לתהליך המתפתח הזה יהיו כנראה יתרונות בצפיפות הטרנזיסטורים לעומת הטכנולוגיה הנוכחית FinFET שמשמשת בצומת ה-5-nm, שבה שולטת TSMC.
סמסונג אמרה שהיא בדרך להתחיל במחצית השנייה של השנה הזאת את הייצור המסחרי הראשון בעולם של שבבים המבוססים על תהליך ה-GAA (שערים מכל הצדדים) שלה. לתהליך המתפתח הזה יהיו כנראה יתרונות בצפיפות הטרנזיסטורים לעומת הטכנולוגיה הנוכחית FinFET שמשמשת בצומת ה-5-nm, שבה שולטת TSMC.
"נשלים את האישור של תהליך ה-GAA מהדור הראשון, 3GAE, לייצור המוני במחצית הראשונה של השנה הזאת", אמר מונסו קאנג, ראש צוות אסטרטגיות שוק של מפעלי ייצור בסמסונג, בשיחת הוועידה על התוצאות הרבעוניות. "נמשיך לפתח את הדור השני של תהליך ה-GAA, 3GAP, לפי התכנון".
הכינויים 3GAE ו-3GAP הם השמות של סמסונג לדור הראשון והשני של תהליכי GAA החדשים שבפיתוח.
המבנה של טרנזיסטורי GAA כולל מגעי שערים לערוצי מוליכים למחצה שכנים, ומכל הצדדים, כדי לאפשר הגדלה מתמשכת. שתי הטכנולוגיות, GAA ו-FinFET, משמשות לייצור שבבים תלת מימדיים שמגדילים את צפיפות הטרנזיסטורים בהשוואה לתהליכי הייצור המישוריים הישנים יותר.
TSMC בדרך להשיק שבבי 3-nm במחצית השנייה של 2022 תוך שימוש במבנה קיים של טרנזיסטורי FinFET. זה הימור בטוח יותר כי כלי ה-EDA והקניין הרוחני הקיימים פועלים עם תהליך ה-FinFET.
סמסונג השקיעה בשנה שעברה מאמץ שיא כדי להגדיל את טכנולוגיית GAA תוך השגת יתרון על יצרנית השבבים המתחרה TSMC. עסקי הייצור עברו את הצמיחה במגזר השבבים עשרות שנים.
ההוצאה ההונית של סמסונג ב-2021 הסתכמה ב-39.8 מיליארד דולר, כש-36 מיליארד דולר הושקעו בפעילות שבבים ו-3.8 מיליארד דולר במסכים שטוחים. 36 מיליארד דולר אלה בשנה שעברה מאפילים על 30 מיליארד דולר ש-TSMC הוציאה על התרחבות בשנה שעברה.
סמסונג מייצרת המון דברים, משבבים ועד לטלפונים ניידים. היא לא מפרטת את החלק מההוצאה ההונית שמוקצב למגזרי הייצור והזיכרונות שלה. החברה גם סירבה למסור תחזית לגבי ההוצאות ב-2022. TSMC, שמתמקדת אך ורק בעסקי ייצור השבבים, אמרה מוקדם יותר החודש שההוצאה ההונית שלה ב-2022 יכולה להגיע עד כדי 44 מיליארד דולר.
שתי החברות קונות כלי ליתוגרפיית EUV מ-ASML כחלק חשוב מהתחרות בצמתים מתקדמים. TSMC וסמסונג אומרות שמחשבים עתירי ביצועים ויישומי דור 5 מגדילים את הביקוש.
