לפי החברה תהליך הייצור החדש דורש 10% צריכת אנרגיה חשמלית ומוביל לשבב שגודלו קטן ב-10% לעומת תהליך הייצור הנוכחי ב-10 ננו-מטר, מה שאמור כמובן לייעל את צריכת הכוח הכללית של מכשיר בו הוא ישובץ
סמסונג (Samsung) הודיעה שסיימה את תהליכי הבדיקה של תהליכי ייצור שבבים ב-8 ננו-מטר ושהם מוכנים כבר להתחיל להיכנס לשרשרת הייצור. מדובר בטכנולוגיית ייצור בתהליך FinFET בצריכת כוח נמוכה פלוס, או 8LPP.
לפי החברה תהליך הייצור החדש דורש 10% צריכת אנרגיה חשמלית ומוביל לשבב שגודלו קטן ב-10% לעומת תהליך הייצור הנוכחי ב-10 ננו-מטר, מה שאמור כמובן לייעל את צריכת הכוח הכללית של מכשיר בו הוא ישובץ.
בסמסונג מצפים לאימוץ מהיר של התהליך החדש מכיוון שמדובר שהוא מתבסס למעשה על תהליך ה-10 ננו-מטר הקיים של החברה, רק עם יותר ביצועים ועם יותר התאמות לצרכים. סמסונג אמורה להציע את התהליך החדש גם ליצרניות מעבדים אחרות, כשהמובילה ברשימה היא קוואלקום (Qualcomm).
"המפעלים של סמסונג ממשיכים להרחיב את פורטפוליו תהליכי הייצור בכדי לספק יתרונות תחרותיים ברורים ויכולת ייצור מצוינת המבוססת על מה שהלקוחות שלנו והשוק דורשים", אמר ריין לי, סגן נשיא לשיווק המפעלים בסמסונג.
תהליך הייצור ב-8 ננו מטר הוא האחרון שניתן להשיג בתהליכי ייצור "רגילים" לפני שימוש בתהליכי ייצור המבוססים על אור אולטרה סגול קיצוני (EUV) הנדרשים עבור ייצור סיליקון בתהליכי 7 ננו מטר ומטה.
by Taboola Promoted Links …
עושה סוויץ': מיקרוסופט משנה כיוון בכל הנוגע ל-Windows 10 S
| {loadposition content-related} |
)
