Micron Technology פרסמה תחזית חזקה מהצפוי לרבעון הקרוב, על רקע המשך העלייה בביקוש לזיכרונות עבור מערכות בינה מלאכותית ומרכזי נתונים.

החברה צופה הכנסות של כ-61.5 מיליארד דולר ברבעון הפיסקלי הראשון, לעומת תחזית אנליסטים של כ-57 מיליארד דולר.

Micron דיווחה גם על גידול חד בהתחייבויות ארוכות הטווח מצד לקוחות המבקשים להבטיח אספקת זיכרונות. היקף העסקאות הללו הגיע לכ-32 מיליארד דולר, לעומת כ-22 מיליארד דולר בלבד שלושה חודשים קודם לכן.

היקף ההתחייבויות החוזיות הכולל של החברה – Remaining Performance Obligations – גדל לכ-150 מיליארד דולר, לעומת כ-100 מיליארד דולר ברבעון הקודם.

הגורם המרכזי לצמיחה הוא הביקוש לזיכרונות HBM ולזיכרונות DRAM מתקדמים המשמשים מאיצי AI ושרתים במרכזי נתונים. מערכות AI זקוקות לכמויות גדולות בהרבה של זיכרון ולרוחב פס גבוה יותר בהשוואה לשרתים מסורתיים.

ברבעון הרביעי של שנת הכספים רשמה Micron הכנסות של כ-54.2 מיליארד דולר – יותר מפי ארבעה לעומת התקופה המקבילה אשתקד.

החברה מזהירה במקביל כי יכולת האספקה מוגבלת, והלקוחות הגדולים מנסים להבטיח מראש כמויות לשנים הבאות.

Micron מרחיבה בשל כך את כושר הייצור בארצות הברית וביפן, כאשר ייצור ראשוני של פרוסות במפעלים החדשים צפוי להתחיל באמצע 2027.

התוצאות של Micron משמשות גם כאינדיקטור למצבו של שוק תשתיות ה-AI כולו: למרות ההשקעות העצומות שכבר בוצעו, הביקוש לרכיבי זיכרון מתקדמים ממשיך לעלות מהר מכושר הייצור.

הפוסט Micron: הביקוש לזיכרונות AI מזניק את התחזיות ואת צבר ההזמנות הופיע לראשונה ב-Chiportal.

יצרנית הזיכרונות הדרום־קוריאנית SK hynix מנהלת מגעים ראשוניים עם אינטל בנוגע לייצור שבבי זיכרון בארצות הברית – מהלך שאם ייצא לפועל יהיה הפעם הראשונה שבה החברה מייצרת שבבי זיכרון על אדמת ארה״ב.

לפי דיווח רויטרס, אחת האפשרויות הנבחנות היא ש־SK hynix תשכור חלק ממתחם הייצור שאינטל מקימה באוהיו. אפשרות נוספת היא הקמת מיזם משותף בהשתתפות אינטל וחברות ענן גדולות המעוניינות להבטיח אספקה ארוכת טווח של זיכרונות.

המגעים עדיין בשלב מוקדם ולא התקבלה החלטה. SK hynix מסרה כי היא בוחנת אפשרויות שונות להקמת בסיסי ייצור נוספים, אך לא סוכם דבר בנוגע לשיתוף פעולה עם חברה מסוימת או לייצור זיכרונות בארה״ב.

מהלך כזה עשוי להיות משמעותי במיוחד על רקע המחסור העולמי בזיכרונות והביקוש הגובר ל־HBM ול־DRAM עבור מערכות בינה מלאכותית. SK hynix כבר מקימה באינדיאנה מפעל לאריזה מתקדמת של זיכרונות HBM, אך פרוסות השבבים עבורו אמורות להיות מיוצרות בדרום קוריאה.

עבור אינטל, הכנסת SK hynix למפעל באוהיו עשויה לסייע בניצול המתחם, שפתיחתו נדחתה לאחר שהחברה צמצמה את קצב השקעות ההון שלה.

הפוסט SK hynix במגעים עם אינטל לייצור שבבי זיכרון בארה״ב הופיע לראשונה ב-Chiportal.

סיוה (Ceva) הודיעה על מינויו של זיו המר לתפקיד סגן נשיא בכיר לקישוריות וחישה (Executive Vice President, Connectivity & Sensing). המר ידווח למנכ"ל החברה אמיר פנוש ויפעל מעמק הסיליקון.

התפקיד החדש מרכז תחת הנהלה אחת את פעילות Wireless IoT, Mobile Broadband, Sensing & Audio Software ואת משרד ה־CTO של החברה. בסיוה אומרים כי המבנה החדש נועד לחזק את החיבור בין טכנולוגיות הקישוריות והחישה שלה לבין פתרונות מערכת מלאים יותר ליישומי Smart Edge ו־Physical AI.

