חברת פוג'יטסו אמורה להתחיל בייצור המוני של התקני חשמל מבוססי GaN במחצית השניה של 2013.
חברת פוג'יטסו אמורה להתחיל בייצור המוני של התקני חשמל מבוססי GaN במחצית השניה של 2013. התקנים אלה יאפשרו לפוג'יטסו להציע אותם לשימוש במגוון של יישומי צריכת זרם ותתרום ליישום החזון של סביבה חסכונית באנרגיה. פוג'יטסו צופה כי תרוויח 10 מיליארד יין (125 מיליון דולר) במכירות מהתקני GaN בשנת 2015.
.
בהשוואה להתקני כוח מבוססי סיליקון, ההתקנים מבוססי GaN מאפשרים תכונות כגון הפחתה בהתנגדות החשמלית ויכולת לבצע פעולות בתדירות גבוהה. מאפיינים אלה צפויים לתרום לשיפור ביעילות ההמרה של יחידות אספקת החשמל ולהפוך אותם לקומפקטיים יותר.
פוג'יטסו מבקשת למסחר את יחידות ה- GaNעל גבי מצע סיליקון, שביחד עם הגידול בקוטר פרוסות הסיליקון יאפשר ייצור זול של התקנים אלה. כדי להשיג משימה זו, פיתחה פוג'יטסו טכנולוגיות שיאפשרו לשותפים לנסות את המערכת בייצור דוגמאות החל משנת 2011 והם עובדים ביחד עם השותפים כדי לבצע אופטימיזציה של רכיבים אלה לשימוש עתידי ביחידות אספקת חשמל.
בשיתוף עם מעבדות פוגי'טסו, מעורבת פוגי'טסו סמיקונדוקטור במספר יוזמותל פיתוח טכניות, כגון פיתוח תהליך טכנולוגי לגידול GaN באיכות גבוהה על מצע סיליקון. פיתוח טכנולוגיות אלה, וכן האופטימיזציה של תכנון האלקטרודות לבקרת הגידול של ההתנגדות בזמן אמת במהלך מיתוג, וכן התאמצת יחידת הכוח למיתוג במהירות גבוהה של התקנים מבוססי GaN.
החברה גם פיתחה אב טיפוס של יחידת כוח לשרתים המצוידים בהתקני כוח מבוססי GaN לתיקון צריכת החשמל והצליחה להשיג כוח של 2.5 קילוואט.
| {loadposition content-related} |
