כצפוי הטכנולוגיה תספק שיפורי ביצועים, חסכון באנרגיה וגידול בנפח השבב לעומת 5 ננומטר אך התהליך גם יהיה יקר יותר והייצור יארוך זמן רב יותר
לאחרונה דווח כי סמסונג חשפה תוכניות להסבת טכנולוגית הייצור שלה מ-5 ל-3 ננומטר ואחר כך ל-2 ננומטר. המועד שנקבע ל-3 ננומטר הוא כבר ב-2022, ואילו טכנולוגית 2 ננומטר תצא לשוק בשנת 2025. כעת מגיעה התשובה של המתחרה הגדולה שלה בתחום ייצור בשבבים, TSMC.
היצרנית הטאיואנית חשפה לאחרונה את העדכון למפת הדרכים של טכנולוגיות הייצור שלה תוך התמקדות בטכנולוגיות N3, N3E ו- N2. (2 ננומטר).
טכנולוגיית N3 של TSMC תספק שיפור ביצועים של כ-10%, חסכון בהספק של כ-25% ושטח גבוה פי 1.7 ללוגיקה לעומת טכנולוגית 5 ננומטר, אבל תהליך הייצור יסתמך רבות על ליתוגרפיה בתחום האולטרה סגול הקיצוני (EUV) שיהיה מורכב משכבות רבות יותר ולכן יקר יותר והייצור יימשך זמן רב יותר. לפיכך ההערכה בענף היא כי גם אם הייצור ההמוני בטכנולוגית 3 ננומטר של TSMC יתחיל במחצית השניה של 2022, השבבים הראשונים יגיעו לשוק רק בתחילת 2023.
לדברי מנכ”ל החברה סי.סי. וויי, ייצור נסיוני בטכנולוגית N3 מתוכנן בשנת 2021, והייצור יתחיל במחצית השנייה של 2022″, אמר CC Wei, מנכ”ל TSMC. . אנו מצפים לראות ההכנסות ברבעון הראשון של 2023 כי הייצור לוקח הרבה זמן. שנה לאחר מכן תוציא TSMS תהליך משופר שייקרא N3E. לדברי ווויי, תהליך זה יכלול חלון תהליכי ייצור משופר עם ביצועים טובים יותר, עוצמה ותשואה. ייצור נפח של N3E מתוכנן לשנה לאחר N3″.
החברה מאשרת כעת רשמית כי הצומת N2 מתוכנן לשנת 2025, אם כי עדיין לא מסרה פירוט טכנולוגי.
