שבבים אלה יאפשרו תעבורת נתונים בקצב גבוה ב-30% לעומת השבב המקביל ב-20 ננומטר תוך הפחתה של 20% בצריכת החשמל
סמסונג אלקטרוניקס החלה בייצור המוני בטכנולוגית 10 ננומטר של שבבי DRAM 8Gb DDR4 ומודולים הנגזרים מהם,.
סמסונג מסרה כי הייצור פותח את הדלת לייצור של DRAM לשוק הביניים בטכנולוגית 10 ננומטר לראשונה בענף לאחר התגברות על אתגרים טכניים. אתגרים אלה כללו מעבר ל-ARF של פלואירד ארגון לטבילת הליתוגרפיה חופשית משימוש בציוד EUV.
"DRAM 10nm של סמסונג יאפשר את הרמה הגבוהה ביותר של יעילות השקעה במערכות IT, ובכך תוכל להפוך למנוע צמיחה חדש לתעשיית הזיכרון הגלובלית", אמר יאנג-יון יוני, נשיא עסקי הזיכרון של סמסונג. "בעתיד הקרוב יתרחב השימוש בהתקני זיכרון ניידים בעלי צפיפות גבוהה כדי לסייע ליצרנים של מכשירים ניידים לפתח מוצרים חדשניים יותר מבלי לפגוע בנוחות השימוש.
שבבי DRAM 8 גיגה בטכנולוגית 10 ננומטר של סמסונג ישפרו באופן משמעותי את הפרודוקטיביות של השבב בלמעלה מ-30%. בחברה ציינו. כי ה- DRAM החדש תומך בקצב העברת נתונים של 3,200Mbps, כלומר ב- -30% מהיר יותר מאשר קמב ההעברה של 2,400 מגהביט לשניה בשבבים בטכנולוגית 20 ננומטר, ובנוסף הם גם צורכים 20% פחות חשמל. הם מיועדים למיחשוב עתיר ביצועים ולרשתות ארגוניות גדולות כמו גם עבור מכשירי PC מהמיינסטרים ושוק השרתים.
| {loadposition content-related} |
)
