הגיע הזמן להתחיל בתכנון הדור הבא של מערכות הליתוגרפיה. כך אומר מומחה למסכות
| ייצור שבבים ב-TSMC. תמונת יח"צ |
.
זה הזמן ליצור קונצנזוס באשר לדור הבא של מערכות הליתוגרפיה באולטרה סגול קיצוני (EUV). כך אומר פרנקלין קאלק, מנהל הטכנולוגיה הראשי של חברת Toppan Photomasks. "היו הרבה דיבורים על גישת anamorphic, לא באמצעות reticle x4 של היום, אלא ב-8X. אמר קאלק שקיבל פרס מפעל חיים בכנס SPIE Photomask טכנולוגיה שנערך השבוע.
"מדוגמאות התכנון שראיתי החלפת 4x ב-8x נראים די טובים, אני חושב שזה פתרון טוב," אמר קאלק. "יש כל מיני תוכניות עבור ה-EUV של הדור הבא. אבל אנו צריכים להתמקד באחד מהם ולהתחיל בתכנון ההנדסי." הוסיף.
למרבה הצער הדבר קשה מהבחינה הטכנולוגית אמר קאלק בעל דוקטורט באופטיקה מאוניברסיטת רוצ'סטר המשמש כ- CTO של Photomasks Toppan מאז 2004.
נכון לעכשיו EUV משתמש באורך גל nm 13 אבל אינו צפוי לפעול בטכנולוגיות 5-7 ננומטר. יהיה צורך להשתמש בשיטות כגון שימוש בחצי אורך גל. יש לכך תקדים – מערכות פלואוריד-ארגון 193 ננומטר הוכנסו בצמתי 65 ננומטר – בכשליש מאורך הגל שלהם.
"זו שאלה של מתי ולא אם כי בשלב מסוים זה יהיה כל כך יקר לייצור שבבים באמצעות טכנולוגית פלואוריד ארגון עד אשר EUV יהיה אטרקטיבי, נותר לראות כמה דורות תימשך שיטת ה-EUV הנוכחית.
| {loadposition content-related} |
