הענקית הקוריאנית מתכננת לעבור לטכנולוגית 7nm עם EUV בסוף 2018
חברת סמסונג מתכוונת לשווק לפני סוף השנה מערכות על שבב שמיוצרות בתהליך 10nm FinFET, ולהקדים מתחרות כמו אינטל ו-TSMC. החדשות מגיעות כשסמסומג צפויה לפגר השנה בעסקי ייצור השבבים לחברות אחרות ועוברת טלטלה בגלל ההחלטה להוציא מהשוק את הסמארטפון שלה Galaxy Note 7.
"אנחנו נכנסים לייצור המוני וב-2016 אנחנו מאמינים שנהיה הראשונים שנשווק צומתי 10nm", אמר הונג האו, סגן נשיא בכיר לשיווק ופיתוח עסקי בקבוצת ייצור השבבים של סמסונג.
בתהליך שנקרא 10LPE משתמשים בליתוגרפיה עם הדפס משולש כדי לקבל התכווצות שטח של עד 30%, ביצועים גבוהים ב-27% או הספק נמוך ב-40% בהשוואה לתהליך ה-14nm שלה, מסרה סמסונג בהודעה לעיתונות. המכשירים הראשונים שישתמשו בשבבי ה-10nm יופיעו בתחילת השנה הבאה עם תהליך המשך של 10LPP בסוף השנה הבאה, הוסיפה החברה.
סמסונג נקטה בגישה דומה ב-14nm, כשהביאה במהירות לשוק תהליך FinFET מדור ראשון ואחריו גרסה ממוטבת. היא מתכוונת להמשיך גם ב-10nm בנוהג שלה להציג עם הזמן גרסאות נוספות של הצומת שממוטבות לביצועים טובים יותר, הספק נמוך יותר ועלות נמוכה יתר.
כחלק מהחדשות סמסונג גילתה שתדלג על הצומת של 7nm עם ליתוגרפיה בטבילה שמתכננות המתחרות TSMC ו-Globalfoundries. במקום זאת בכוונתה שיהיה לה בייצור תהליך של 7nm בליתוגרפיה באולטרה- סגול קיצוני (EUV) בסוף 2018, שנה לפני שמערכות EUV יהיה מוכנות לייצור כמותי לפי ההערכות הנוכחיות בענף.
קבוצות הזיכרון והלוגיקה של סמסונג עובדות שתיהן על EUV, אמר הונג. הוא סירב למסור פרטים איך החברה מצפה לעבור את האחרים בהבאת המערכות למצב שיהיו מוכנות לייצור כמותי.
| {loadposition content-related} |
)
