיועד להיות אחד מתהליכי הלוגיקה הראשונים שישתמשו באופן נרחב בליתוגרפיית High-NA EUV – הדור הבא של מערכות EUV של ASML. בכך אינטל מנסה לא רק להשוות את ביצועי TSMC, אלא גם לבנות תהליך שיהיה אטרקטיבי ללקוחות HPC ו-AI עתירי ביצועים. Intel

המבחן האמיתי: האם אחת הענקיות תחתום

הרשימה המדווחת מרשימה במיוחד משום שהיא כוללת כמה מהלקוחות הגדולים ביותר של TSMC כיום. Nvidia, AMD, Apple ו-Qualcomm לבדן מייצגות נפח עצום של שבבי מחשוב ומובייל מתקדמים.

עם זאת, בדיקה של תהליך אינה שקולה להזמנת ייצור. חברות שבבים גדולות נוהגות לבחון במקביל כמה טכנולוגיות ייצור ולבצע porting של בלוקים, בדיקות PDK והערכות PPA עוד לפני החלטה מסחרית.

אינטל עצמה דיווחה בדוחותיה כי היא "מעורבת באופן פעיל עם מספר לקוחות חיצוניים פוטנציאליים" וצפתה כי החלטות לגבי 14A יתחילו להתקבל במחצית השנייה של 2026 ובמחצית הראשונה של 2027. Intel

לכן, עבור Intel Foundry, האירוע שישנה באמת את התמונה לא יהיה עוד לקוח שבוחן את התהליך – אלא חתימה של לפחות לקוח עוגן אחד על ייצור בהיקפים משמעותיים.

14A הוא גם מבחן לעתיד מפעלי אינטל

ההימור של אינטל על 14A הוא לא רק טכנולוגי. פיתוח תהליך מתקדם והקמת כושר ייצור עבורו דורשים השקעות של עשרות מיליארדי דולרים. החברה כבר הבהירה שהיקף הרחבת המפעלים יהיה תלוי ישירות בכמות ההזמנות המחייבות שתצליח להשיג. Intel

אם אפילו חלק מהחברות שמדווחות כעת כמי שבוחנות את 14A יהפכו ללקוחות, הדבר עשוי לתת ל-Intel Foundry את מה שחסר לה מאז הקמתה במתכונתה הנוכחית: נפחי ייצור חיצוניים גדולים שיכולים להצדיק את ההשקעה בדורות הבאים.

אם, לעומת זאת, הלקוחות ימשיכו לבחור ב-TSMC, אינטל תעמוד שוב בפני השאלה הקשה האם היא יכולה להמשיך לממן לבדה את המרוץ לדורות הייצור המתקדמים ביותר.

הפוסט דיווח: Nvidia, Apple, AMD וחמש ענקיות נוספות בוחנות ייצור ב-Intel 14A הופיע לראשונה ב-Chiportal.

יצרניות השבבים הגדולות בעולם מתקדמות לקראת אימוץ רחב של מערכות הליתוגרפיה High-NA EUV של ASML, מהלך שעשוי לחזק עוד יותר את מעמדה של החברה ההולנדית כספקית קריטית לתהליכי הייצור המתקדמים ביותר בתעשיית השבבים.

מערכות High-NA הן הדור הבא של ליתוגרפיית EUV. הן מגדילות את המפתח הנומרי (Numerical Aperture) של המערכת מ־0.33 במכונות EUV הנוכחיות ל־0.55. השינוי מאפשר לשפר את הרזולוציה ולהדפיס מבנים הקטנים בכ־40% מאלה שאפשר להדפיס באמצעות מערכות EUV מהדור הנוכחי.

המחיר גבוה במיוחד – כ־400 מיליון דולר למערכת – ובשנים האחרונות נשמעו בתעשייה ספקות לגבי הקצב שבו יצרניות השבבים יאמצו את הטכנולוגיה. כעת מסתמן כי החברות המובילות מתכנסות בהדרגה לעבר High-NA, אם כי לוחות הזמנים שלהן שונים.