המר מביא יותר מ־20 שנות ניסיון בתעשיית השבבים. בעבר מילא תפקידי ניהול בכירים באינטל, Infineon ו־GlobalFoundries. בתפקידו האחרון ב־GlobalFoundries שימש Senior Vice President ל־Design Platforms and Services והיה מעורב בתחומי טכנולוגיה, IP, תכנון שבבים ואקוסיסטם הלקוחות.

סיוה מספקת קניין רוחני ותוכנה לתחומי Bluetooth, Wi-Fi, UWB, תקשורת סלולרית, עיבוד אותות, חישה ו־Edge AI. החברה מציינת כי הטכנולוגיות שלה שולבו עד כה ביותר מ־22 מיליארד התקנים.

הפוסט סיוה ממנה את זיו המר לסגן נשיא בכיר לקישוריות וחישה הופיע לראשונה ב-Chiportal.

ההשקעות העצומות בתשתיות בינה מלאכותית משנות לא רק את שוק המעבדים הגרפיים, אלא את כלכלת תעשיית הזיכרונות העולמית. מרכזי הנתונים זקוקים לכמויות גדלות במהירות של זיכרון בעל רוחב פס גבוה — HBM — והייצור שלו מתחרה על אותם משאבים המשמשים לייצור זיכרונות DRAM עבור שרתים רגילים, מחשבים אישיים וטלפונים חכמים.

HBM בנוי ממספר שבבי DRAM המונחים זה על גבי זה ומחוברים באמצעות מוליכים העוברים דרך הסיליקון, TSV. המבנה מאפשר להעביר כמויות גדולות מאוד של מידע בין הזיכרון לבין מאיץ ה־AI, אך הוא מחייב יותר שטח סיליקון, תהליכי ייצור מורכבים ואריזה מתקדמת.

לפי נתון שהציגה Micron בכנס Hot Chips 2026, ייצור כמות נתונה של זיכרון HBM3E דורש בערך פי שלושה משטח הפרוסות הדרוש לייצור אותה קיבולת ב־DDR5. החברה העריכה כי יחס זה עלול להיות גבוה עוד יותר בדורות הבאים. המשמעות היא שהרחבת ייצור ה־HBM אינה רק מוסיפה מוצר חדש לקווי הייצור: היא מפחיתה את מספר סיביות הזיכרון הרגיל שאפשר להפיק מאותה קיבולת מפעל.

שלוש חברות ורווחיות גבוהה במיוחד

שוק ה־DRAM נשלט כמעט כולו בידי Samsung Electronics,‏ SK hynix ו־Micron. לפי נתוני Counterpoint שפורסמו בסקירת מצב השוק של The Verge, שלוש החברות החזיקו יחד בכ־90% מהשוק ברבעון השני של 2026.

כאשר הלקוחות הגדולים בתחום ה־AI מוכנים להתחייב מראש לכמויות גדולות ולשלם מחירים גבוהים, ליצרניות הזיכרון יש תמריץ ברור להפנות השקעות, כוח אדם וקיבולת ייצור למוצרי HBM ולזיכרונות שרתים מתקדמים. כך נוצר לחץ גם בשווקים שאינם משתמשים ב־HBM בעצמם.

בסקירת השוק שלה לשנת 2026, המצטטת תחזיות של Bank of America, העריכה SK hynix כי שוק ה־HBM יגיע השנה לכ־54.6 מיליארד דולר — צמיחה של 58% לעומת 2025. לפי אותה סקירה, הכנסות שוק ה־DRAM כולו צפויות לגדול ב־51%, כאשר המחיר הממוצע עולה בכ־33%.

הביקוש אינו מגיע רק מאימון מודלים גדולים. מערכות הסקה, סוכני AI, שמירת הקשר ארוך ומעבר לעיבוד רב־מודאלי מוסיפים דרישות זיכרון ואחסון בכל שכבות מרכז הנתונים. במקביל, שילוב יכולות AI מקומיות במחשבים ובטלפונים מגדיל את כמות ה־DRAM הנדרשת גם במכשירי הקצה.

חשבון ה־AI מגיע לטלפון

המחסור כבר מורגש היטב בשוק הטלפונים. לפי התחזית המעודכנת של IDC, עלויות רכיבי ה־DRAM וה־NAND עלו ביותר מ־300% לעומת השנה הקודמת. החברה צופה כי מספר הטלפונים שיימכרו בעולם ב־2026 יירד ב־16.7%, בעוד המחיר הממוצע יעלה ב־27.6% ל־581 דולר.

