כך אמר ד”ר זייונג צ’וי, נשיא וראש חטיבת הייצור בסמסונג אלקטרוניקה לקראת כנס וירטואלי שמארגנת חטיבת הייצור
סמסונג אלקטרוניקה חשפה תוכניות להסבת טכנולוגית הייצור שלה מ-5 ל-3 ננומטר ואחר כך ל-2 ננומטר. הייצור יהיה בשיטתGate-All-Around (GAA) של החברה . המועד שנקבע ל-3 ננומטר הוא כבר ב-2022, ואילו טכנולוגית 2 ננומטר תצא לשוק בשנת 2025.
החברה הציגה את הטכנולוגיות החדשות בכנס וירטואלי של חטיבת ייצור השבבים שלה שיתקיים השבוע.
“נגדיל את כושר הייצור הכולל שלנו ונוביל את הטכנולוגיות המתקדמות ביותר תוך קידום הסיליקון צעד קדימה והמשך החדשנות הטכנולוגית “, אמר ד”ר זייונג צ’וי, נשיא וראש חטיבת הייצור בסמסונג אלקטרוניקה. ” על רקע הדיגיטליזציה הנוספת שנעשתה בגלל מגיפת COVID-19, לקוחותינו ושותפינו יגלו את הפוטנציאל הבלתי מוגבל של יישום סיליקון לאספקת הטכנולוגיה הנכונה בזמן הנכון. “
“עם העוצמה המשופרת, הביצועים ויכולת התכנון הגמישה, טכנולוגיית ה- GAA הייחודית של סמסונג, FET Multi-Bridge-Channel (MBCFET), חיונית להמשך שידרוג תהליכי הייצור. צומת התהליך הראשון של 3 ננומטר GAA של סמסונג באמצעות MBCFET יאפשר ירידה של עד 35 אחוזים בשטח, ביצועים גבוהים יותר ב -30 אחוזים או צריכת חשמל נמוכה ב -50 אחוזים בהשוואה לאותו שבב שיוצר בטכנולוגית 5 ננומטר. בנוסף לשיפורי ההספק, הביצועים והשטח (PPA), ככל שבגרות התהליכים שלו גדלה, התשואה של 3nm מתקרבת לרמה דומה לתהליך 4nm, שנמצא כיום בייצור המוני.
סמסונג אמורה להתחיל לייצר את השבבים הראשונים המבוססים על 3 ננומטר של לקוחותיה במחצית הראשונה של 2022, ואילו הדור השני שלה של 3 ננומטר צפוי בשנת 2023. לאחרונה נוספה למפת הדרכים הטכנולוגית של סמסונג, גם טכנולוגית 2 ננומטר עם MBCFET . כאמור, הטכנולוגיה נמצאת בתחילת שלב הפיתוח וייצור המוני צפוי לשנת 2025.
