הדור החמישי של תהליך הייצור בטכנולוגיית סיליקון-גרמניום (SiGe) של יבמ, מאפשר להזרים כמויות גדולות יותר של נתונים דרך שדרת רשת התקשורת כמו גם ביישומים דוגמת רשתות Wifi, רשתות סלולאריות בתקני LTE, ורשתות אופטיות מהירות
יבמ חושפת דור חדש של טכנולוגיית מוליכים למחצה המותאמת במיוחד למשימות תקשורת בביצועים גבוהים. הדור החמישי של תהליך הייצור בטכנולוגיית סיליקון-גרמניום (SiGe) של יבמ, מאפשר להזרים כמויות גדולות יותר של נתונים דרך שדרת רשת התקשורת כמו גם ביישומים דוגמת רשתות Wifi, רשתות סלולאריות בתקני LTE, ורשתות אופטיות מהירות.
מאז הוצגה לראשונה ב- 1995, סייעה טכנולוגיית הסיליקון-גרמניום של יבמ לחולל מהפיכה בביצועיי רשתות הרדיו, תוך שהיא מאפשרת למהנדסים לפתח מכשירים פורצי דרך דוגמת מערכות GPS, משדרי WiFi ורשתות אופטיות מהירות. הטכנולוגיה החדשה של יבמ ממשיכה לקדם את היכולות הזמינות בידיהם של מהנדסים ומתכננים, במיוחד לאתרים סלולאריים ברשתות LTE, תקשורת אלחוטית בגל מילימטרי, ודור חדש של תקשורת אופטית ברמת שדרת הרשת. מחוץ לעולם התקשורת, יקדמו הביצועים של הדור החדש, המכונה 9HP, את השימוש ביישומים דוגמת ציוד בדיקות בעל ביצועים גבוהים, מערכות רדאר לכלי רכב, ומערכות הדמיה לצרכים ביטחוניים.
שבבי סיליקון-גרמניום הפכו מפתח להתמודדות עם אתגרי תקשורת אלחוטית בנפחים גבוהים. עד לזמינות הטכנולוגיה הזאת, נבנו שבבים בעלי ביצועים גבוהים המשמשים במשדרים סלולאריים ובתקשורת אופטית תוך שימוש בתהליכים יקרים ומסובכים. טכנולוגיית סיליקון-גרמניות מספקת את הביצועים הנדרשים יחד עם רמה גבוהה של הכללה ברמת השבב, וחיסכון משמעותי בזכות ההתבססות על תהליכי יצור CMOS.
לאורך השנים, החלו חברות מובילות רבות להתבסס על טכנולוגיות סיליקון-גרמניום, והם פועלות כיום בשיתוף פעולה הדוק עם יבמ בדרך לפיתוח גרסאות חדשות של תהליך הייצור. יבמ מאמינה כי שיתוף פעולה פתוח בין חברות שונות יקדם פריצות דרך עתידיות בעולם המוליכים למחצה.
תהליך הייצור החדש יהיה טכנולוגיית סיליקון-גרמניום הראשונה בתעשייה המציעה צפיפות של 90 ננומטר בטכנולוגיית CMOS, באופן המאפשר רמה גבוהה ביותר של הכללה על גבי השבב, בתהליכי BiCMOS. הטכנולוגיה החדשה מבטיחה ביצועים גבוהים יותר וצריכת זרם נמוכה יותר של השבבים המיוצרים באמצעותה, בהשוואה לטכנולוגיות סיליקון-גרמניום קיימות ב- 180 וב- 130 ננומטר.
הטכנולוגיה תואמת לפלטפורמות ה- 90 ננומטר הקיימות של יבמ, ומאפשרת ללקוחות מפעלי המיקרואלקטרוניקה של החברה להעביר אליה מגוון רחב של נכסי קניין רוחני, לרבות מבני מעגלים וספריות רכיבים. פלטפורמת הייצור כוללת גם אופציה לרכיבי רדיו, RF CMOS, ופותחת בפני המשתמשים מבחר רחב של אופציות תקשורת ויישומי אותות מעורבים.