ההשפעה חזקה במיוחד בפלח הזול, שבו לזיכרון יש חלק גדול יחסית מעלות החומרים ושולי הרווח קטנים. יצרניות שאינן יכולות להעביר את מלוא ההתייקרות לצרכן נאלצות לצמצם את נפח הזיכרון, להשתמש ברכיבים ישנים יותר, לוותר על מצלמות או תצוגות יקרות ולבטל דגמים בעלי רווחיות נמוכה.

היצרניות הגדולות והמותגים הפועלים בשוק הפרימיום נמצאים במצב נוח יותר: יש להם כוח מיקוח מול הספקים ויכולת לגלגל חלק גדול יותר מהעלות למחיר המוצר. לכן המחסור עלול גם להאיץ את ריכוז שוק המכשירים בידי מספר קטן יותר של חברות.

אותה תופעה משפיעה על מחשבים אישיים, שרתים רגילים, ציוד תקשורת ומערכות רכב. אף שאלה אינם צורכים בהכרח HBM, כולם מתחרים על אספקת DRAM או NAND מתעשייה שהעדיפות הכלכלית שלה עברה למרכזי נתונים וללקוחות AI.

מפעל חדש אינו פתרון מיידי

יצרניות הזיכרון מגיבות בהשקעות של עשרות ומאות מיליארדי דולרים, אבל מפעלי שבבים אינם נבנים בתוך חודשים. Micron מסרה כי המפעל הראשון שהיא מקימה באיידהו יתחיל לייצר פרוסות רק באמצע 2027. החברה החלה גם בהקמת מתחם ייצור במדינת ניו יורק, אך תפוקה משמעותית ממנו צפויה רק בהמשך העשור. SK hynix מקדימה לפברואר 2027 את פתיחת החדר הנקי הראשון במפעל החדש שלה ביונגין שבדרום קוריאה.

גם לאחר השלמת המבנים נדרש זמן להתקנת הציוד, להרצת תהליכים ולהעלאת התפוקה התקינה. צוואר הבקבוק אינו מצוי רק בייצור פרוסות ה־DRAM: HBM תלוי גם בחיבור השבבים, בבדיקות וביכולות אריזה מתקדמת.

השוק עשוי כמובן להשתנות. תעשיית הזיכרונות ידועה במחזורים חריפים של מחסור ועודפי ייצור, והאטה בהשקעות ב־AI או הרחבת קיבולת מהירה מהצפוי יכולות להביא לתיקון מחירים. גם SK hynix מציינת אפשרות של לחץ על מחירי ה־HBM לאחר 2026 ככל שהתחרות והייצור יתרחבו.

אולם בטווח הקרוב, הפער בין קצב צמיחת הביקוש לבין הזמן הדרוש להוספת מפעלים מותיר מעט מרווח ביטחון. HBM הפך מרכיב אסטרטגי בתשתיות AI — ובאותו זמן הוא הפך את הזיכרון הרגיל לצוואר בקבוק המשפיע על חלק גדול מתעשיית האלקטרוניקה.

הפוסט בום ה־AI יוצר מחסור עולמי בזיכרונות — ומייקר גם טלפונים ומחשבים הופיע לראשונה ב-Chiportal.

חברת RAAAM Memory Technologies מפתח תקווה ויצרנית השבבים GlobalFoundries הודיעו על שיתוף פעולה אסטרטגי לפיתוח ולהסמכה של זיכרון GCRAM בפלטפורמת FDX המבוססת על טכנולוגיית FD-SOI. במסגרת הפרויקט השלימו החברות טייפ־אאוט של שבב ניסוי משותף — כלומר, התכנון הועבר לייצור לצורך בחינתו בסיליקון.

לפי ההודעה הרשמית של GlobalFoundries, תא הזיכרון שתוכנן במשותף צפוי להקטין ב־40% את השטח המוקצה לזיכרון ולהפחית את צריכת ההספק שלו בעד 60% לעומת זיכרון SRAM מסחרי. החברות מתכננות לאפשר ללקוחות מובילים גישה לתכנון ה־GCRAM בתחילת 2027.

ניסיון לפרוץ את צוואר הבקבוק של הזיכרון על השבב

בשבבים לבינה מלאכותית בקצה, לרכב ול־IoT, הזיכרון המשובץ עשוי לתפוס חלק גדול משטח הסיליקון. ככל שנדרש לשמור יותר נתונים בקרבת יחידות החישוב, גדלים השטח, ההספק והעלות המיוחסים למערכי SRAM. במקביל, מזעור תאי SRAM אינו מתקדם בהכרח באותו קצב שבו מצטמצמים טרנזיסטורי הלוגיקה בתהליכי ייצור מתקדמים.

