הטכנולוגיה הזאת תשמש ככלי בהתמודדות עם הזינוק בנפחי הנתונים הדרושים בתחומים דוגמת מכוניות מקושרות, מכשירי מובייל ובינה מלאכותית
חברת Western Digital פיתחה בהצלחה את הדור החמישי בטכנולוגיית שבבי זיכרון בלתי נדיף תלת-ממדיים, 3D NAND. שבבי BiCS5 החדשים שבים ומבססים את מעמדה המוביל של החברה כיצרנית שבבי זיכרון הפלאש המתקדמת ביותר בתעשייה. BiCS5 נשענים על טכנולוגיות תאי זיכרון המכילים שלושה (TLC) וארבעה (QLC) ביט של נתונים לכל תא, על מנת להציע קיבולת עצומה, ביצועים ואמינות ומחיר זול. בכך, הופכת הטכנולוגיה הזאת לכלי בהתמודדות עם הזינוק בנפחי הנתונים הדרושים בתחומים דוגמת מכוניות מקושרות, מכשירי מובייל ובינה מלאכותית.
Western Digital כבר החלה בייצור ראשוני של שבבי BiCS5 TLC בנפח 512Gb, ומספקת כבר מוצרי צריכה הבנויים בטכנולוגיה החדשה. ייצור שבבי BiCS5 בכמויות מסחריות משמעותיות צפוי במחצית השניה של השנה. שבבי BiCS5 TLC ו- BiCS5 QLC יהיו זמינים במגוון נפחי איכסון, לרבות 1.33 טרא-ביט (Tb).
לדברי ד”ר Steve Paak, סגן נשיא בכיר לטכנולוגיות זיכרון וייצור ב- Western Digital, “ככל שאנו עוברים אל העשור הבא, נדרשת גישה חדשה לשדרוג והרחבה של יכולות 3D NAND על מנת שנוכל להמשיך לעמוד בביקושים לנפחי נתונים ההולכים וגדלים. הצלחתנו בייצור BiCS5 ממחישה את מעמדה המוביל של Western Digital בתחום טכנולוגיית הפלאש, ומימוש מוצלח של מפת הדרכים שלנו. קידום ומינוף החידושים במסגרת טכנולוגיית הזיכרון שלנו יאפשרו להגדיל את צפיפות הזיכרון במונחים של כמות המידע ליחידת שטח וכמות השכבות ליחדת שטח על פיסת סיליקון. באמצעים אלה ואחרים הרחבנו משמעותית את הקיבולת והביצועים של טכנולוגיית 3D NAND שלנו, תוך שאנו ממשיכים לספק את האמינות והמחירים להם מצפים לקוחותינו.”
טכנולוגיית BiCS5 נבנתה תוך ניצול ושילוב שורת חידושים טכנולוגיים וחדשנות בתחומי תהליכי הייצור, והיא כיום טכנולוגיית ה- 3D NAND בעלת הצפיפות הגבוהה ביותר והמתקדמת ביותר הזמינה בשוק. הדור השני של טכנולוגיית multi-tier memory hole משפר את התהליכים ההנדסיים ומציע שורת שיפורים נוספים בתאי הזיכרון בשבבי 3D NAND, תוך הגדלת הצפיפות האופקית של מערך התאים, לכל רוחב פרוסת הסיליקון. חידושים בתחום המידרוג הרוחבי (lateral scaling) יחד עם יכולות להטבעת 112 שכבות זיכרון אנכיות, מאפשרים ל- BiCS5 להציע קיבולת אחסון גדולה בשיעור של עד 40% לכל פרוסת סיליקון, בהשוואה לטכנולוגיית BiCS4 בת 96 שכבות – תוך אופטימיזציה של העלויות. שיפורים בתכנון מאיצים את הביצועים, ומאפשרים ל- BiCS5 להציע עד 50% יותר ביצועים במימשק הקריאה/כתיבה בהשוואה ל- BiCS4.
טכנולוגיית BiCS5 פותחה בשיתוף פעולה עם חברת Kioxia, השותפה בטכנולוגיה ובייצור. השבבים ייוצרו במפעלים המשותפים לשתי החברות, ב- Yokkaichi וב- Kitakami, יפן.
הצגת טכנולוגיית BiCS5 נשענת על סל טכנולוגיות 3D NAND של Western Digital, המיועדות לשימוש במכשירי אלקטרוניקה אישיים, טלפונים חכמים, מכשירי IoT ומרכזי עיבוד נתונים.
