סאנדיסק מכריזה בברצלונה על זיכרון פלאש פנימי עבור טאבלטים וסמארטפונים מבוססי אנדרואיד

מערכות אנדרואיד בהן ישולב הזיכרון הפנימי ישמרו על רמת תפקוד גבוהה לכל אורך חיי המכשירים גם כשהזיכרון יתמלא, תודות למנגנון תיקון שגיאות

חברת סאנדיסק  משיקה במסגרת תערוכת המובייל שנפתחה בברצלונה, את הדור הבא של ה- iNAND Extreme – זיכרון פלאש פנימי (EFD), מהיר ודק, שייתן ליצרני הטאבלטים והסמארטפונים המתקדמים זריקת מרץ לכיוון עיצוב הדור הבא של מכשירי האנדרואיד רבי העוצמה. הזיכרון הפנימי חדש, בקיבולות של עד 64GB, יסייע ליצרנים להתמודד בהצלחה עם עידן הווידאו ברזולוציה של 4K, מעבדים מרובי ליבות, משחקים מורכבים ומצלמות ברזולוציה גבוהה, הדורשים תגובות מהירות מאי פעם.

לטובת פיתוח הזיכרון החדש, השתמשו בסאנדיסק בארכיטקטורה חדשה לחלוטין, העובדת בתיאום עם מעבדי המובייל החדשים ביותר שקיימים כיום במכשירים מבוססי האנדרואיד, כשהיא כוללת עיצוב לבה כפולה, אלגוריתמים חדשים לניהול החומרה והתוכנה ותמיכה בתקן ה- e.MMC 5.0 החדש. התוצאה: אפשרות לנווט בקלות בין שלל אפליקציות כבדות במקביל, לנגן ולהקליט קבצי וידאו גדולים, לצלם ולחלוק קבצי תמונת עתירי רזולוציה. מהירויות הקריאה/כתיבה של הזיכרון מגיעות עד MB/s 80/300.

מערכות אנדרואיד בהן ישולב הזיכרון הפנימי ישמרו על רמת תפקוד גבוהה לכל אורך חיי המכשירים גם כשהזיכרון יתמלא, תודות למנגנון תיקון שגיאות משוכלל. זהו מוצר ה-iNAND הראשון של סאנדיסק בו נעשה שימוש בטכנולוגיית 1Ynm (nanometer), הדור השני של טכנולוגיית הייצור ב- 19nm, נתון שאיפשר לחברה להציע נפח אחסון של GB64 באריזה בגודל 11.5מ"מ על 13 מ"מ, ועובי של 1 מ"מ בלבד.

סאנדיסק, העובדת עם כל יצרני הטאבלטים והסמארטפונים המובילים, פיתחה את המוצר בצמוד עם יצרני המעבדים המובילים בעולם, כדי להתאימו למכשירים העתידיים המתקדמים ביותר.