בכנס שיתקיים בעוד כחודש יציגו בכירים ב-ARM וביבמ כיצד תעבוד הטכנולוגיה שתגיע לשוק בעוד שנתיים-שלוש אם יפתרו בעיות בתחום הליתוגרפיה
מצגת שתוצג בכנס מפתחי ARM שאמור להתקיים בסנטה קלר ב-1 בנובמבר, מראה כי הכנס יתמקד באתגרים ובהזדמנויות שמציגה טכנולוגית ייצור השבבים ברוח NODE של 14 ננומטר הצפויה להבשיל בתוך שנתיים-שלוש, אם הליטוגרפיה תוכל לאפשר זאת.
לארס ליברמן, מהנדס עמית של יבמ וגרג ייריק, מהנדס מו"פ בכיר ב-ARM יציגו את המצגת בת 50 הדקות במסגרת הכנס.
הדוברים צפויים להראות כמה קשה יהיה להכין תבניות ל-IC שיבצעו אינטראקציה עם מבנים לא לינרים, למשל FinFETs דמויי הסניפירים שיצוצו מעל פני השטח של הסיליקון ואשר צפויים לשמש בשבבים בטכנולוגיה זו.
המצגת גם צפויה להכיל סקירה על מצב ליתוגרפית האולטרה-סגול הקיצוני (EUV) ולהסביר כיצד תבנית כפולה העושה שימוש בליתוגרפיה אופטית יכולה לגשר על הפער עד ש-EUV תהיה זמינה. המידע באשר לקלות מורכבות ה- multipatterning ייחשפו אף הם בכס.
במצגת גם תיערך סקירה של העקרונות הבסיסיים של FinFET והשפעת טכנולוגיה זו הן על ה-IP הפיזי והן על ה-IP ברמות הגבוהות יורת של המעבדים. לפי אתר EETIMES – שהחברה שמחזיקה בו גם מארגנת את הכנס, המצגת גם תציג מסקנות אודות צריכת החשמל, הביצועים, השטח והעלות של צמתי IC ברוחב 14 ננומטר.
| {loadposition content-related} |
