בימים אלה כאשר תעשיית ההייטק העולמית קצת מגהקת, תעשיית השבבים ממשיכה במרוץ לכיבוש הטכנולוגיה הבאה. בעבר היתה זו אינטל שהובילה את שוק השבבים ביחד עם שתי חברות מהמזרח, TSMC הטיוואנית ו- Samsung הקוריאנית אך בשנים האחרונות עקפו שתי הענקיות מהמזרח את אינטל ונותרו לבד במרוץ הצמרת.
בחודש החולף מיהרה סמסונג להכריז כי החלה ביצור מסחרי ראשון של שבבים בגודל 3 ננומטר תוך ישום ארכיטקטורת טרנזיסטור Gate-All-Around (GAA). מתחרתה TSMC המיישמת את טכנולוגית ה- FinFET בשבביה הודיע זה מכבר כי תתחיל ביצור המוני של שבבים בטכנולוגית 3 ננומטר במחצית השניה של 2022. כלומר שתי החברות נמצאות בשלב דומה בפיתוח טכנולוגית היצור שלהן ועדיין המרוץ היוקרתי על הכבוד להגיע ראשונה לקוו היצור היה חשוב להן, במיוחד לסמסונג.
בסוף חודש יוני קיימה חברת TSMC את הסימפוזיון העסקי השנתי שלה בישראל. במהלך הסימפוזיון חשף ד"ר פול דה בוט, מנכ"ל TSMC אירופה כי TSMC אכן עומדת להתחיל לייצר בטכנולוגית 3 ננומטר וכי יש לחברה כבר כמה לקוחות ישראלים. למעשה החברות הישראליות שיתחילו לייצר בטכנולוגיה החדשנית מהוות חלק נכבד מכלל לקוחות TSMC אירופה המתכוונות להיות בין הלקוחות הראשונים לקוו יצור חדיש זה. כך אמר.
בעוד אינטל נמצאת שני דורות אחורה ונאבקת על יכולות יצור באיכות גבוהה בטכנולגית 7 ננומטר, שתי החברות האסיאתיות שועטות לעבר קוו ה-3 ננומטר בכל הכח. ויש לכך סיבות טובות. לפי תחזיות המומחים בהשוואה לתהליך 5 ננמוטר, תהליך ה-3 ננמוטר יוכל להפחית את צריכת החשמל ב-45%, לשפר את הביצועים ב-23% ולהקטין את שטח השבב ב-16% בהשוואה ל-5 ננומטר ואילו בדור השני של שבבי ה-3 ננומטר הצפי הוא שצריכת החשמל תצטמצם בעד-50%, הביצועים ישתפרו ב-30% והשטח יקטן ב-35%.
למרות ההישג של סמסונג שהגיעה כאמור ראשונה ליצור מסחרי של 3 ננומטר חשוב לצין כי רוב חברות הטכנולוגיה הגדולות כגון אפל, אנבידיה, גוגל, אמזון, ברודקום וכו' מייצרות את שבביהן ב- TSMC . הסיבה לכך היא שהחברה אינה מתחרה במוצריהן, להבדיל מסמסונג המשמשת גם כיצרן שבבים וגם כיצרן מוצרי צריכה כדוגמת טלפונים ומחשבים. זו גם הסיבה שאינטל חשפה לאחרונה כי היא עשויה לאמץ את תהליך ה-5 ננומטר של TSMC עבור שבביה המיועדים למחשבים וטאבלטים מתקדמים.