אינטל כבר מייצרת באמצעות High-NA

אינטל היא החלוצה באימוץ הטכנולוגיה. החברה קיבלה את מערכת ה־High-NA המסחרית הראשונה כבר ב־2024, וכיום משתמשת בה במסגרת תהליך Intel 18A.

לדברי ASML ואינטל, יותר ממיליון פרוסות סיליקון כבר עברו במערכות High-NA במסגרת הסמכת הציוד, מחקר ופיתוח וכן ייצור בנפח גבוה. הטכנולוגיה משמשת בשכבות מסוימות של חלק ממעבדי Core Ultra Series 3, הידועים בשם הקוד Panther Lake.

החברות דיווחו כי התפוקה, זמינות המערכות ודיוק ההתאמה בין שכבות עומדים בציפיות.

סמסונג מכוונת ל־2028

סמסונג הודיעה כי בכוונתה להכניס את High-NA EUV לייצור המוני של שבבי DRAM עתידיים ב־2028. אם התוכנית תתממש, תהיה זו הפעם הראשונה שבה High-NA ישמש לייצור המוני של זיכרונות DRAM.

היכולת להדפיס מבנים קטנים יותר עשויה לאפשר לסמסונג להמשיך בצמצום ממדי תאי הזיכרון ובמקביל לפשט חלק משלבי הייצור.

גם SK hynix נערכת לשימוש בטכנולוגיה בדורות עתידיים של זיכרונות.

TSMC תצטרף מאוחר יותר

TSMC נוקטת לוח זמנים שמרני יותר. החברה הודיעה כי היא מתכננת להכניס את מערכות High-NA לייצור המוני בצמתים מתקדמים החל מ־2030.

ככל שארכיטקטורות הטרנזיסטורים נעשות מורכבות יותר, ובמיוחד בשבבים המיועדים ליישומי בינה מלאכותית, TSMC מעריכה שמספר השכבות שבהן יהיה צורך ב־High-NA יגדל.

העובדה ש־TSMC אינה ממהרת להשתמש בטכנולוגיה אינה יוצאת דופן. יצרנית השבבים הטייוואנית נוהגת לאמץ טכנולוגיות ייצור חדשות כאשר היא סבורה שהן מספקות יתרון כלכלי ברור בייצור המוני.

האתגר הבא: מסכות גדולות יותר

ל־High-NA יש גם מגבלה. המערכת האופטית החדשה מקטינה את שטח החשיפה היחיד על פרוסת הסיליקון. הדבר מקשה במיוחד על ייצור שבבים גדולים, כגון מאיצי AI למרכזי נתונים.

כדי להתמודד עם הבעיה מובילות ASML ו־TSMC יוזמה למעבר ממסכות הפוטוליתוגרפיה הקיימות בגודל 6 אינץ' למסכות גדולות יותר בגודל 12 אינץ'.

התוכנית היא להקים קו ניסיוני למסכות החדשות עד 2031 ולהגיע למוכנות של מערכות ליתוגרפיה המתאימות להן לייצור בצמתים מתקדמים ב־2033.

סמסונג כבר הודיעה כי תצטרף ליוזמה, ואינטל פועלת גם היא עם ASML ועם חברות נוספות באקוסיסטם לקידום מסכות גדולות יותר.

ASML נשארת בצומת קריטי של תעשיית השבבים

המעבר ל־High-NA מדגיש מחדש את התלות של תעשיית השבבים ב־ASML. החברה היא הספקית היחידה בעולם של מערכות EUV מסחריות לייצור שבבים מתקדם, והדור החדש מעלה עוד יותר את הרף הטכנולוגי וההוני הנדרש כדי להתחרות בתחום.

הביקוש אינו מוגבל ל־High-NA. לפי דיווח נוסף שפורסם היום, ASML בוחנת כיצד להגדיל את יכולת הייצור שלה ליותר מ־110 מערכות EUV בשנת 2028, בעקבות הביקוש הגובר מצד יצרניות שבבים המרחיבות קיבולת עבור שוק הבינה המלאכותית.

החברה כבר כמעט מלאה בהזמנות לשנת 2027 ומתכננת להגדיל את כושר הייצור שלה כדי לענות על הביקוש בשנים הבאות.

