ספריות התכנון מתאימות ליישומי RF ויישומים ניידים הזקוקים לתדר גבוה תוך שמירה על חיי סוללה ארוכים
.
| רכיב שתוכנן על ידי טאואר ג'ז. איור: החברה. |
טאואר-ג'אז הודיעה על זמינותן של ספריות תכנון עבור פלטפורמות ה-SiGe וה-RF המתקדמות והייחודיות של החברה בטכנולוגיית 0.13 מיקרון. ספריות אלה, שיפותחו ויסופקו יחד עם ARM, יצטרפו לסט ספריות התכנון הקיימות של החברה המסוגלות לספק הספק מתח נמוך וביצועים גבוהים מהמובילים בתעשייה. השילוב של הפלטפורמות הטכנולוגיות של טאואר-ג'אז יחד עם ההיצע של ARM מהווים פתרון אידיאלי עבור לקוחות המתכננים שבבי RF ויישומים ניידים הזקוקים לתדר גבוה וחיי סוללה ארוכים.
טכנולוגיית ה-0.13 מיקרון, הזמינה כעת במתקן הייצור הישראלי של החברה, משלבת ביצועים דו-קוטביים של SiGe יחד עם תהליך CMOS מבוסס נחושת על-מנת להשיג ביצועי RF גבוהים. שווקי היעד לפתרון טכנולוגי זה הינם יישומים בעלי הספק מתח נמוך עבור מכשירים ניידים אלחוטיים (WLAN), תקשורת למטרות כלליות ומקלטי טלוויזיה דיגיטלית.
"אנו שמחים כי יצרנית השבבים המובילה בעולם בטכנולוגיות ייחודיות בחרה להציע את ספריות התכנון שלנו ללקוחות הדורשים הספק מתח נמוך וביצועים גבוהים עבור יישומים חדשניים שלהם. ספריות אלה יאפשרו להם לשמור על עלויות ייצור נמוכות תוך מתן אפשרויות תכנון המעניקות ערך מוסף גבוה," אמר סיימון סגארס, סמנכ"ל בכיר ומנהל כללי ב-ARM.
"אנחנו מרוצים מאוד מהשילוב של הספריות בהספקים נמוכים של ARM עם טכנולוגיית ה-0.13 מיקרון בפלטפורמות ה-SiGe וה-RF המתקדמת של טאואר ג'אז, שילוב שיביא לערך חסר תקדים בביצועי RF וחיי סוללה ארוכים למוצרי לקוחותינו," אמר אורי גלצור, סמנכ"ל מרכז התכנון של טאואר-ג'אז. "הודעה זו מתבססת על שותפות ארוכה עם ARM בפלטפורמות טכנולוגיות רבות, מבוצעת במתקני הייצור שלנו בישראל ובקליפורניה, ועולה בקנה אחד עם המחויבות שלנו להשקיע ביכולות התכנון הטובות ביותר ובפתרונות ה-IP שלנו תוך מצוינות בתכנון וייצור עבור לקוחותינו. "
רק לפני כשבועיים הודיעה טאואר-ג'אז על זמינותה של ערכת תכנון עבור טכנולוגיית הדור הבא של SiGe BiCMOS ב-0.13 מיקרון ליישומי RF. הטכנולוגיה אותה מציעה החברה משלבת בין הביצועים של פלטפורמת סיליקון גרמניום עם תהליך 130 ננו-מטר משולב נחושת ונועדה להשיג ביצועי RF גבוהים עם יותר מעגלים דיגיטאליים משולבים. הטכנולוגיה מיועדת ליישומי RF אלחוטיים וטיונר טלוויזיה המהווים ביחד שוק של מעל מיליארד דולר. מוצרים אלה נדרשים לספק ביצועים גבוהים יותר תוך עלות נמוכה יותר ואינטגרציה של מעגלים דיגיטליים מורכבים.
פלטפורמת ה-SBL13 היא הראשונה להיבנות במתקן הייצור של החברה בישראל, ובכך מהווה טאואר-ג'אז יצרן השבבים היחידי בעל טכנולוגיית ייצור SiGe BiCMOS ביותר ממתקן ייצור אחד, דבר המאפשר גמישות ייחודית עבור תכנון וייצור שבבי RF עם ביצועים גבוהים.
תהליך זה מתאים במיוחד למשדרים-מקלטים לתקשורת אינטרנטית, יחידת שידור-קליטה בטלפונים סלולאריים ומקלטי טלוויזיה. על-ידי שילוב של טכנולוגית 130 ננו-מטר מוכחת עם מבחר גדול של IP ניתן לתכנן פונקציות מורכבות במיוחד של פרוססורים בשטח המהווה מחצית מהשטח בטכנולוגית 0.18 מיקרון. טרנזיסטור SiGe של 100 גיגה-הרץ המשולב בפלטפורמה זו, מאפשר אינטגרציה של מגברי RF דלי רעש, בעוד ששילוב של טרנזיסטור סיליקון גרמניום למתח גבוה, מאפשר שילוב של מגברי הספק –על אותו שבב.
"פלטפורמת ה-SBL13 מאריכה ומגדילה את מפת הדרכים בטכנולוגיית ה-SiGe שלנו ועונה על צרכי לקוחותינו לשילוב גבוה יותר של מעגלים דיגיטאליים ומתן מענה לאספקת מוצריהם ממספר מתקני ייצור," אמר ד"ר מרקו ראקנלי, סמנכ"ל בכיר ומנהל קו מוצרי ה-RF בטאואר-ג'אז. "חתמנו על מספר הסכמים לייצור פרוסות ליישומי RF המשתמשים בפלטפורמה זו עם פוטנציאל מכירות של 50-100 מיליון דולר."
| {loadposition content-related} |
