שתי החברות הכריזו על טכנולוגיות ייצור 15 ננומטר שתשמש לזכרונות פלאש יותר מהירים הנמצאים בשלב בינתיים לעבר שבבים תלת ממדיים מלאים
| תפיסת שבבי הזכרון התלת ממדיים של טושיבה |
למרות שלא צפויה הצדקה כלכלית לשבבי NAND תלת ממדיים, לפחות עד השנה הבאה, סנדיסק ויצרנית הזכרונות השותפה עימה טושיבה הכריזו לאחרונה על טכנולוגית 15 ננומטר שתשמש לייצור זכרונות פלאש NAND.
טכנולוגית 1Z-nm של סנדיסק תותאם הן לארכיטקטורות הפלאש 2 ביט לתא ו-3 ביט לתא, כאשר הייצור ההמוני יחל במחצית השניה של 2014. טכנולוגית 15 ננומטר מאפשרות שידרוג לאורך שני הצירים, והיא תשמש בכל רוחב מוצרי סנדיסק, מכרטיסים נשלפים ועד לכונני SSD ארגוניים.
הטכנולוגיה החדשה של טושיבה מחליפה את תהליך 19 ננומטר והיא אמורה לשמש שלב ביניים לקראת NAND תלת ממדי, אומר סקוט נלסון, סגן נשיא בכיר בחטיבת הזכרונות בטושיבה אמריקה. תהליך 15 ננומטר של טושיבה יעבוד בצמוד לשיפורים ברמת המעגלים ההיקיפיים במטרה ליצור שבב שישיג את אותה מהירות כתיבה כמו השבבים המיוצרים בדור השני של תהליך 19 ננומטר, אך מאיצים את קצב העברת הנתונים ל-533 מגהביט לשניה – פי 1.3 לעומת הדורות הקודמים באמצעות ממשקים מהירים יותר.
| {loadposition content-related} |
