פורטל תעשיית השבבים בישראל מבית מגזין

פורטל תעשיית השבבים בישראל מבית מגזין

צ'יפורטל - פורטל של תעשית השבבים בישראל
חדשות מתעשיית השבבים בישראל

Globalfoundries מכינה תהליך FDSOI ב-12 ננומטר; חלופה ל- FinFET

PDFגרסת הדפסהדואר אלקטרוני

 

globalfounderies

Globalfoundries Inc. הכריזה על תהליך FDSOI מהדור הבא כהמשך לתהליך ה-22FDX שמתקרב לייצור. החברה גם הכריזה על הנוכחות של חברות ה-EDA ו-IP קדנס וסינופסיס במסגרת תוכנית סביבת הפיתוח FDXelerator עבור FDSOI.


FDSOI, שמשמעו סיליקון מדולדל במלואו על מבודד, הוא חלופה לסגנון ייצור השבבים FinFET המועדף על אינטל ויצרנית השבבים TSMC. רוב המחקר לגבי SOI (סיליקון על מבודד) בוצע על ידי IBM לפני שהועבר הלאה ל-STMicroelectronics. עכשיו סמסונג ב-28nm ו-Globalfoundries ב-22nm עובדות על הבאת FDSOI לייצור. החברות טוענות של-FDSOI, למרות שהתכנון של הפרוסות שמשמשות נקודת פתיחה יותר יקר, יש יתרונות מבחינת מדרגיות ממתח נמוך והספק נמוך ועד לביצועים גבוהים.


תהליך ה-12FDX, נומינלי בגיאומטריה מינימלית של 12nm, מיועד לאפשר את הבינה ממחשבים ניידים וקישוריות 5G ועד לבינה מלאכותית ורכב אוטונומי. ראוי לציין ש-STMicroelectronics הפסידה זכיית תכנון אצל השותפה הוותיקה מובילאיי שנמשכה ל-FinFET 10nm לשבבים שלה מסדרת EyeQ.

 

תהליך ה-12FDX, בטכנולוגיית ייצור 12 ננומטר, מאפשר להעלות את הביצועים ומונע את הצורך בהדפס (patterning) משולש ומרובע וליתוגרפיה באולטרה- סגול קיצוני, אמר רוטגר ויבורג, המנהל הכללי של מפעל הפרוסות של Globalfoundries בדרזדן שם מפתחים את FDSOI. "אם בוחנים את הביצועים עם 22FDX עם הטיה לאחור הם אותו הדבר כמו התהליך 16/14nm FinFET או יותר טובים. עם 12FDX עם הטיה לאחור מקבלים תהליכי FinFET טובים יותר מ-10nm" הוא אמר ל-EE Times Europe.


בקיצור, 12FDX מציע ביצועים של 10nm FinFET עם צריכת חשמל טובה יותר ועלות נמוכה יותר מאשר 16nm FinFET.

 

עוד בתחום ייצור - FABS

כתבות נוספות בתחום

‫יצור (‪(FABs‬‬
IC Insights: יצרניות השבבים ממקסמות את קיבולת הייצור של פרוסות 300mm ו-200mm
כשהתחזיות לגבי פרוסות 450mm גדולות לא מתקדמות לשום מקום, מספר מפעלי הייצור של פרוסות 300mm שפועלים בעולם צפוי לגדול בכל שנה מעכשיו עד 2021 ויגיע...
קרא עוד
‫יצור (‪(FABs‬‬
Globalfoundries תאמץ את טכנולוגית הליתוגרפיה EUV עבור FinFET 7nm
מוקדם יותר בשנת 2017, הציגה חברת Globalfoundries את טכנולוגיית מוליכים למחצה של 7nm 7LP אשר לטענתה תספק למעלה מ -40% יותר כוח עיבוד ויחתוך במחצית את...
קרא עוד




תגובות (0)Add Comment
כתוב תגובה
 
 
יותר קטן | יותר גדול
 

security image
העתק תווים מוצגים


busy

שדרת הלוגואים

  • 1-Synopsys_Logo_HQ
  • 2-Umclogo
  • 3-EMC
  • 1
  • 5-Gary
  • 6-SIA
  • 7-muadon-shovevim
  • 8-Logo_Chipex
  • 9-Chiportal_logo_HR
  • 10-TAPEOUT_Logo
 
www.Deezee.co.il בניית אתרים בעצם גלישתכם באתר הכנם מסכימים לתנאי השימוש בו - לחצו כאן לקריאת תנאי השימוש - כל הזכויות שמורות Chiportal (c) 2010


CHIPORTAL RSS FEEDS
כל החדשות
מאמרים ומחקרים
מוצרים חדשים והודעות לעיתונות