השדרוג הראשון למשפחת Intel 18A נכנס לשלב ייצור ראשוני. אינטל פאונדרי מדווחת על עד 18% חיסכון בצריכת חשמל או עד 9% שיפור ביצועים, ומציגה בכנס VLSI 2026 גם כיווני מחקר לדור הבא: CFET, גליום ניטריד על סיליקון ורותניום במקום נחושת
אינטל פאונדרי הודיעה בכנס VLSI Symposium 2026 כי תהליך הייצור Intel 18A-P נכנס לשלב ייצור ראשוני. מדובר בשדרוג הראשון של משפחת Intel 18A, אחת הטכנולוגיות המרכזיות שעליהן מבססת אינטל את ניסיון החזרה שלה לקדמת ייצור השבבים המתקדם ולשוק הפאונדרי.
לפי נתוני החברה, Intel 18A-P מאפשר ללקוחות לבחור בין שתי מטרות תכנון: עד 18% חיסכון בצריכת חשמל באותה רמת ביצועים, או עד 9% שיפור ביצועים באותה צריכת חשמל, בהשוואה ל-Intel 18A. בנוסף, אינטל מדווחת על שיפור בניהול החום ועל התאמות בתכנון הטרנזיסטורים, החיבורים הפנימיים ותהליך האופטימיזציה בין התכנון לטכנולוגיית הייצור.
המשמעות המעשית של ההכרזה היא שאינטל מציעה גרסת המשך ל-18A שמיועדת לאפשר גמישות רבה יותר בתכנון שבבים למחשוב עתיר ביצועים, מרכזי נתונים, יישומי AI ומוצרים שבהם צריכת חשמל וחום הפכו למגבלה מרכזית. בעולם שבו הביקוש לביצועי חישוב ממשיך לעלות, השאלה המרכזית אינה רק כיצד להאיץ את השבב, אלא כיצד לעשות זאת בלי להגדיל באותו קצב את צריכת האנרגיה ואת פליטת החום.
מאחורי השיפור עומדים כמה רכיבים טכנולוגיים. הראשון הוא תכנון מגע כפול לטרנזיסטורים, שנועד להפחית התנגדות חשמלית ולאפשר תדרי פעולה גבוהים יותר. השני הוא שיפור בניהול החום באמצעות חומרים ועיצוב, כאשר אינטל מדווחת על שיפור של כ-20% עד 40% בהתנגדות התרמית. השלישי הוא המשך השימוש בארכיטקטורת Gate-All-Around ובאספקת כוח אחורית, שמפרידה טוב יותר בין נתיבי המידע לבין נתיבי אספקת החשמל. לפי אינטל, מדידות על ליבות CPU אמיתיות הראו שיפור של כ-30% בתדר הפעולה במתח נמוך של כ-0.5 וולט, לצד הפחתה של פי 10 בתנודות מתח דינמיות.
במקביל לעדכון המסחרי יותר של Intel 18A-P, אינטל הציגה בכנס גם כמה כיווני מחקר ארוכי טווח. הראשון הוא CFET — טרנזיסטורים אנכיים שבהם טרנזיסטורי N ו-P מוערמים זה על גבי זה במקום להיות מונחים זה לצד זה. המטרה היא להגדיל את צפיפות הטרנזיסטורים ולהמשיך את מגמת המזעור גם כאשר השיטות הקיימות מתקרבות למגבלותיהן.
כיוון נוסף הוא שילוב גליום ניטריד על גבי סיליקון בפרוסות 300 מ"מ. גליום ניטריד מתאים במיוחד ליישומי הספק ותדר גבוה, אך שילובו בתשתיות ייצור סיליקון סטנדרטיות הוא אתגר הנדסי. אינטל מציגה זאת כדרך אפשרית להרחיב את יכולות השבבים בתוך תהליכי ייצור מוכרים יותר לתעשייה.
הכיוון השלישי הוא שימוש ברותניום, מתכת מקבוצת הפלטינה, כחומר חלופי לחלק מחיבורי הנחושת בתוך השבב. לפי אינטל, שימוש ברותניום עשוי להפחית קיבוליות בכ-35% לעומת נחושת, נתון שיכול לסייע בצמצום הפרעות בין חיבורים, בהפחתת צריכת חשמל ובשיפור מהירות הפעולה.
נגה צ'נדרסקראן, סמנכ"ל באינטל פאונדרי, אמר כי כניסתו של Intel 18A-P לשלב ייצור ראשוני לפי לוח הזמנים המתוכנן היא עדות לביצועים העקביים של החברה ולמחויבותה ללקוחותיה.
ההכרזה חשובה לא רק ברמת תהליך ייצור בודד, אלא גם בהקשר הרחב יותר של האסטרטגיה של אינטל פאונדרי. החברה מנסה לשכנע לקוחות חיצוניים כי מפת הדרכים שלה יציבה וכי היא מסוגלת להציע חלופה תחרותית בייצור שבבים מתקדם. Intel 18A-P אמור להיות אחד המבחנים המרכזיים ליכולת הזו בשנים הקרובות.
