GaN Systems הודיעה על הסכם עם BMW להבטחת קיבולת ייצור של טרנזיסטורי GaN. הכמויות המוצעות צפויות להבטיח את אמינות שרשרת האספקה לספקי הרכב. המנכ"ל ג'ים וויתאם ציין בראיון ש-GaN Systems תספק קיבולת ייצור ליישומים מרובים בייצור סדרתי.

מגזר הרכב החשמלי ממשיך להתמודד עם שתי בעיות גדולות: מחיר וטווח. הבעיה השנייה נחשבת לחשובה ביותר מבחינת האימוץ של רכב חשמלי מלא. שילוב של קו ההינע ושימוש במוליכים למחצה עם פער אנרגיה רחב (GaN ו-SiC) הן כמה מהשיטות שמאמצים כדי לקצץ בעלויות ולשפר את יעילות המערכת. על ידי העלאת תדירות המיתוג וניצול יתרונות אחרים של מוליכים למחצה עם פער אנרגיה רחב, אפשר למזער רכיבים ליישומי רכב תוך שיפור ביצועי החום.

המטרה של טכנולוגיית הגליום ניטריד היא להגביר את היעילות וצפיפות ההספק של יישומים קריטיים ברכב החשמלי. "אפשר לתכנן GaN במגוון רחב של יישומים ברכב החשמלי כגון מטעני סוללות בתוך הרכב, ממירי DC/DC למהפכי הינע, העברת חשמל אלחוטית ומגבר שמע 12 וולט", אמר וויתאם.

מוליכים למחצה של הספק מסוגGaN  נעשים יותר ויותר חיוניים בדור הבא של הרכב החשמלי עתיר הביצועים כדי להשיג הקטנה של הגודל והמשקל יחד עם שיפור היעילות. הגורמים האלה נותנים מענה לבעיות טווח. בהודעה וויתאם אמר שהחוזה עם BMW ששוויו מאות מיליוני דולרים מראה איך יצרני רכב מתמקדים בחדשנות וקיימות.

העסקה עם BMW גם מדגישה התפתחויות במוליכים למחצה עם פער אנרגיה רחב, במיוחד ממירי DC/DC ומהפכי הינע שנעשים יותר קטנים, קלים וזולים.

"GaN מאפשר למהנדסים ליצור מערכות אלקטרוניקת הספק שקטנות וקלות יותר פי ארבעה והפסד האנרגיה שלהן קטן פי ארבעה מאשר סיליקון", טען וויתאם. בין היתרונות: זמן התאוששות אפס שמאפשר הפסד מיתוג קטן יותר במטעני סוללות ומהפכי הינע, תדירות גבוהה יותר ומהירויות מיתוג מהירות יותר. בנוסף, הפסדי מיתוג נמוכים יותר בהפעלה וכיבוי יכולים לעזור להפחית את המשקל והנפח של קבלים, סלילי השראה ושנאים ביישומים כמו מטענים ומהפכים ברכב חשמלי.

היתרונות האלה יכולים להפחית את הגודל של מטעני סוללות בתוך הרכב ב-25 אחוז, להפחית את אובדן ההספק במהפכי הינע ביותר מ-70 אחוז ולהקטין למחצית את הפסדי המרת ההספק במהפכי DC/DC יותר קלים וקומפקטיים, אמרה החברה.

הפוסט BMW מבטיחה את שרשרת האספקה על ידי עסקת קיבולת ייצור של GaN הופיע לראשונה ב-Chiportal.

STMicroelectronics ו-TSMC משתפות פעולה כדי להאיץ את הפיתוח של טכנולוגיית תהליך הגליום ניטריד (GaN) וההספקה של התקני GaN בדידים ומשולבים לשוק. באמצעות שיתוף הפעולה הזה, המוצרים של ST ייוצרו באמצעות טכנולוגיית תהליך הג"נ של TSMC, לדברי החברות.

מוצרים המבוססים על טכנולוגיות הספק GaN ושבבי GaN יאפשרו ל-ST לספק פתרונות ליישומי הספק בינוני וגבוה עם יעילות גבוהה יותר בהשוואה לטכנולוגיות סיליקון באותן טופולוגיות, כולל ממירים לרכב ומטענים לרכב היברידי וחשמלי. טכנולוגיות הספק GaN ושבבי GaN יעזרו להאיץ את המגמה הגדולה של חישמול רכב צרכני ומסחרי.

ST צופה הספקה של הדוגמאות הראשונות של התקנים בדידים עם הספק GaN ללקוחות החשובים שלה בהמשך השנה הזאת, ולאחר מכן מוצרי שבבי ג"נ בתוך כמה חודשים.
"שיתוף הפעולה הזה משלים את הפעילות הנוכחית שלנו בהספק GaN שמתבצעת באתר שלנו בטור, צרפת ועם CEA-Leti. טכנולוגית GaN היא החידוש הגדול הבא באלקטרוניקת הספק והספק חכם, וגם בטכנולוגיות תהליכים", אמר מרקו מונטי, נשיא קבוצת הרכב והבדידים של STMicroelectronics.
"אנחנו מצפים לשיתוף הפעולה עם ST ולהבאת היישומים של אלקטרוניקת הספק ג"נ להמרת הספק בתעשייה וברכב", אמר קווין ז'אנג, סגן נשיא לפיתוח עסקי ב-TSMC.

הפוסט ST ו-TSMC משתפות פעולה בהתקני גליום ניטריד הופיע לראשונה ב-Chiportal.