RAAAM מפתחת את GCRAM — זיכרון מסוג Gain-Cell RAM — כחלופה לזיכרון SRAM משובץ. הטכנולוגיה מבוססת על תא זיכרון קטן יותר, תואמת לתהליכי CMOS רגילים ואינה דורשת הוספה של שלבי ייצור ייעודיים. עם זאת, בניגוד ל־SRAM השומר את המידע כל עוד מוזן אליו מתח, זיכרון Gain-Cell מאחסן מטען ודורש מנגנון רענון. משום כך, הצלחת הפתרון תלויה לא רק בצפיפות התא אלא גם במשך שמירת המידע, בתדירות הרענון, במהירות הגישה וביציבות בתנאי עבודה שונים.

החברות מסרו כי התא החדש תוכנן באמצעות כללי תכנון מצומצמים ומותאמים במיוחד לפלטפורמת FDX. טכנולוגיית FD-SOI של GlobalFoundries מתאפיינת בזליגה נמוכה, שלדברי RAAAM מאריכה את משך שמירת הנתונים ב־GCRAM ומפחיתה את האנרגיה הדרושה לרענון. השילוב אמור לאפשר ללקוחות להגדיל את קיבולת הזיכרון על אותו שטח שבב, או לשמור על אותה קיבולת ולהקטין את שטח הסיליקון.

רוברט גיטרמן, מנכ״ל ומייסד משותף של RAAAM, אמר כי השלמת הטייפ־אאוט בפלטפורמת FDX ממחישה את השילוב בין טכנולוגיית הזיכרון של החברה ליכולות הייצור של GlobalFoundries. לדבריו, הזליגה הנמוכה של FD-SOI יכולה להאריך את זמן שמירת הנתונים ולאפשר חיסכון משמעותי באנרגיה ביישומי בינה מלאכותית בקצה.

סודיפטו בוז, סגן נשיא לניהול מוצרי FD-SOI ב־GlobalFoundries, אמר כי שיתוף הפעולה נועד להרחיב את היצע הקניין הרוחני בפלטפורמת FDX ולהציע פתרון זיכרון המשנה את יחסי ההספק, הביצועים והשטח — PPA — ביישומי בינה מלאכותית ויישומים מתקדמים נוספים.

NXP כבר בוחנת את הפתרון

NXP Semiconductors, שהובילה בנובמבר 2025 את סבב A של RAAAM בהיקף 17.5 מיליון דולר, בוחנת כעת את יתרונות הפתרון המשותף. ויקטור וואנג, סגן נשיא לחדשנות Front End ב־NXP, אמר כי צמצום השטח וההספק עשוי לאפשר הגדלה של קיבולת הזיכרון על השבב, להפחית העברת נתונים לזיכרון חיצוני ולשפר את יעילות המערכת כולה.

הפרויקט עם GlobalFoundries מתקדם במקביל לעבודתה של RAAAM על התאמת GCRAM לתהליך 2 ננומטר של TSMC, שעליה דיווח CHIPORTAL ביוני. בעוד הפרויקט ב־TSMC בוחן את הטכנולוגיה בצומת ייצור מתקדם במיוחד, שיתוף הפעולה החדש מתמקד בהטמעתה בפלטפורמת FD-SOI המיועדת בין היתר לשבבי קצה חסכוניים באנרגיה.

עם זאת, טייפ־אאוט הוא שלב הנדסי חשוב אך אינו הוכחה סופית לביצועי הטכנולוגיה. לאחר ייצור שבב הניסוי יצטרכו החברות למדוד את הצפיפות, צריכת ההספק, זמן שמירת הנתונים, מהירות הגישה והאמינות, ורק לאחר מכן להשלים את תהליך ההסמכה ולהעמיד בלוק IP בשל לשילוב במוצרים מסחריים.

הפוסט RAAAM הישראלית ו־GlobalFoundries השלימו טייפ־אאוט לשבב ניסוי בזיכרון GCRAM הופיע לראשונה ב-Chiportal.

SK hynix הניחה את אבן הפינה למפעל הראשון שלה בארצות הברית לייצור, אריזה ובדיקות של זיכרונות HBM מהדור הבא. החברה מתכננת להשקיע במתקן בווסט לאפייט שבאינדיאנה יותר מ־4 מיליארד דולר ולהתחיל בייצור המוני במחצית השנייה של 2029.

