ST עובדת עם מפעלי סמסונג מזה זמן מה והקשרים כבר יצרו טייפאאוטים ללמעלה מ-10 מערכות על שבב (SOC) עבור מערכות תקשורת נייד, מוצרי צריכה אלקטרוניים ויישומי רשת.
חברת STMicroelectronics בחרה בחטיבת ייצור השבבים של סמסונג לייצור IC המשתמשים בטכנולוגיות 32/28-nm high-K metal gate.
העסקה תספק ל-ST מקור חלופי לייצור סיליקון 28 ננומטר. עד כה עבדה ST בעיקר עם TSMC, אך במהלך 2012 לא הצליח המפעל הטאיוואני לעמוד בדרישות הייצור ל-CMOS ב-28 ננומטר ללקוחותיהם ואחדים מהבולטים שבהם הודיעו כי ימצאו מקורות אחרים לסיליקון.
ST היא בעצמה יצרנית של שבבים, אך היא מעדיפה לייצר מעגלים המשתמשים ב תהליך fully-depleted silicon-on-insulator (FDSOI) לשבבים בטכנולוגיות 28 ו-20 ננומטר. עדיין לא ברור האם לעסקה עם סמסונג תהיה השלכה כלשהי על מחויבותה של ST לתהליך FDSOI אותו בחרה כחלוצה.
ST עובדת עם מפעלי סמסונג מזה זמן מה והקשרים כבר יצרו טייפאאוטים ללמעלה מ-10 מערכות על שבב (SOC) עבור מערכות תקשורת נייד, מוצרי צריכה אלקטרוניים ויישומי רשת. מכיוון שטייפאאוטים מייצגים את השלמת שלב התכנון, אף כי נדרשים עוד מספר חודשים עד שהשבב עובר את תהליך הייצור ומאושר למכירה.
"הצלחנו להתחיל בייצור עבור ST של הדור החדש של SOC בטכנולוגיות 32 ו-28 ננומטר" אומר קוואנג היון קים, סגן נשיא בכיר בחטיבת הייצור של סמסונג בהודעה לעיתונות. "קשרי הייצור עם ST מדגימים את המחויבות שלנו לטכנולוגיות הייצור המתקדמות. פיתחנו יכולת ייצור בטכנולוגיות 32/28 וכעת אנו נמשיך לספק את פתרונות הייצור המתקדמים ביותר ללקוחותינו." אמר.
"גורם משותף לנו ולסמסונג הוא השווקים הדומים שאנו פונים אליהם" אומר ז'אן מארי שרי, סגן ה-CTO של ST. הוא הוסיף כי ST וסמסונג כבר עובדות ביחד על פיתוח תהליכים בגוף המכונה the International Semiconductor Development Alliance.
| {loadposition content-related} |
