מוקדם יותר בשנת 2017, הציגה חברת Globalfoundries את טכנולוגיית מוליכים למחצה של 7nm 7LP אשר לטענתה תספק למעלה מ -40% יותר כוח עיבוד ויחתוך במחצית את השטח שדרשה טכנולוגית FinFET של 14ננומטר.
GlobalFoundries תהיה הראשונה להשתמש בטכנולוגיית ליתוגרפיה EUV בצומת FinFET שלה בטכנולוגית 7 ננומטר. החברה החלה לעבוד עם AMD בפיתוח תהליך, אמר CTO החברה גארי פטון באירוע שנערך לאחרונה בשנחאי.
מוקדם יותר בשנת 2017, הציגה חברת Globalfoundries את טכנולוגיית מוליכים למחצה של 7nm 7LP אשר לטענתה תספק למעלה מ -40% יותר כוח עיבוד ויחתוך במחצית את השטח שדרשה טכנולוגית FinFET של 14ננומטר. החברה גם חשפה שהיא משקיעה בציוד חדש, כולל הוספת שני כלי הליתוגרפיה הראשונים של EUV במחצית השנייה של 2017, כדי להאיץ את תהליך הייצור של LP7, הייצור הראשוני של 7LP יהיה מבוסס על גישת ליתוגרפיה אופטית, עם הגירה לליתוגרפית EUV כאשר הטכנולוגיה תהיה מוכנה לייצור בכמויות גדולות
| {loadposition content-related} |