המתקן לא יהיה מפעל מלא לייצור פרוסות סיליקון. הפרוסות המתקדמות ייוצרו במפעלי SK hynix בדרום קוריאה, יישלחו לאינדיאנה ושם יעברו את שלבי האריזה המתקדמת, הערמת שבבי הזיכרון והבדיקות.

החברה מתכננת להשלים את החדר הנקי עד אוקטובר 2028. בעת ההפעלה המסחרית צפויים לעבוד במתקן עצמו כאלף עובדים, ואילו החברה מעריכה כי הבנייה והפעילות התעשייתית שמסביבו ייצרו כ־7,000 משרות ישירות ועקיפות.

אריזה הפכה לצוואר בקבוק מרכזי

זיכרון HBM בנוי ממספר שבבי DRAM המוערמים זה על גבי זה ומחוברים בערוצים קצרים ורחבים. המבנה מאפשר להעביר כמויות גדולות של נתונים למאיצי AI במהירות גבוהה ובצריכת חשמל נמוכה יחסית.

ייצור ה־DRAM עצמו הוא רק חלק מהתהליך. הערמת השבבים, יצירת החיבורים האנכיים, בקרת החום והחיבור למאיץ דורשים תהליכי אריזה מורכבים. ככל שמספר השכבות והקיבולת גדלים, האריזה הופכת לאחד מצווארי הבקבוק החשובים בשרשרת האספקה.

המפעל באינדיאנה מיועד לדורות HBM שיגיעו אחרי HBM4. לפי דיווח רויטרס, החברה מתכננת להתחיל בו בייצור HBM4E ברבעון השלישי של 2029.

SK hynix העריכה כי המחסור ברכיבי זיכרון עלול להימשך עד 2030, על רקע הביקוש מצד אנבידיה, ספקיות הענן ומפתחי מודלים. החברה מחזיקה כיום בעמדה מובילה בשוק HBM, אך מתמודדת עם הרחבת הייצור של סמסונג ומיקרון.

מרכז פיתוח משותף עם אוניברסיטת פרדו

לצד קווי האריזה יוקם מרכז ניסויים למחקר ופיתוח. הוא ישמש את SK hynix, לקוחותיה, ספקים ואוניברסיטאות לפיתוח ולבדיקה של טכנולוגיות אריזה ואינטגרציית מערכות.

החברה חתמה עם אוניברסיטת פרדו על מזכר הבנות למחקר משותף בתחומי HBM, אריזה מתקדמת ושילוב מערכות. מיקומו של המפעל בסמוך לאוניברסיטה נועד גם להקל על גיוס מהנדסים וחוקרים.

יותר ממאה חברות נבחנות כספקיות אפשריות של חומרים, רכיבים וציוד למתקן. בכך מבקשת SK hynix לבנות סביב המפעל שרשרת אספקה מקומית ולא להסתמך רק על יבוא מאסיה.

סיוע במסגרת חוק השבבים

הפרויקט זכה להתחייבות למענקים של עד 458 מיליון דולר ולהלוואות פדרליות של עד 500 מיליון דולר במסגרת חוק השבבים האמריקני. מדינת אינדיאנה והרשויות המקומיות צפויות לספק הטבות נוספות.

למרות הכותרת „HBM מתוצרת ארצות הברית”, שלבי הייצור הקדמיים יישארו לפי שעה בדרום קוריאה. התרומה האמריקנית תתרכז בשלבים המתקדמים של האריזה והבדיקות, שהם בעלי חשיבות גדלה אך אינם מחליפים מפעל DRAM מלא.

המהלך ממחיש את ניסיונה של ארצות הברית להעביר אליה לא רק ייצור פרוסות, אלא גם את טכנולוגיות האריזה הדרושות למערכות AI. מבחינת SK hynix, הקרבה ללקוחות הגדולים בארצות הברית עשויה לקצר את שרשרת האספקה ולהעמיק את הקשר עם יצרניות המאיצים וספקיות הענן.

סוף הכתבה

מקורות:

הודעת SK hynix על המפעל באינדיאנה

דיווח רויטרס על ההשקעה והמחסור הצפוי בזיכרונות

שדות התמונה:

קישור לתמונה: בעמוד ההודעה של SK hynix מופיעה הדמיה רשמית של המפעל וכן צילום מטקס אבן הפינה.

כיתוב: הדמיית מפעל האריזה והבדיקות לזיכרונות HBM של SK hynix בווסט לאפייט, אינדיאנה. הדמיה: SK hynix

טקסט חלופי: הדמיה של מפעל SK hynix לאריזה מתקדמת של זיכרונות HBM באינדיאנה

שם הקובץ: sk-hynix-indiana-hbm-packaging-fab.jpg

הפוסט SK hynix החלה להקים בארה״ב מפעל אריזה לזיכרונות HBM בהשקעה של יותר מ־4 מיליארד דולר הופיע לראשונה ב-Chiportal.

