החברות מצפות ליותר מ-30 tapeouts השנה
Globalfoundries הודיעה שזכתה ב-36 תכנונים לתהליך הסיליקון מדולדל במלואו על מבודד (FD-SOI) 22-nm שלה, ויותר מתריסר מהם יגיעו לשלב ה-tape-out השנה. המתחרה סמסונג אמרה שהיא מצפה להביא ל-tape-out יותר מעשרים שבבים בתהליך ה-FD-SOI 28-nm שלה השנה.
הנתונים האחרונים פורשו כסימנים רצויים ש-FD-SOI סופסוף קונה אחיזה כחלופה עם מחיר והספק נמוכים יותר ל-FinFET. בין שאר החדשות באירוע של קונסורציום ה-SOI, Andes Technology הודיעה שתשיק ביולי ליבת RISC-V 32 ביט שיכולה להריץ לינוקס.
מבחינת תעשיית השבבים עכשיו, FD-SOI ו-FinFET ממלאים תפקידים משלימים, אמר ג. דן הטצ’יסון, המנהל הכללי של VLSI Research.
אולם, “אנשים עדיין חושבים שהסביבה של FD-SOI חלשה, היא צריכה עוד קניין רוחני, עוד זרימות תכנון מלאות, והיא טכנולוגיה שאתה צריך לדעת בה מה שאתה עושה”, אמר משקיף השוק, בהתייחסו ליכולת של התהליך לשלוט בהספק באמצעות הטיית גוף.
GF מצידה הודיעה שההזנק Arbe Robotics ישתמש בצומת ה-FDX 22-nm שלה כדי לייצר שבבים למכ”ם של מכוניות. היא מצטרפת ל-STMicroelectronics, Verisilicon וההזנק Evaderis כלקוחות מוכרזים של התהליך שמופעל במפעל בדרזדן. מעניין לציין ששישה מלקוחות ה-22-nm של החברה מתכוונים לייצר שבבים למטבעות קריפטו.
GF מתקינה עכשיו חדרים נקיים בשלב הראשון של מפעל 11 שלה בצ’נגדו, סין, עם תוכניות להתחיל את הייצור של תהליכי 180-/130-nm שם עד סוף השנה. שלב שני יביא את ה-FDX 22-nm שלה שנה מאוחר יותר. ספק פרוסות בסין אמר שממשלת צ’נגדו משקיעה כמה מיליארדי דולרים כדי להביא FD-SOI לאזור.
“אנחנו בונים את אחד ממפעלי הייצור הגדולים בסין, ומדהים כמה מהר הדברים זזים שם”, אמר במי בסטני, מנהל קבוצת ה-RF ב-Globalfoundries.
בינתיים, סמסונג מכשירה לייצור מעבדי i.MX RT בתהליך ה-FDS 28-nm שלה בשביל NXP, שאומרים שיש לה את אחת האסטרטגיות הרחבות ביותר לשימוש ב-FD-SOI.
NXP מתכוונת להשתמש ב-MRAM המוטבע של סמסונג, שמכינים אותו עכשיו לצומת ה-28-nm. היא גם תשתמש בכמה טכניקות של הטיית גוף בשבבים אחרים.
“אם לא תשקיע בהטיית גוף, לא תקבל תוצאות של הובלה”, אמר רון מרטינו, שמנהל את קבוצת ה-i.MX של NXP.
הונג האו, מנהל קבוצת הפאונדרי של סמסונג, אמר שיש לו תפוקות בשלות וקבוצת לקוחות מתרחבת ל-FDS 28-nm. הוא הראה רשימה של יותר מתריסר בלוקים של קניין רוחני שאומתו בסיליקון כולל DDR2-4, USB 2-3, PCIe Gen 2-4, Gigabit Ethernet, SATA Gen3 וממשקי -MIPI M ו-D-PHY.
הענקית הדרום קוריאנית מספקת הנחיות תכנון להטיית גוף ויש לה יכולת רכב דרגה 1 קיימת ודרגה 2 תגיע עד אמצע השנה.
סמסונג מתכוונת להתחיל לייצר לקראת סוף השנה הבאה FDS 18-nm עם 24% יותר ביצועים, 38% פחות צריכת חשמל ו-35% פחות שטח כשערכות התכנון המוקדמות צפויות בספטמבר. היריבה GF מתכוונת להתחיל לייצר צומת FDX 12-nm בדרזדן במחצית השנייה של 2020.
| {loadposition content-related} |
