מוצרים המבוססים על טכנולוגיות הספק GaN ושבבי GaN יאפשרו ל-ST לספק פתרונות ליישומי הספק בינוני וגבוה עם יעילות גבוהה יותר בהשוואה לטכנולוגיות סיליקון באותן טופולוגיות, כולל ממירים לרכב ומטענים לרכב היברידי וחשמלי
STMicroelectronics ו-TSMC משתפות פעולה כדי להאיץ את הפיתוח של טכנולוגיית תהליך הגליום ניטריד (GaN) וההספקה של התקני GaN בדידים ומשולבים לשוק. באמצעות שיתוף הפעולה הזה, המוצרים של ST ייוצרו באמצעות טכנולוגיית תהליך הג"נ של TSMC, לדברי החברות.
מוצרים המבוססים על טכנולוגיות הספק GaN ושבבי GaN יאפשרו ל-ST לספק פתרונות ליישומי הספק בינוני וגבוה עם יעילות גבוהה יותר בהשוואה לטכנולוגיות סיליקון באותן טופולוגיות, כולל ממירים לרכב ומטענים לרכב היברידי וחשמלי. טכנולוגיות הספק GaN ושבבי GaN יעזרו להאיץ את המגמה הגדולה של חישמול רכב צרכני ומסחרי.
ST צופה הספקה של הדוגמאות הראשונות של התקנים בדידים עם הספק GaN ללקוחות החשובים שלה בהמשך השנה הזאת, ולאחר מכן מוצרי שבבי ג"נ בתוך כמה חודשים.
"שיתוף הפעולה הזה משלים את הפעילות הנוכחית שלנו בהספק GaN שמתבצעת באתר שלנו בטור, צרפת ועם CEA-Leti. טכנולוגית GaN היא החידוש הגדול הבא באלקטרוניקת הספק והספק חכם, וגם בטכנולוגיות תהליכים", אמר מרקו מונטי, נשיא קבוצת הרכב והבדידים של STMicroelectronics.
"אנחנו מצפים לשיתוף הפעולה עם ST ולהבאת היישומים של אלקטרוניקת הספק ג"נ להמרת הספק בתעשייה וברכב", אמר קווין ז'אנג, סגן נשיא לפיתוח עסקי ב-TSMC.