Kioxia היפנית וסנדיסק האמריקנית הודיעו כי הן מתכננות להשקיע יחד יותר מחמישה טריליון ין, כ־31 מיליארד דולר, בפיתוח ובהרחבת ייצור זיכרונות פלאש ביפן עד 2032.

התוכנית כוללת השקעות בתשתיות ובטכנולוגיות במפעלי Yokkaichi שבמחוז מיאה ו־Kitakami שבמחוז איווטה. החברות מסרו כי היישום יתבצע בהתאם למצב השוק ומותנה בתמיכה של ממשלת יפן.

Kioxia מתכננת להקים מתקן ייצור נוסף באתר Kitakami. לפי החברה, הפעלתו מתוכננת לשנת הכספים שתתחיל באפריל 2029. ההשקעה הישירה במתקן החדש צפויה להגיע לכ־1.8 טריליון ין, כ־11.3 מיליארד דולר.

שותפות של יותר מ־25 שנה

Kioxia, שפעלה בעבר כחטיבת הזיכרונות של טושיבה, וסנדיסק משתפות פעולה בפיתוח ובייצור זיכרונות NAND במשך יותר מ־25 שנה. השתיים השקיעו בתקופה זו יותר מתשעה טריליון ין, למעלה מ־50 מיליארד דולר, במפעלים ובטכנולוגיות ביפן.

בינואר האריכו החברות את הסכם המיזם המשותף במפעל Yokkaichi עד דצמבר 2034. במסגרת השותפות הן מפתחות ומייצרות במשותף פרוסות של זיכרון Flash, ולאחר מכן מחלקות ביניהן את התפוקה.

מפעל Kitakami החל לייצר דוגמאות של הדור העשירי של BiCS Flash, שפותח במשותף בידי שתי החברות. טכנולוגיית BiCS מבוססת על הערמה אנכית של שכבות תאי זיכרון, המאפשרת להגדיל את הקיבולת בלי להרחיב באותה מידה את שטח השבב.

הבינה המלאכותית מגדילה גם את הביקוש ל־NAND

מרבית תשומת הלב בענף ממוקדת בזיכרונות HBM, המחוברים ישירות למאיצי AI. אולם התרחבות מרכזי הנתונים מגדילה גם את הצורך בזיכרונות NAND ובכונני SSD עתירי קיבולת.

מערכות אימון והסקה צריכות לאחסן מודלים, מאגרי נתונים, checkpoints ותוצאות ביניים. ככל שמספר המודלים והמשתמשים גדל, כך גדל הצורך בשכבת אחסון מהירה וחסכונית בחשמל.

Kioxia וסנדיסק אומרות כי ההשקעה תאפשר להן להגדיל את תפוקת הביטים לאורך כמה שנים ולספק זיכרונות בעלי קיבולת גבוהה, ביצועים משופרים וצריכת חשמל נמוכה יותר.

עם זאת, NAND הוא שוק מחזורי שסבל בעבר מתקופות ממושכות של עודף כושר ייצור וקריסת מחירים. ההכרזה על השקעה עד 2032 אינה מבטיחה שכל הסכום יוצא מיד, והחברות הדגישו שהקצב יותאם לביקוש ולסיוע הממשלתי.

יפן מבקשת לשקם את תעשיית השבבים

התוכנית משתלבת במדיניות ממשלת יפן להחזיר למדינה חלק מהמשקל שאיבדה בתעשיית המוליכים למחצה. הממשלה מסבסדת מפעלים של TSMC, תומכת ב־Rapidus ומממנת הרחבות של יצרניות זיכרון וחומרי גלם.

מבחינת יפן, השותפות בין Kioxia לסנדיסק משלבת ייצור מקומי עם שיתוף פעולה אמריקני ומחזקת את שרשרת האספקה מחוץ לסין. מבחינת החברות, התמיכה הציבורית עשויה להפחית את הסיכון הכרוך בהקמת מפעלי NAND בתקופה שבה הביקוש גבוה אך המחזוריות בענף לא נעלמה.

הפוסט Kioxia וסנדיסק מתכננות להשקיע יותר מ־31 מיליארד דולר בייצור זיכרונות ביפן הופיע לראשונה ב-Chiportal.

CCSH, החברה האם של יצרנית זיכרונות הפלאש הסינית YMTC, הגישה בקשה להנפקה בבורסת שנחאי שבמסגרתה היא מבקשת לגייס כ־33 מיליארד יואן – כ־4.9 מיליארד דולר.

