הטרנזיסטור הזעיר הוא לב ליבה של מהפיכת האלקטרוניקה. כעת מצאו חוקרים העוסקים במדעי החומרים דרך לשפר את הרכיב הזה, זאת באמצעות שיטה חדשה המאפשרת שילוב של החומר תחמוצת ואנדיום לתוך התקנים אלקטרוניים
חוקרים מאוניברסיטת המדינה של פנסילבניה מצאו דרך לשפר את הרכיב העיקרי בהתקני אלקטרוניקה, הטרנזיסטור, זאת באמצעות שיטה חדשה המאפשרת שילוב של החומר תחמוצת הואנדיום לתוך התקנים אלקטרוניים. "די קשה להחליף את טכנולוגיית הטרנזיסטור הקיימת מאחר ומוליכים למחצה מבצעים את עבודתם כהלכה", אמר Roman Engel-Herbert, פרופסור למדעי החומרים וההנדסה. "יחד עם זאת, יש חומרים מסוימים, למשל, תחמוצת הואנדיום, שאותם ניתן להוסיף להתקנים קיימים ולשפר בכך את ביצועיהם".
החוקרים ידעו כבר כי תחמוצת הואנדיום, שהיא שילוב של היסודות ואנדיום וחמצן, היא בעלת תכונה מיוחדת המכונה בשם 'מעבר מתכת-מבודד' (metal-to-insulator transition). במצב המתכתי של החומר האלקטרונים נעים בתוכו באופן חופשי, בעוד שבמצב המבודד האלקטרונים אינם נעים ממקום למקום. מיתוג מופעל/מושבת זה, הטבוע באופן מובנה בדו-תחמוצת הואנדיום, הוא גם הבסיס לשערים לוגיים ולזיכרונות מחשוב. החוקרים שיערו כי אם הם יצליחו להוסיף תחמוצת ואנדיום בקרבה לטרנזיסטור היא תוכל לשפר את הביצועים שלו. בנוסף, הוספתה לתא הזיכרון תוכל לשפר את היציבות ואת היעילות האנרגטית במטרה לקרוא, לכתוב ולשמור על המידע. האתגר העיקרי שהחוקרים ניצבו בפניו היה שדו-תחמוצת ואנדיום בעלת איכות מספיק גבוהה מעולם לא יוצרה במבנה של שכבה דקיקה בקנה-המידה הנדרש לתעשייה – קנה-מידה של שבב מחשב. למרות שדו-תחמוצת ואנדיום, התרכובת הנדרשת, נראית פשוטה, מאוד מסובך לסנתז אותה. במטרה ליצור מיתוג חד ויעיל מסוג 'מעבר מתכת-מבודד', היחס בין ואנדיום לחמצן חייב להיות מבוקר באופן מדויק. כאשר היחס מדויק, החומר יפגין התנגדות שהיא גבוהה בארבעה סדרי גודל מהשיעור המקורי, התנגדות שתהיה מספיק חזקה בשביל להשיג את תגובת המיתוג הנדרשת.
במאמר שפרסמו החוקרים בכתב-העת המדעי Nature Communications הם מדגימים כיצד הם היו הראשונים לייצר שכבות דקיקות של דו-תחמוצת הואנדיום בתוך שבבים בגודל של 7.5 ס"מ עם יחס מושלם של 1:2 לכל רוחב המבנה. המבנה החדש יוכל לשמש להכנת טרנזיסטורים שיהיו בעלי יעילות אנרגטית גדולה יותר. "התכונה של 'מעבר מתכת-מבודד' בדו-תחמוצת הואנדיום תוכל לסייע בפיתוח של זיכרונות בלתי-נדיפים במגוון יישומים", אומר אחד מהחוקרים. רכיב אלקטרוני בשם בורר (selector) מבטיח שהקריאה והכתיבה של מידע על גבי שבב זיכרון נעשית בתוך תא זיכרון יחיד, מבלי שתהיה "דליפה" לתאים שכנים. הבורר פועל באמצעות שינוי ההתנגדות של התא, פעולה שהחומר דו-תחמוצת הואנדיום מבצע טוב במיוחד. החומר שהתקבל בשיטה הזו שימש להכנת מתגים בעלי תדירויות גבוהות במיוחד.
"אנו מתחילים להבין שמשפחת החומרים המפגינים תגובות מיתוג מסוג מופעל/מושבת יכולים להיות שימושיים מאוד במגוון דרכים בתחום של טכנולוגיית המידע, למשל הגברת האיתנות והיעילות האנרגטית של פעולות מחשוב וזיכרון, שערים לוגיים והתקני תקשורת", מסביר אחד מהחוקרים.
| {loadposition content-related} |
