החברה תוסיף גרמניום לתהליך FinFETs EUV.גם סמסונג תקבל גישה לטכנולוגיה בזכות שותפותה בברית פאואר
יבמ מזנקת ועוקפת את אינטל בתהליך ייצור השבבים 7 ננומטר. זאת באמצעות שכלול טכנולוגית הליתוגרפיה באולטרה סגול הקיצוני ובאמצעות ערוצי סיליקון-גרמניום לטרנזיסטורי אפקט שדה הסנפירים שלו (FinFETs).
הדגמה זו של פריצת דרך תסייע ליבמ לשמור על יתרון באספקת הדור הבא של מעבדי פאואר – 8+ בשנה הבאה ופאואר 9 בשנה שלאחר מכן. מעבדים אלה ייוצרו על ידי גלובל פאונדריז. חברת סמסונג, השותפה לפיתוח תקבל גם ידע שיאפשר לה להתמודד מול אינטל כאשר ייוצרו שבבי ה-7 ננומטר הראשונים.
שבבי מבחן בטכנולוגית 7 ננומטר יוצרו בפאב 300 המילימטר של ברית החברות במכללות של המכון הפוליטכני לננו מדע והנדסה באוניבריסטת מדינת ניו יורק באולבני."
"אני מופתע ומתרשם," אומר ריצ'רד פיצ'רה, סגן נשיא ואנליסט בכיר בחברת המחקר פורסטר של ההכרזה. "זה לא אומר שהם הולכים לנצח במירוץ 7 הננומטר, אבל זה מראה שהם עדיין במירוץ. אנשים שלא ספרו את יבמ הולכים לשנות את דעתם. יבמ ערכה מחקרים בחומרים רבים ובעיצמובים רבים כדי להשיג זאת ואילו כל מה שאינטל אומרת על 7 ננומטר מהוסס. אין ערובה לכך שיבמ תתתחיל לייצר אותו לפני אינטל, אך זו צריכה להיות קריאת השכמה לאינטל שיש מישהו שנושף בעורפם, גם אם בסופו של תהפוך אינטל ליצרנית העיקרית של שבבי 7 ננומטר. "
| {loadposition content-related} |