ההתכנסות של אינטל, סמסונג, SK hynix ו־TSMC סביב High-NA מצביעה על כך שהשאלה בתעשייה עוברת בהדרגה מ"האם להשתמש בטכנולוגיה" ל"מתי ובאילו שכבות כדאי להשתמש בה".

הפוסט ASML מחזקת את שליטתה בליתוגרפיה: ענקיות השבבים נערכות לעידן ה־High-NA EUV הופיע לראשונה ב-Chiportal.

חברת סיוה (Ceva) ו־LG Electronics הודיעו על שיתוף פעולה לפיתוח פתרון מלא בטכנולוגיית Ultra-Wideband – UWB, המיועד לשילוב במערכות על שבב (SoC) עבור שוקי הרכב, התעשייה והמוצרים הצרכניים.

הפתרון משלב את פלטפורמת Ceva-Waves UWB של סיוה, הכוללת קניין רוחני ל־Baseband ותוכנה, עם טכנולוגיית RF ל־UWB שפיתח מרכז ה־SoC של LG. רכיב ה־RF של LG תומך בתהליך ייצור של 22 ננומטר של TSMC. לדברי החברות, השילוב יאפשר ליצרניות שבבים לקבל תשתית מוכנה יותר לשילוב UWB בתוך שבבים, ובכך לצמצם את עבודת הפיתוח ואת סיכוני האינטגרציה. (Ceva)

לשיתוף הפעולה כבר יש לקוח ראשון. החברות מסרו כי חברת שבבים אמריקנית גדולה בחרה בפתרון המשותף, אך לא חשפו את שמה או פרטים כספיים על ההתקשרות.

מעבר ממפתחות דיגיטליים לחישה ומיקום

טכנולוגיית UWB מוכרת כיום בעיקר מיישומים הדורשים מדידת מרחק ומיקום מדויקים, ובהם מפתחות דיגיטליים לרכב ותגי איתור. ואולם הדור החדש של הטכנולוגיה מיועד להרחיב את השימוש בה גם ליישומי רכב, תעשייה ומערכות ארגוניות.

פלטפורמת Ceva-Waves UWB החדשה תומכת בתקן IEEE 802.15.4ab ומיועדת, לדברי סיוה, לאפשר מדידת מרחק גם כאשר אין קו ראייה ישיר בין המכשירים ובטווחים גדולים יותר, תוך צריכת הספק נמוכה ועמידות להפרעות. היא תומכת גם בחישת מכ"ם באמצעות UWB. (Ceva)

יישומים אפשריים כוללים כניסה מאובטחת למבנים ולכלי רכב, מעקב אחר ציוד ונכסים, ניווט בתוך מבנים, מיקום מדויק וחישה.

לפי נתוני ABI Research שמצטטת סיוה, מספר המכשירים הכוללים UWB צפוי לגדול מכ־597 מיליון יחידות ב־2026 לכמעט 1.18 מיליארד ב־2030. (Ceva)

טל שלו, סגן נשיא ומנהל חטיבת Wireless IoT בסיוה, אמר כי UWB נכנסת לשלב חדש, שבו השיפור בטווח, בביצועים וביכולות החישה פותח בפני הטכנולוגיה שווקים נוספים. לדבריו, העובדה שחברת שבבים גדולה כבר בחרה בפתרון מהווה אישור מסחרי לשיתוף הפעולה.

מבחינת סיוה, ההסכם עם LG מחזק את מעמדה כספקית קניין רוחני שאינו מסתכם בליבת תקשורת אחת: החברה מציעה כיום טכנולוגיות לקישוריות Bluetooth, Wi-Fi, UWB, תקשורת סלולרית ו־5G לצד עיבוד אותות, חישה ובינה מלאכותית בקצה. (Ceva)

הפוסט סיוה ו-LG ישתפו פעולה בפיתוח פתרון UWB מלא לשבבים הופיע לראשונה ב-Chiportal.

TSMC ו־ASML הכריזו על יוזמה משותפת לפיתוח מסכות צילום בפורמט גדול עבור הדור החדש של מערכות הליתוגרפיה High-NA EUV. מטרת המהלך היא להסיר אחת המגבלות המרכזיות של הטכנולוגיה: היכולת להדפיס פרטים קטנים וצפופים יותר, אך רק על מחצית משטח השבב שאפשר לחשוף במערכות EUV מהדור הנוכחי.

