החברה טוענת כי השבבים המשתמשים בתהליך 16 ננומטר הם בעלי ביציועים גבוהים יותר מאשר המתחרים, צורכים 50% פחות אנרגיה לעומת SoC, של 20 ננומטר וזמן המחזור שלהם כפול מזה של 20 ננומטר.
חברת TSMC הודיעה על כוונתה להשיק גרסה קומפקטית בהספקים נמוכים של תהליך FinFET 16nm שלה וחשפה מפת הדרכים שלה להגיע לצמתים קטנים יותר. החברה תתחיל ייצור המוני של תהליך הייצור 16nm FinFET פלוס (+ 16FF) באמצע השנה וצופה כי תפרוץ דרך בבניית fab 10nm חדש בשנה הבאה.
שנה לאחר תחילת ההיצור ההמוני של שבבי 20 ננומטר, הודיעה TSMC כי תתחיל בייצור המוני של טכנולוגית 16FF+ באמצע 2015. החברה טוענת כי השבבים המשתמשים בתהליך זה הם בעלי ביציועים גבוהים יותר מאשר המתחרים, צורכים 50% פחות אנרגיה לעומת SoC, של 20 ננומטר וזמן המחזור שלהם כפול מזה של 20 ננומטר.
החברה תריץ למעלה מ-50 טייפאאוטים למעבדי יישומים, GPUs, ומעבדים לרכב ולרשת. אמר מארק ליו, נשיא ומנכ"ל משותף ב-TSMC בכנס שהתקיים לאחרונה בקליפורניה.
"אנחנו נמצאים בנקודה זמן קריטית – היום לא רק שאנו נדרשים להוביל את הצמיחה של החברות שלנו, אלא גם לחפש אחר לקוחות חדשים שלא היו קיימים בעבר.", אמר ליו. "מחזור המוצר לצרכן לא השתנה הרבה. מה שהשתנה הוא הקצב של עיצוב מוצר ופיתוח טכנולוגי. יותר ויותר עבודה חייבת להתבצע באותה מסגרת זמן."
ליו הוסיף כי שתף פעולה עם ARM בייצור שבב A72 שממנף את 16FF+ מאפשר ביצועים גבוהים פי 3.5 לעומת Cortex-15 תוך צריכת 75% פחות חשמל. TSMC ו- ARM ימשיכו לשתף פעולה בתהליכי הייצור של הדורות הבאים, הוא הוסיף.
כמו כן, החברה פיתחה גרסה קומפקטית של תהליך FinFET 16nm שלה, המכונה 16FFC, עבור טלפונים חכמים מהדרג הבינוני והנמוך ופריטי לבוש. התהליך מפחית את צריכת חשמל ביותר מ-50% ל -0.55 וולט וטייפאאוט של המוצר צפוי לצאת במחצית השניה של 2016.
TSMC מנהלת קרב בתהליכי הייצור FinFET מול גרסת ה-14 ננומטר של סמסונג, וזו האחרונה הודיעה על שבב ראשון בטכנולוגיה זו בקונגרס המובייל בברצלונה, אך לדברי מנהלי TSMC השבב עדיין לא נמצא בייצור המוני, וינצח מי שיביא את השבבים ראשונים לשוק בייצור המוני, אמר ליו.
| {loadposition content-related} |
