טאואר תציג השבוע בכנס PCIM בגרמניה את טכנולוגיות דור שני לפלטפורמת ה- 65nm BCD המאפשר הגדלת טווח מתחי פעולה ל 24V ושיפור מוליכות טרנזיסטורי ההספק ((Rdson ב 20%; הוספת תעלות בידוד עמוקות (Deep Trench Isolation – DTI) לפלטפורמת ה 180nm BCD המאפשרת הקטנת גודל שבב עד 40% עבור מתחי פעולה של 125V
טאואר סמיקונדקטור, הודיעה היום (ב') על הרחבת ההיצע הטכנולוגי בפלטפורמות ניהול צריכת החשמל, ה- Power Management.
הפיתוח הראשון שחשפה טאואר הוא דור שני לפלטפורמת ה 65nm BCD המאפשר הגדלת טווח מתחי פעולה ל 24V ושיפור מוליכות טרנזיסטורי ההספק ((Rdson ב 20%. הפיתוח השני הוא הוספת תעלות בידוד עמוקות (Deep Trench Isolation – DTI) לפלטפורמת ה 180nm BCD המאפשרת הקטנת גודל השבב עד 40% עבור מתחי פעולה של 125V.
פיתוחים אלו עונים, בין היתר, על מגוון צרכי שווקי התעשיה ושוק הרכב החשמלי, הדורשים מתחי עבודה גבוהים, וענף המחשוב, בדגש על חוות שרתים, הדורש הספקי עבודה גבוהים.
תוספות חדשניות אלו מחזקות את מעמדה המוביל של החברה בשוק באספקת פתרונות טכנולוגיים בתחום ה,Power Management אשר שוויו העולמי צפוי להגיע ל- 25.5 מיליארד דולר עד שנת 2026.
החברה תשתתף השבוע בכנס PCIM בגרמניה בו תציג את מגוון טכנולוגיות ה power management שלה , כולל פיתוחים אלו.