המגבלה משמעותית במיוחד עבור מאיצי בינה מלאכותית ומעבדים למרכזי נתונים. שבבים של NVIDIA, גוגל וחברות אחרות מתקרבים לעיתים לגבול גודל הרשתית של מערכות הליתוגרפיה הקיימות — כ־800 מילימטרים רבועים. הדור הנוכחי של High-NA EUV מתקשה לחשוף שבב בגודל כזה במהלך יחיד.

רזולוציה גבוהה יותר, אבל שדה קטן יותר

מערכות EUV משתמשות באור באורך גל של 13.5 ננומטר כדי להעביר למסילת הסיליקון את הדפוסים המצויים על מסכת הצילום. במערכות NXE הנפוצות של ASML המפתח הנומרי הוא 0.33, ואילו במערכות EXE מסוג High-NA הוא הוגדל ל־0.55.

לפי הנתונים הטכניים של ASML, הגדלת המפתח הנומרי מאפשרת להגיע לרזולוציה של כ־8 ננומטר, לעומת כ־13 ננומטר במערכות EUV הקודמות. הדבר עשוי לאפשר הדפסת מבנים קטנים יותר בחשיפה יחידה, במקום שימוש בכמה חשיפות ובשלבי עיבוד נוספים.

אלא שהאופטיקה האנמורפית של מערכות High-NA מגדילה את דמות המסכה בשיעורים שונים בשני הצירים. כתוצאה מכך, שדה החשיפה קטן מהגודל המקובל של 26 על 33 מילימטרים לכ־26 על 16.5 מילימטרים. עבור מעבדים קטנים יחסית זו אינה בהכרח בעיה, אך שבבי AI גדולים עלולים לדרוש שתי חשיפות נפרדות וחיבור מדויק ביניהן בתהליך המכונה stitching.

החיבור מוסיף זמן, מורכבות וסיכון לשגיאות התאמה בין חלקי השבב. הוא גם פוגע בכדאיות הכלכלית של מערכות High-NA, שמחירן נאמד במאות מיליוני דולרים ליחידה.

מסכה גדולה במקום שתי מסכות

היוזמה החדשה מבקשת להחליף את מסכות ה־6 על 6 אינץ' המקובלות במסכות בפורמט גדול יותר. בתעשייה נבחנת מסכה בגודל 6 על 12 אינץ', שתוכל להכיל את מלוא הדפוס הנדרש לשדה חשיפה של 26 על 33 מילימטרים.

אם המהלך יצליח, ניתן יהיה להדפיס גם שבבים גדולים בחשיפה מלאה, במקום לפצל את הדפוס בין שתי מסכות ולחבר את התמונות על גבי הפרוסה. ASML מעריכה כי המעבר עשוי לשפר בכ־40% את פריון מערכות High-NA בהשוואה לשימוש בשתי מסכות.

ואולם, שינוי גודל המסכה מחייב התאמה של מערכת שלמה: מצעי המסכות, ציוד הכתיבה והבדיקה, שכבות ההגנה, מכלי ההובלה, מערכות הטיפול במסכה והרכיבים המכניים בתוך מכונת הליתוגרפיה. זו הסיבה שלוח הזמנים משתרע על פני שנים.

לפי הדיווח על תוכנית החברות, ASML מתכננת להדגים קו ניסוי המשתמש במסכות הגדולות ב־2031, ולהביא את הטכנולוגיה למוכנות לייצור המוני ב־2033.

High-NA כבר נכנסת למפעלים

המעבר למסכות הגדולות אינו תנאי להתחלת השימוש ב־High-NA. יצרניות השבבים יוכלו להפעיל את המערכות עם המסכות הקיימות, בעיקר בשכבות שבהן יתרון הרזולוציה מצדיק את העלות ואת שדה החשיפה המצומצם.

