אינטל ומיקרון חושפות: כרטיס זיכרון של 10 טרה-בייט שיוצר בטכנולוגית תלת ממד

טכנולוגית NAND 3D עורמת שכבות של תאי אחסון באופן אנכי ומאפשרת ייצור התקני אחסון צפופים יותר, שמניבים נפחים גדולים יותר, ביצועים משופרים, צריכת חשמל נמוכה והפחתת עלויות

חברת אינטל וחברת מיקרון (Micron Technology) חשפו טכנולוגיה פורצת דרך בתחום זיכרונות הפלאש. טכנולוגיית ה-NAND התלת-ממדית החדשה מאפשרת פיתוח של הזיכרון הדחוס בעולם וייצור כרטיסי SSD סטנדרטיים עם נפח הגדול מ-10 טרה-בייט.

ה-NAND 3D, עורמת שכבות של תאי אחסון באופן אנכי ולייצר התקני אחסון עם קיבולת הגדולה פי שלושה מאשר טכנולוגיות NAND מתחרות. הטכנולוגיה החדשה מאפשרת לדחוס יותר תאי אחסון בשטח קטן, ומספקת חיסכון משמעותי בעלויות ובצריכת החשמל וביצועים גבוהים, כדי להניע את השוק לשימוש רחב יותר בזיכרונות פלאש.

NAND 3D עורמת אנכית תאי פלאש ב-32 שכבות, על מנת להשיג תא רב שכבתי (MLC) של 256 ג’יגה-בייט ותבנית תא תלת-שכבתי (TLC) של 384 ג’יגה, שיתאימו למארז סטנדרטי. קיבולות אלו מאפשרות לייצר כרטיסי SSD בגודל של מסטיק לערך, ונפח אחסון של יותר מ-3.5 טרה-בייט וכרטיסי SSD סטנדרטיים של 2.5 אינץ’ עם קיבולת של יותר מ-10 טרה-בייט.

הטכנולוגיה הקודמת – זיכרון הפלאש NAND המישורי – מתקרבת למגבלת ההתרחבות המעשית והדבר מציב אתגרים משמעותיים בפני תעשיית הזיכרונות. טכנולוגיית NAND 3D היא בבחינת אבן דרך משמעותית בהתפתחות שוק זה, ומאפשרת פתרונות אחסון המתפתחים על פי חוק מור, במסלול מתמיד של שיפור הביצועים והפחתת העלויות.

“שיתוף הפעולה בין מיקרון לאינטל יצר את טכנולוגיית האחסון המובילה בתעשיה”, התגאה בריאן שירלי, סגן נשיא לטכנולוגיות ופתרונות זיכרון במיקרון. “NAND 3D מציעה צפיפות גבוהה, ביצועים ויעילות ללא מתחרים בשום טכנולוגיית פלאש אחרת כיום, ועתידה לחולל שינוי יסודי בשוק. עוצמת ההשפעה שנודעה עד היום לזיכרונות הפלאש – החל מטלפונים חכמים וכלה בסופר-מחשוב שביצועיו משתפרים הודות לפלאש – הם שיפורים שרק מתחילים למצות את הפוטנציאל הממשי”.

“מאמצי הפיתוח של אינטל ומיקרון משקפים את המחויבות המתמשכת שלנו לספק לשוק טכנולוגיות זיכרון בלתי-נדיף מובילות וחדשניות”, אמר רוב קרוק, סגן נשיא בכיר ומנהל כללי של קבוצת פתרונות הזיכרון הבלתי נדיף באינטל. “השיפורים המשמעותיים בצפיפות ובעלות שמאפשרת טכנולוגיית ה-NAND 3D החדשה שלנו יאיצו את האחסון בטכנולוגיית SSD בפלטפורמות מחשוב מגוונות”.

אחד ההיבטים המשמעותיים ביותר של הטכנולוגיה החדשה טמון בתא הזיכרון הבסיסי עצמו: אינטל ומיקרון בחרו להשתמש בתא שער צף – תקן אוניברסלי שעבר ליטושים במשך שנים של ייצור כמויות גדולות של זיכרונות מישוריים. זהו השימוש הראשון בתא שער צף ב-NAND 3D.

מאחר והקיבולת מושגת על-ידי הערמת התאים באופן אנכי, מידותיו של התא הבודד יכולות להיות גדולות יותר באופן ניכר. סידור זה צפוי לשפר הן את הביצועים והן את הסיבולת ולהפוך אפילו את תכני ה-TLC למתאימים לאחסון מרכז נתונים.

• קיבולת גדולה: פי 3 מטכנולוגיית D3 קיימת – עד 48 ג’יגה-בייט של NAND לתבנית המאפשרת להתקן אחסון בנפח 0.75 טרה-בייט להיכנס למארז שגודלו כקצה האצבע.
• עלות מופחתת לג’יגה-בייט: הדור הראשון של NAND 3D נבנה כך שיפעל באופן חסכוני יותר מאשר NAND מישורי.
• מהירות: רוחב פס גדול לביצועי קריאה/כתיבה משופרים, מהירות קלט/פלט וקריאה אקראית.
• ידידותי לסביבה: מצב “שינה” חדש מאפשר פעולה בצריכת חשמל נמוכה, על-ידי צמצום כמות החשמל הנדרשת לתבנית לא פעילה.
• חכם: מאפיינים חדשים משפרים את מהירות האחזור, מגדילים את הסיבולת בהשוואה לדורות קודמים ואף מקלים על אינטגרציה של המערכת.
• גרסת ה-256 ג’יגה-בייט MLC של NAND 3D נמצאת כעת בבדיקה אצל שותפים נבחרים ודגם ה-384 ג’יגה-בייט TLC ייבחן בשלב מאוחר יותר. קו הייצור כבר החל בהרצות ראשוניות ושני ההתקנים יגיע להיקף ייצור מלא עד לרבעון הרביעי של השנה. שתי החברות מפתחות גם קווים של פתרונות SSD המבוססים על טכנולוגיית NAND 3D ומצפים להשיק את המוצרים בשנה הבאה.