הבקשה התקבלה לבחינה בשוק STAR, זירת המסחר של שנחאי המיועדת לחברות טכנולוגיה. אם תושלם, תהיה זו ההנפקה השלישית בגודלה בתולדות השוק, אחרי הנפקות יצרנית זיכרונות ה־DRAM הסינית CXMT ויצרנית השבבים SMIC.

CCSH מתכננת להנפיק בין 1.98 ל־2.43 מיליארד מניות חדשות. הטווח משקף שווי אפשרי של כ־275–330 מיליארד יואן לאחר ההנפקה, שהם כ־41–49 מיליארד דולר. YMTC היא הפעילות המרכזית בקבוצה ואחראית ליותר מ־90% מהכנסותיה.

YMTC מפתחת ומייצרת זיכרונות NAND המשמשים בכונני SSD, טלפונים חכמים, שרתים ומערכות אחסון למרכזי נתונים. לפי נתונים שצורפו לתשקיף, הכנסות החברה הגיעו ברבעון הראשון של 2026 ל־47 מיליארד יואן – כמעט פי חמישה מהתקופה המקבילה. הרווח הנקי הסתכם ב־33.38 מיליארד יואן, יותר מכפליים מהרווח שרשמה בכל שנת 2025.

הזינוק נבע משילוב של ביקוש למערכות אחסון עבור תשתיות AI, מחסור עולמי בזיכרונות והפעלת מפעלי YMTC סמוך לתפוקה מלאה. מחיר המכירה הממוצע של מוצרי NAND ברבעון הראשון היה גבוה ב־173% מהממוצע בשנת 2025, ושיעור הרווח הגולמי עלה מ־35.3% ל־76.8%.

CCSH טוענת כי ברבעון הראשון דורגה YMTC במקום השלישי בעולם במכירות ובמשלוחי זיכרונות NAND, אחרי שהצליחה לצמצם את הפער מסמסונג, SK hynix, מיקרון, קיוקסיה וסנדיסק.

מתוך כספי ההנפקה מתכננת הקבוצה להשקיע 20.8 מיליארד יואן בשדרוג קווי הייצור ועוד 12.2 מיליארד יואן במחקר ופיתוח. במקביל היא ממשיכה להתמודד עם מגבלות יצוא אמריקניות: YMTC נמצאת ברשימת הישויות של משרד המסחר האמריקני מאז 2022, ומופיעה גם ברשימת החברות הסיניות המקושרות לצבא שמנהל הפנטגון.

הפוסט חברת האם של YMTC בדרך להנפקת ענק הופיע לראשונה ב-Chiportal.

דירקטוריון SK Hynix אישר השקעה של 54.3 טריליון וון, כ־38.3 מיליארד דולר, בהקמת ובהרחבת שני מפעלי שבבים בדרום קוריאה. ההשקעה תיפרס עד 2031 ותגדיל את כושר הייצור של זיכרונות DRAM,‏ HBM ו־NAND.

מתוך הסכום הכולל יושקעו 35.2 טריליון וון בשלב השני של מפעל החברה ביונגין, מדרום לסיאול. 19.1 טריליון וון נוספים יושקעו בהקמת מפעל M17 בצ'אונגג'ו.

המפעל החדש ביונגין, המכונה Y2, יהיה השני מתוך ארבעה מפעלי ייצור המתוכננים במתחם השבבים הגדול שמקימה החברה באזור. עבודות הבנייה אמורות להתחיל ביולי 2027, וחדר הייצור הנקי הראשון צפוי להיפתח ביוני 2029.

המפעל יתמקד בזיכרונות DRAM מתקדמים, ובהם זיכרונות HBM בעלי רוחב פס גבוה המשמשים מאיצי AI ושרתים. המפעל הראשון במתחם יונגין כבר נמצא בהקמה, וחדר הייצור הנקי הראשון בו צפוי להתחיל לפעול בפברואר 2027.

מפעל NAND חדש בצ'אונגג'ו

במקביל תקים SK Hynix את מפעל M17 בצ'אונגג'ו. הקמתו צפויה להתחיל בפברואר 2027, וחדר הייצור הראשון אמור להיפתח בדצמבר 2028.

מפעל זה יוקדש בעיקר לזיכרונות NAND, המשמשים לאחסון נתונים במחשבים, בטלפונים, במרכזי נתונים ובשרתי AI. הגידול בהיקף האימון וההרצה של מודלים מגדיל לא רק את הביקוש ל־HBM, אלא גם את הצורך במערכות אחסון מהירות ובעלות קיבולת גבוהה.

