אדם ברנד, מנהל טכנולוגית הטרנזיסטורים באפלייד מטריאילס סבור כי יהיה ניתן לפתח את טכנולוגיות 7 ו-5 ננומטר, וכל עוד לא הגענו לרמה האטומית יש עוד לאן להתקדם וכי חומרים חדשים יפותחו כדי לאפשר את יישומן של טכנולוגיות אלה * TSMC מדווחת על ירידה בשיעור השבבים הפגומים בטכנולוגיות 20 ו-16 ננו מטר
| ייצור שבבים. תצלום יח"צ TSMC |
לתחום השבבים יש עתיד בהיר למרות שהם הופכים יקרים ומורכבים יותר מדור טכנולוגי למשנהו, ומספר השחקנים בתחום מצטמצם עקב מיזוגים. כך עולה מפאנל של מומחים שהשתתפו בועידת הסיליקון של ה-GSA במאונטן וויו, קליפורניה.
ואולם הפאנליסטים נטלו עמדה צרה באשר לעתיד עבור טכנולוגית silicon-on-insulator (FD SOI) כתחליף ל- FinFETs והם הביעו דעות מעורבות באשר למעבר לפרוסות שבבים בקוטר 450 מילימטר.
הפאנל התכנס כאשר כמה משקיפים קוראים לעבור לטכנולוגית FD SOI אך חוששים כי הדבר יעלה את המחיר לכל טרנזיסטור, בעוד אחרים אומרים כי טכנולוגית 28 ננומטר היתה הטכנולוגיה האחרונה שבה התקיים חוק מור.
"לאחר חוק מור, יש לתעשיה קבוע שני" אומר ג'וזף סוויקי, מנכ"ל חטיבת התכנון על סיליקון בחבתר מנטור גרפיקס. ומה שלא תהיה הטכנולגיה בעוד שני צמתים, היא תהיה בלתי אפשרית.
לעומתו אדם ברנד, מנהל טכנולוגית הטרנזיסטורים באפלייד מטריאילס סבור כי יהיה ניתן לפתח את טכנולוגיות 7 ו-5 ננומטר, וכל עוד לא הגענו לרמה האטומית יש עוד לאן להתקדם וכי חומרים חדשים יפותחו כדי לאפשר את יישומן של טכנולוגיות אלה.
פיטר וואנג, סגן נשיא לתמיכה בטכנולוגיות מתקדמות ב-TSMC אומר כי קצב הפגמים יורד ממהדורה טכנולוגית למשניה בקצב מהיר וכבר כיום רושמת החברה ירידה חדה בכמות השבבים הפגומים בטכנולגיות 20 ו-16 ננומטר בהשוואה ל-28 ננומטר.
| {loadposition content-related} |
