סינגפור הכריזה על השקת המרכז הלאומי לתרגום וחדשנות בטכנולוגיית גליום ניטריד (NSTIC [GaN]), שיהווה את מרכז הדגל של המדינה לפיתוח שבבים מהדור הבא. המרכז, הראשון מסוגו בסינגפור, יתמקד בטכנולוגיית גליום ניטריד – חומר מתקדם המאפשר ייצור רכיבים קטנים, מהירים ויעילים אנרגטית יותר ביחס לטכנולוגיות מבוססות סיליקון.

המרכז, שהחל את דרכו ב־2023 תחת השם המרכז הלאומי לטכנולוגיית גליום ניטריד (NGTC), הוא שיתוף פעולה בין סוכנות A*STAR למחקר, מעבדות DSO הלאומיות ואוניברסיטת נאנגיאנג (NTU). מטרתו להנגיש לחברות ולחוקרים תשתיות מתקדמות לייצור פרוסות שבבים ולבניית אבטיפוס, ולחזק את מעמדה של סינגפור בזירה הגלובלית.

המרכז החדש יציע תשתיות למחקר ופיתוח (מו"פ) כולל קווי ייצור לפרוסות בקוטר 6 אינץ’ מבוססות GaN על סיליקון קרביד, ו־8 אינץ’ על בסיס GaN-על-סיליקון – שילוב ייחודי המאפשר התאמה לצרכים שונים של תעשיות מגוונות כגון תקשורת 5G ו־6G, מכ"מים ולוויינים. כמו כן, המרכז יפתח טכנולוגיות מתקדמות עם שערים באורך של פחות מ־0.1 מיקרון ותדרי פעולה של מעל 100 גיגה־הרץ – תכונות קריטיות לפיתוח רכיבים מהירים במיוחד.

המהלך צפוי לחזק את יכולותיה של סינגפור בייצור שבבים מתקדמים, להפחית את התלות בשירותי ייצור חיצוניים, ולהאיץ את כניסת המוצרים לשוק. שירותי הייצור המסחריים יושקו כבר במחצית השנייה של 2026, ויוצעו לחברות סטארט־אפ, חברות בינוניות וגדולות (SMEs ו־MNCs).

"NSTIC [GaN] אינו רק מתקן, אלא פלטפורמה לאומית לחדשנות וזרז לטכנולוגיות עתידיות," אמר צ’ונג צ’י הו, יו"ר ועדת ההיגוי של המרכז. "המטרה שלנו היא לבנות מומחיות עמוקה בייצור ומחקר בטכנולוגיית GaN כדי שסינגפור תהיה חלק מעיצוב עתיד תעשיית השבבים."

המרכז יפעל בשיתוף פעולה עם חברות תעשייה ויאפשר פיתוח משותף של טכנולוגיות, תוך חיזוק היכולות המקומיות ושרשרת האספקה. בין שיתופי הפעולה הבולטים נמצא סטארט־אפ סינגפורי בשם WaferLead, המפתח יחד עם המרכז מצעים איכותיים מסיליקון קרביד – רכיב מפתח בייצור שבבי GaN.

בנוסף, המרכז מקדם את טיפוח הדור הבא של מהנדסי השבבים באמצעות שיתופי פעולה עם מוסדות אקדמיים, תוכניות דוקטורט ושילוב חוקרים צעירים בתהליכי מו"פ על תשתיות תעשייתיות אמיתיות.

לפי ההודעה, תעשיית השבבים היא נדבך מרכזי בכלכלת סינגפור – תורמת כ־6% מהתמ"ג ומעסיקה כ־35,000 עובדים מיומנים בתחומי הפיתוח, העיצוב והייצור המתקדם.

הפוסט סינגפור משיקה מרכז לאומי לטכנולוגיית גליום ניטריד הופיע לראשונה ב-Chiportal.