אינטל כבר משתמשת ב־High-NA בחלק משכבות תהליך Intel 18A. ביולי 2026 הודיעו אינטל ו־ASML כי שכבות מסוימות במעבדי Core Ultra Series 3, המוכרים בשם הקוד Panther Lake, הוסמכו לייצור הן באמצעות מערכות High-NA והן באמצעות מערכות NXE רגילות. ASML הדגישה כי מדובר בשכבות מסוימות ובחלק מהמוצרים, ולא בהעברת תהליך הייצור כולו לטכנולוגיה החדשה. לפי ASML, אינטל היא הראשונה ששילבה High-NA במוצר לוגי המיוצר בכמויות מסחריות.

TSMC מתכננת להכניס את High-NA לייצור המוני בצמתים מתקדמים החל מ־2030. סמסונג ו־SK hynix מכוונות להשתמש בטכנולוגיה בייצור זיכרונות DRAM החל מ־2028, אם כי לוחות הזמנים עשויים להשתנות בהתאם להבשלת הציוד ולעלות לכל פרוסה.

היוזמה למסכות הגדולות מראה כי עתיד הליתוגרפיה אינו תלוי רק בשיפור הרזולוציה. ככל שמעבדי AI נעשים גדולים יותר, היכולת לחשוף שטח גדול במהירות ובדיוק הופכת למרכיב מרכזי לא פחות מגודל הטרנזיסטורים. High-NA אמורה לאפשר את המשך מזעור המעגלים, ואילו המסכות החדשות נועדו להבטיח שהמזעור לא יבוא על חשבון גודל השבב ופריון המפעל.

הפוסט TSMC ו־ASML מקדמות מסכות גדולות לייצור שבבי AI ב־High-NA EUV הופיע לראשונה ב-Chiportal.

Cadence הודיעה כי מערכת המשנה שלה ל־PCI Express 6.0 עברה בהצלחה, כבר בניסיון הראשון, את מבחני התאימות הרשמיים של PCI-SIG.

הפתרון יושם בתהליך הייצור N3 של TSMC, ופועל בקצב של עד 64 GT/s. בעקבות השלמת הבדיקות הוא צורף לרשימת הפתרונות שעברו את תוכנית התאימות של PCI-SIG.

מערכת המשנה של Cadence כוללת את שכבת ה־PHY ואת הבקר, ונועדה להשתלב בשבבים המיועדים בין היתר לשרתי בינה מלאכותית, מערכות HPC, מאיצים, כרטיסי רשת והתקני אחסון מהירים.

PCIe 6.0 מכפיל את קצב העברת הנתונים לעומת PCIe 5.0 ומגיע ל־64 גיגה־העברות בשנייה לכל נתיב. עבור מרכזי נתונים המריצים מערכות AI גדולות, המשמעות היא אפשרות להעביר כמויות גדולות יותר של מידע בין מעבדים, מאיצים, כרטיסי רשת ואחסון.

Cadence מסרה כי לפני מבחני התאימות הרשמיים היא עבדה עם PCI-SIG, יצרני ציוד בדיקה ושותפים נוספים בתעשייה כדי לבצע בדיקות interoperability ולאתר בעיות אפשריות מראש.

לדברי מארק לואינאז, סמנכ"ל מו"פ בתחום PHY עתיר ביצועים בקבוצת Silicon Solutions של Cadence, מעבר הבדיקות בניסיון הראשון מספק ללקוחות אינדיקציה לכך שהשילוב בין ה־PHY לבקר בשל ומוכן להשתלבות בתכנוני שבבים.

גם Keysight השתתפה בתהליך האימות והבדיקות. החברה ציינה כי בדיקות תאימות ויכולת פעולה הדדית הופכות חשובות במיוחד עם המעבר לדורות מהירים יותר של PCIe, שבהם מרווחי האות והדרישות החשמליות נעשים מחמירים יותר.

PCIe 6.0 מיועד בשלב הראשון בעיקר לשרתים, מרכזי נתונים ומערכות AI ו־HPC. בהמשך צפוי התקן להיכנס גם למערכות ארגוניות וליישומים נוספים ככל שהאקוסיסטם סביבו יבשיל.

הפוסט Cadence: מערכת PCIe 6.0 ב־TSMC N3 עברה את מבחני התאימות בניסיון הראשון הופיע לראשונה ב-Chiportal.