החברות טוענות כי תא הזיכרון שפיתחו לפלטפורמת FDX מצמצם את שטח הזיכרון ב־40% ואת צריכת ההספק בעד 60% לעומת SRAM; גישה לתכנון עבור לקוחות מובילים מתוכננת לתחילת 2027
חברת RAAAM Memory Technologies מפתח תקווה ויצרנית השבבים GlobalFoundries הודיעו על שיתוף פעולה אסטרטגי לפיתוח ולהסמכה של זיכרון GCRAM בפלטפורמת FDX המבוססת על טכנולוגיית FD-SOI. במסגרת הפרויקט השלימו החברות טייפ־אאוט של שבב ניסוי משותף — כלומר, התכנון הועבר לייצור לצורך בחינתו בסיליקון.
לפי ההודעה הרשמית של GlobalFoundries, תא הזיכרון שתוכנן במשותף צפוי להקטין ב־40% את השטח המוקצה לזיכרון ולהפחית את צריכת ההספק שלו בעד 60% לעומת זיכרון SRAM מסחרי. החברות מתכננות לאפשר ללקוחות מובילים גישה לתכנון ה־GCRAM בתחילת 2027.
ניסיון לפרוץ את צוואר הבקבוק של הזיכרון על השבב
בשבבים לבינה מלאכותית בקצה, לרכב ול־IoT, הזיכרון המשובץ עשוי לתפוס חלק גדול משטח הסיליקון. ככל שנדרש לשמור יותר נתונים בקרבת יחידות החישוב, גדלים השטח, ההספק והעלות המיוחסים למערכי SRAM. במקביל, מזעור תאי SRAM אינו מתקדם בהכרח באותו קצב שבו מצטמצמים טרנזיסטורי הלוגיקה בתהליכי ייצור מתקדמים.
RAAAM מפתחת את GCRAM — זיכרון מסוג Gain-Cell RAM — כחלופה לזיכרון SRAM משובץ. הטכנולוגיה מבוססת על תא זיכרון קטן יותר, תואמת לתהליכי CMOS רגילים ואינה דורשת הוספה של שלבי ייצור ייעודיים. עם זאת, בניגוד ל־SRAM השומר את המידע כל עוד מוזן אליו מתח, זיכרון Gain-Cell מאחסן מטען ודורש מנגנון רענון. משום כך, הצלחת הפתרון תלויה לא רק בצפיפות התא אלא גם במשך שמירת המידע, בתדירות הרענון, במהירות הגישה וביציבות בתנאי עבודה שונים.
החברות מסרו כי התא החדש תוכנן באמצעות כללי תכנון מצומצמים ומותאמים במיוחד לפלטפורמת FDX. טכנולוגיית FD-SOI של GlobalFoundries מתאפיינת בזליגה נמוכה, שלדברי RAAAM מאריכה את משך שמירת הנתונים ב־GCRAM ומפחיתה את האנרגיה הדרושה לרענון. השילוב אמור לאפשר ללקוחות להגדיל את קיבולת הזיכרון על אותו שטח שבב, או לשמור על אותה קיבולת ולהקטין את שטח הסיליקון.
רוברט גיטרמן, מנכ״ל ומייסד משותף של RAAAM, אמר כי השלמת הטייפ־אאוט בפלטפורמת FDX ממחישה את השילוב בין טכנולוגיית הזיכרון של החברה ליכולות הייצור של GlobalFoundries. לדבריו, הזליגה הנמוכה של FD-SOI יכולה להאריך את זמן שמירת הנתונים ולאפשר חיסכון משמעותי באנרגיה ביישומי בינה מלאכותית בקצה.
סודיפטו בוז, סגן נשיא לניהול מוצרי FD-SOI ב־GlobalFoundries, אמר כי שיתוף הפעולה נועד להרחיב את היצע הקניין הרוחני בפלטפורמת FDX ולהציע פתרון זיכרון המשנה את יחסי ההספק, הביצועים והשטח — PPA — ביישומי בינה מלאכותית ויישומים מתקדמים נוספים.
NXP כבר בוחנת את הפתרון
NXP Semiconductors, שהובילה בנובמבר 2025 את סבב A של RAAAM בהיקף 17.5 מיליון דולר, בוחנת כעת את יתרונות הפתרון המשותף. ויקטור וואנג, סגן נשיא לחדשנות Front End ב־NXP, אמר כי צמצום השטח וההספק עשוי לאפשר הגדלה של קיבולת הזיכרון על השבב, להפחית העברת נתונים לזיכרון חיצוני ולשפר את יעילות המערכת כולה.
הפרויקט עם GlobalFoundries מתקדם במקביל לעבודתה של RAAAM על התאמת GCRAM לתהליך 2 ננומטר של TSMC, שעליה דיווח CHIPORTAL ביוני. בעוד הפרויקט ב־TSMC בוחן את הטכנולוגיה בצומת ייצור מתקדם במיוחד, שיתוף הפעולה החדש מתמקד בהטמעתה בפלטפורמת FD-SOI המיועדת בין היתר לשבבי קצה חסכוניים באנרגיה.
עם זאת, טייפ־אאוט הוא שלב הנדסי חשוב אך אינו הוכחה סופית לביצועי הטכנולוגיה. לאחר ייצור שבב הניסוי יצטרכו החברות למדוד את הצפיפות, צריכת ההספק, זמן שמירת הנתונים, מהירות הגישה והאמינות, ורק לאחר מכן להשלים את תהליך ההסמכה ולהעמיד בלוק IP בשל לשילוב במוצרים מסחריים.