חברת השבבים האמריקנית GlobalFoundries הודיעה כי תשקיע למעלה מ-16 מיליארד דולר להרחבת יכולות הייצור שלה בארצות הברית. מדובר במהלך אסטרטגי שנועד לחזק את עצמאות תעשיית השבבים האמריקנית, בהתאם לקריאות מצד הנשיא דונלד טראמפ להגביר את הייצור המקומי – ולנוכח הביקוש ההולך וגובר למוצרי בינה מלאכותית.

על פי ההודעה, כ-13 מיליארד דולר יוקצו להרחבה ולמודרניזציה של מתקני החברה בניו יורק ובוורמונט, לרבות מימון מרכז חדשני שהושק לאחרונה – מרכז האריזה והפוטוניקה המתקדמת של ניו יורק. כ-3 מיליארד דולר נוספים יופנו למחקר ולפיתוח בתחומים כגון חדשנות באריזת שבבים, פוטוניקה מבוססת סיליקון וטכנולוגיות GaN (Gallium Nitride), הנפוצות בשבבים להספק גבוה.

מנכ"ל החברה טים ברין הדגיש כי "אנו גאים לשתף פעולה עם מובילי הטכנולוגיה החדשנית בעולם בייצור השבבים שלהם כאן בארצות הברית – לקידום החדשנות ולחיזוק העמידות הכלכלית ושרשראות האספקה." לדבריו, הצמיחה האדירה בתחום הבינה המלאכותית יוצרת ביקוש עיקש ומתמשך לטכנולוגיות של החברה.

GlobalFoundries נחשבת לאחת מספקיות השבבים המרכזיות לתאגידים כמו אפל ו-AMD, ומתמחה בייצור שבבים חיוניים שאינם בהכרח מהדור המתקדם ביותר – אך נדרשים במגוון רחב של מוצרים.

מניית החברה (סימול: GFS) עלתה בכ-2.5% בעקבות ההודעה, אך עדיין רשמה ירידה של כ-12% מתחילת השנה.

קרדיט תמונה: Thomas Fuller / SOPA Images / LightRocket via Getty Images

תגים: גלובלפאונדריז, שבבים, טראמפ, תעשייה אמריקנית, בינה מלאכותית, GaN, פוטוניקה, ייצור שבבים, חדשנות טכנולוגית, השקעות בארה"ב

ביטוי מפתח: השקעת ענק בייצור שבבים בארה"ב

נרדפים: ייצור מקומי, טכנולוגיית שבבים, חיזוק תעשייה אמריקנית, מרכז שבבים, השקעות טכנולוגיה, מחקר ופיתוח, תעשיית חצי מוליכים

הפוסט גלובלפאונדריז תשקיע 16 מיליארד דולר בהרחבת ייצור השבבים בארה"ב הופיע לראשונה ב-Chiportal.

  GaN Systems הודיעה על הסכם עם BMW להבטחת קיבולת ייצור של טרנזיסטורי GaN. הכמויות המוצעות צפויות להבטיח את אמינות שרשרת האספקה לספקי הרכב. המנכ"ל ג'ים וויתאם ציין בראיון ש-GaN Systems תספק קיבולת ייצור ליישומים מרובים בייצור סדרתי.

מגזר הרכב החשמלי ממשיך להתמודד עם שתי בעיות גדולות: מחיר וטווח. הבעיה השנייה נחשבת לחשובה ביותר מבחינת האימוץ של רכב חשמלי מלא. שילוב של קו ההינע ושימוש במוליכים למחצה עם פער אנרגיה רחב (GaN ו-SiC) הן כמה מהשיטות שמאמצים כדי לקצץ בעלויות ולשפר את יעילות המערכת. על ידי העלאת תדירות המיתוג וניצול יתרונות אחרים של מוליכים למחצה עם פער אנרגיה רחב, אפשר למזער רכיבים ליישומי רכב תוך שיפור ביצועי החום.

המטרה של טכנולוגיית הגליום ניטריד היא להגביר את היעילות וצפיפות ההספק של יישומים קריטיים ברכב החשמלי. "אפשר לתכנן GaN במגוון רחב של יישומים ברכב החשמלי כגון מטעני סוללות בתוך הרכב, ממירי DC/DC למהפכי הינע, העברת חשמל אלחוטית ומגבר שמע 12 וולט", אמר וויתאם.

