הופעת הבכורה של מכשיר הדגל של סמסונג – גלקסי S6 בוועידת המובייל בבצרלונה אתמול (א') היא גם ההצגה הראשונה של טלפון חכם שהמעבד המרכזי שלו יוצר בטכנולוגית . 14nm 3D FinFET
| מכשיר גלקסי S6 של סמסונג. צילום יח"צ |
הופעת הבכורה של מכשיר הדגל של סמסונג – גלקסי S6 בוועידת המובייל בבצרלונה אתמול (א') היא גם ההצגה הראשונה של טלפון חכם שהמעבד המרכזי שלו יוצר בטכנולוגית . 14nm 3D FinFET.
שילוב זה עשוי לשמש כנקודת מפנה עבור עסקי השבבים של סמסונג, אומר אתר דיג'יטיימס. הצלחת מכירות גלקסי S6 תסייע לא רק לעסקי הטלפונים החכמים אלא גם לקווי מוצרי השבבים, לרבות שבבי זכרון DRAM ו-NAND.
מפת הדרכים המקורית של גלקסי S6 דיברה על ייצור שתי גרסאות – האחת עם מעבד סנאפדרגון 810 של קוואלקום בטכנולוגית 20 ננומטר המיוצרת ב-TSMC והשניה פיתוח עצמי של מעבד אקסינוס בתהליך ייצור 14 ננומטר. סמסונג פיתחה אסטרטגית מעבדים כפולה גם במכשיר גלקסי S4 כאשר הטלפונים שנמכרו באסיה ובאפריקה השתמשו במעבד אקסינוס 5 ואלו שנמכרו בארה"ב ובאירופה היו מצויידים במעבד סנאפדרגון 600 של קוואלקום. שני המעבדים יוצרו בטכנולוגית 28 ננומטר. ואולם סמסונג החליטה לזנוח את מעבד סנאפדראגון 810 משימוש במכשירי גלקסי S6 בסוף 2014 לטובת מעבד מהסדרה העצמית שלה בשל דאגות מבעיות בתכנון ומהתחממות יתר.
יתכן שסמסונג תמשיך לדבוק במדיניות המעבד הכפול שלה גם במכשירי גלקסי S6 שייוצרו מאוחר יותר, ואולם התקלה הפכה לברכה עבור סמסונג ודירבנה אותה להשקיע משאבים בפיתוח שבב בטכנולוגית 14 ננומטר FinFET תוך עקיפה של טכנולוגית 20 ננומטר וזאת במטרה לגרום למפנה בעסקי ייצור השבבים.
בניגוד להערכות המוקדמות לפיהן תשחרר סמסונג שתי גרסאות של המכשיר החדש שלה – בדומה לאפל – גרסה רגילה וגרסת Edge הדומה למכשיר ה-Note 4Edge שכוללת מסך גולש לצדדים – כללה ההכרזה לא פחות מחמישה דגמים הכוללים מלבד את גרסת ה-Edge המדוברת גם מכשירים מיוחדים למשתמשים ימניים ומשתמשים שמאליים.
| {loadposition content-related} |