האישור הנוכחי הוא חלק מתוכנית רחבה בהרבה של SK Hynix. החברה מסרה ביוני כי בכוונתה להשקיע לאורך השנים כ־600 טריליון וון במתחם יונגין וכ־100 טריליון וון בהרחבת בסיס הייצור בצ'אונגג'ו.

ההשקעה הגדולה מבטאת את הערכת SK Hynix שהביקוש לזיכרונות עבור AI יישאר גבוה לאורך זמן. עם זאת, בשל משך ההקמה הארוך, מרבית הקיבולת החדשה לא תהיה זמינה לפני סוף העשור ולכן לא צפויה להקל מיד על מגבלות האספקה בשוק ה־HBM.

הפוסט SK Hynix תשקיע 38.3 מיליארד דולר בשני מפעלי זיכרונות חדשים בדרום קוריאה הופיע לראשונה ב-Chiportal.

חברת סיוה (Ceva) דיווחה על שיא של שלוש שנים בהכנסות מרישוי, לאחר שחברה גלובלית בתחום ה־AI ופלטפורמות המחשוב בחרה בארכיטקטורת NeuPro-M של סיוה לצורך פיתוח שבב בינה מלאכותית ייעודי.

זהות הלקוחה לא נמסרה. בסיוה ציינו כי מדובר בחברה השולטת הן בסביבת החומרה והן בסביבת מערכת ההפעלה, ולכן ההסכם עשוי להרחיב את מעורבותה של סיוה מעבר לאספקת קניין רוחני נקודתי ולכלול גם תוכנה וידע ברמת המערכת.

הכנסות סיוה ברבעון השני של 2026 הסתכמו ב־29 מיליון דולר, עלייה של 13% לעומת 25.7 מיליון דולר ברבעון המקביל. ההכנסות מרישוי ומפעילויות נלוות עלו ב־21% והגיעו ל־18.2 מיליון דולר – הרמה הגבוהה ביותר שרשמה החברה בשלוש השנים האחרונות.

ההכנסות מתמלוגים הסתכמו ב־10.8 מיליון דולר, עלייה של 1% לעומת השנה שעברה ושל 17% לעומת הרבעון הקודם. בחברה ייחסו את השיפור לגידול במשלוחי רכיבי קישוריות אלחוטית, להתרחבות תוכניות AI לרכב ולהתאוששות בתמלוגים משוק הטלפונים החכמים.

עשרה הסכמי רישוי חדשים

במהלך הרבעון חתמה סיוה על עשרה הסכמי רישוי, מהם שניים עם לקוחות חדשים ושניים ישירות עם יצרניות ציוד. לצד ההסכם בתחום שבבי ה־AI המותאמים, נרשמו הסכמים בתחומי Wi-Fi, Bluetooth ועיבוד אותות.

יצרנית שבבים אמריקנית המייצרת בכמויות גדולות הוסיפה למוצריה שבב המבוסס על קניין רוחני של סיוה ל־Wi-Fi 6 ול־Bluetooth Low Energy. לקוח אמריקני אחר הרחיב רישיון קודם, מרכיב בודד של עיבוד אותות למערכת עיבוד מלאה.

סיוה השיקה ברבעון גם את RealSpace Elevate, תוכנת שמע מרחבי המיועדת לשוק משחקי המחשב וקיבלה הסמכה ממיקרוסופט.

החברה עדיין רשמה הפסד תפעולי חשבונאי של 2.1 מיליון דולר, לעומת הפסד של 4.5 מיליון דולר ברבעון המקביל. ההפסד הנקי הצטמצם מ־3.7 מיליון דולר ל־2.9 מיליון דולר. בנטרול סעיפים חשבונאיים מסוימים רשמה סיוה רווח תפעולי של 3.1 מיליון דולר ושיעור רווח תפעולי של 11%, לעומת 3% בלבד לפני שנה.

לדברי מנכ"ל סיוה, אמיר פנוש, ההסכם החדש מרחיב את בסיס לקוחות ה־AI של החברה ומאפשר לה להגדיל את חלקה בתכנון המערכות של הלקוחות.

העסקה מדגישה שינוי בשוק הקניין הרוחני לשבבים: לצד חברות הסמיקונדקטור המסורתיות, חברות תוכנה, ענן ופלטפורמות מפתחות כיום שבבים מותאמים כדי לשלוט טוב יותר בביצועים, בצריכת החשמל ובשילוב שבין החומרה לתוכנה.

הפוסט סיוה רשמה שיא של שלוש שנים בהכנסות מרישוי; חברת AI גלובלית תפתח שבב ייעודי על בסיס NeuPro-M הופיע לראשונה ב-Chiportal.