מוליכים למחצה של הספק מסוגGaN  נעשים יותר ויותר חיוניים בדור הבא של הרכב החשמלי עתיר הביצועים כדי להשיג הקטנה של הגודל והמשקל יחד עם שיפור היעילות. הגורמים האלה נותנים מענה לבעיות טווח. בהודעה וויתאם אמר שהחוזה עם BMW ששוויו מאות מיליוני דולרים מראה איך יצרני רכב מתמקדים בחדשנות וקיימות.

העסקה עם BMW גם מדגישה התפתחויות במוליכים למחצה עם פער אנרגיה רחב, במיוחד ממירי DC/DC ומהפכי הינע שנעשים יותר קטנים, קלים וזולים.

"GaN מאפשר למהנדסים ליצור מערכות אלקטרוניקת הספק שקטנות וקלות יותר פי ארבעה והפסד האנרגיה שלהן קטן פי ארבעה מאשר סיליקון", טען וויתאם. בין היתרונות: זמן התאוששות אפס שמאפשר הפסד מיתוג קטן יותר במטעני סוללות ומהפכי הינע, תדירות גבוהה יותר ומהירויות מיתוג מהירות יותר. בנוסף, הפסדי מיתוג נמוכים יותר בהפעלה וכיבוי יכולים לעזור להפחית את המשקל והנפח של קבלים, סלילי השראה ושנאים ביישומים כמו מטענים ומהפכים ברכב חשמלי.

היתרונות האלה יכולים להפחית את הגודל של מטעני סוללות בתוך הרכב ב-25 אחוז, להפחית את אובדן ההספק במהפכי הינע ביותר מ-70 אחוז ולהקטין למחצית את הפסדי המרת ההספק במהפכי DC/DC יותר קלים וקומפקטיים, אמרה החברה.

הפוסט BMW מבטיחה את שרשרת האספקה על ידי עסקת קיבולת ייצור של GaN הופיע לראשונה ב-Chiportal.

STMicroelectronics ו-TSMC משתפות פעולה כדי להאיץ את הפיתוח של טכנולוגיית תהליך הגליום ניטריד (GaN) וההספקה של התקני GaN בדידים ומשולבים לשוק. באמצעות שיתוף הפעולה הזה, המוצרים של ST ייוצרו באמצעות טכנולוגיית תהליך הג"נ של TSMC, לדברי החברות.

מוצרים המבוססים על טכנולוגיות הספק GaN ושבבי GaN יאפשרו ל-ST לספק פתרונות ליישומי הספק בינוני וגבוה עם יעילות גבוהה יותר בהשוואה לטכנולוגיות סיליקון באותן טופולוגיות, כולל ממירים לרכב ומטענים לרכב היברידי וחשמלי. טכנולוגיות הספק GaN ושבבי GaN יעזרו להאיץ את המגמה הגדולה של חישמול רכב צרכני ומסחרי.

ST צופה הספקה של הדוגמאות הראשונות של התקנים בדידים עם הספק GaN ללקוחות החשובים שלה בהמשך השנה הזאת, ולאחר מכן מוצרי שבבי ג"נ בתוך כמה חודשים.
"שיתוף הפעולה הזה משלים את הפעילות הנוכחית שלנו בהספק GaN שמתבצעת באתר שלנו בטור, צרפת ועם CEA-Leti. טכנולוגית GaN היא החידוש הגדול הבא באלקטרוניקת הספק והספק חכם, וגם בטכנולוגיות תהליכים", אמר מרקו מונטי, נשיא קבוצת הרכב והבדידים של STMicroelectronics.
"אנחנו מצפים לשיתוף הפעולה עם ST ולהבאת היישומים של אלקטרוניקת הספק ג"נ להמרת הספק בתעשייה וברכב", אמר קווין ז'אנג, סגן נשיא לפיתוח עסקי ב-TSMC.

הפוסט ST ו-TSMC משתפות פעולה בהתקני גליום ניטריד הופיע לראשונה ב-Chiportal.