החידוש המרכזי, הנהגתה עוד השנה של טכנולוגית ייצור 14 ננומטר שדורשת פחות צעדים ולכן יותר זולה
בכירים בחברת סמסונג סמיקונדקטור פירטו השבוע את מפת הדרכים למפעלי השבבים של החברה לרבות FD-SOI וחלופות בעלות נמוכה לטכנולוגיות FinFET קיימות.
אולי ההודעה הרלוונטית ביותר הוא הפיתוח של תהליך FinFET 14nm בעלות נמוכה. החברה כבר מכרה מיליון וחצי פרוסות שבבים LPC 14nm ליישומים כגון רשתות ושרתים, יישומי רכב, והחברה מצפה שייישומי הדור הבא יעברו לשיטת הייצור הזולה יותר.
"תמיד יש חששות כאשר מבקשים להגיע ליחס טוב של עלות מול ביצועים," אמר מנהל בכיר לשיווק של תחום השבבים בסמסונג ל-EETIMES. לדבריו, לתהליך החדש יש אותו PDK של [14nm] LPP ואולם מספר הצעדים הופחת. הדבר מאפשר לנו להשיג עלות נמוכה יותר לייצור ונחליט כיצד לחלוק את החסכון עם לקוחותינו. "
תהליך LCP יהיה זמין בהמשך השנה הנוכחית.
בהמשך סמסונג תשחרר טכנולוגית תהליך LPP 10nm המציע שיפור בביצועים 10% מן LPE 10nm – תהליך הדור הראשון של טכנולוגיה זו. המפעלים התחילו לעבוד על שבבים של 7 ננומטר LPP שיהיו תחרותיים. הודעה זאת נמסרה ימים ספורים לאחר הודעתה של TSMC כי תחל בייצור נסיוני של 7 ננומטר בתחילת 2017.
| {loadposition content-related} |
)
