הפתרון מורכב ממעבד ממוטב דל הספק ועתיר ביצועים ומ-IP פיסי מבית ARM; מאיפשוּר כלים, חיבוריות IP וזרימת תכנון משולבת מבית סינופסיס; ומטכנולוגיית תהליך דלת הספק על 32/28 ננומטר מברית ה-Common Platform של יבמ, סמסונג ו-GLOBALFOUNDRIES
.
| הדגמת טכנולוגית high-k metal gate של יבמ |
ARM, יבמ, סמסונג, GlogalFoundries וסינופסיס הכריזו על פלטפורמת תכנון מלאה וממוטבת אנכית הראשונה בתעשייה על תהליך 32/28 ננומטר. החברות מספקות ביחד פתרון מאפשר טכנולוגיות המיועד לתכנון וייצור של התקנים משובצים וניידים מתקדמים.
הפתרון מורכב ממעבד ממוטב דל הספק ועתיר ביצועים ומ-IP פיסי מבית ARM; מאיפשוּר כלים, IP חיבוריות וזרימת תכנון משולבת מבית סינופסיס; ומטכנולוגיית תהליך דלת הספק על 32/28 ננומטר מברית ה-Common Platform של יבמ, סמסונג ו-GLOBALFOUNDRIES. תהליך ה-32/28 ננומטר של ה-Common Platform משתמש בגישת HKMG (high-k metal gate) כדי להתמודד עם מגבלותיה של טכנולוגיית הפוליסיליקון. התהליך ממנף את יוזמות המו"פ של ברית הפיתוח הטכנולוגי של יבמ כדי להציע פלטפורמת ייצור בעל רמת ביצועים גבוהה והספק נמוך.
טכנולוגיית ה-32 ננומטר מדרגית ויכולה לעבור ל-28 ננומטר כדי להשיג מיטוב השטח. הלקוחות יכולים לעבור בצורה חלקה ונטולת הפרעה לטכנולוגיית 28 ננומטר ללא צורך בתכנון מחדש משמעותי, עם רמה נמוכה של סיכון, תוך הקטנת העלויות והאצת זמן היציאה לשוק.
פתרון מלא זה מוכיח את חשיבותם של שיתופי פעולה בתעשייה, שעוזרים להתמודד עם המורכבות ההולכת וגדלה של תכנון SoC בשעה שהטכנולוגיה עוברת לגיאומטריות יותר ויותר קטנות.
| {loadposition content-related} |
