החברה מצפה כי המוצרים החדשים יקטינו את צריכת החשמל ל-85% משבבי הזכרון בטכנולוגית 40 ננומטר. הטכנולוגיה גם תשפר את הפרודוקטיביות ב-60%, כאשר כל שבב DRAM ידרוש נפח קטן יותר בקו הייצור מסרה סמסונג. .
| סמסונג – זכרונות חסכוניים |
חברת סמסונג הקוריאנית מסרה כי החלה לפתח את שבבי זכרון ה-DRAM הראשונים בטכנולוגית 30 ננומטר.
באמצעות טכנולוגית הייצור 30 ננומטר אנו מספקים את ה-DDR3 הזמינים היום ולפיכך הם גם זכרונות ה-DRAM הזמינים ביותר להתקנה במכשירי קצה אלקטרוניים ובשרתים", אומר צ'ו סו-אין, נשיא חטיבת הזכרונות בסמסונג.
החברה מצפה כי המוצרים החדשים יקטינו את צריכת החשמל ל-85% משבבי הזכרון בטכנולוגית 40 ננומטר. הטכנולוגיה גם תשפר את הפרודוקטיביות ב-60%, כאשר כל שבב DRAM ידרוש נפח קטן יותר בקו הייצור מסרה סמסונג.
DRAM הוא סוג זכרון המאחסן מידע בtרכיב אלקטרוני נפרד בתוך המעגל המודפס.
בהתבסס על טכנולוגיה ננומטרית חדשה, DDR3, המופיעה כמחליפה לטכנולוגית ה-DRAM החדשה השנה, היא צפויה לשמש במגוון רחב של מוצרים משרתים, דרך מחשבים ניידים, מחשבים נייחים וגרסאות עתידיות של נטבוקים וציוד אלקטרוני נייד.
מסמסונג נמסר כי שבבי ה-DDR3 בטכנולוגית 30 ננומטרים צפויים לעלות לפס הייצור במחצית השניה של השנה.
| {loadposition content-related} |
