מתקן הייצור המתקדם ביותר ביפן הוכשר לייצור פלטפורמת ה-RF הייחודית והמתקדמת , יאפשר לחברה להמשיך ולענות לצרכי לקוחותיה לטווח הארוך
טאואר-ג'אז ו-TPSCo הודיעו היום על פריצת דרך בטכנולוגיית RF עבור הדור הבא של טלפונים חכמים 4G LTEורכיבי IoT. במאמץ משותף, פיתחו טאואר-ג'אז והחברה הבת שלה TPSCo (המשותפת לטאואר-ג'אז ולפנסוניק) תהליך חדש של RF SOI על פרוסות 300 מ"מ אשר ביכולתו להקטין את צריכת ההספק במתגי RF בכ-30%, ובכך לשפר את אורך חיי הסוללה ולהגדיל באופן משמעותי את קצב העברת הנתונים. הטכנולוגיה החדשה מגיעה לערך נמוך במיוחד של Ron-Coff (הפרמטר המייצג את הביצועים הטכנולוגיים) של מתחת ל-90 פמטו שניות והיא נבדקת בשלב זה ע"י לקוח מוביל של החברה.
"מדובר בהישג מרשים בקנה מידה עולמי, אשר משקף את האסטרטגיה שלנו בשילוב מומחיותה הטכנולוגית של טאואר-ג'אז עם הביצועים המצוינים של TPSCo", אמר ראסל אלוואנגר, מנכ"ל טאואר-ג'אז. "הישג זה הינו מרכיב יסודי במערכות יחסים ארוכות שנים עם לקוחות עתידיים והתאמת התכניות שלנו עם לצרכי לקוחותינו לטווח הארוך".
"אנו מרוצים מאוד מביצועי ההתקנים המשתמשים בטכנולוגיה חדשנית זו ונרגשים סביב הפיתוח החדש. התהליך משלב את השימוש בפלטפורמת ה-RF המתקדמת והייחודית של טאואר-ג'אז עם יכולות הטכנולוגיה המתקדמת של TPSCo ליצירת התקני סיליקון עם ביצועים פורצי דרך", אמר גיא אריסטוף, מנכ"ל TPSCo.
חברת חקר השוק להתקנים ניידים Mobile Expert LLC, צופה ששוק רכיבי ה-RF Front–End יגיע ל-10.8 מיליארד דולר השנה ויגדל משמעותית מעבר ל-16 מיליארד דולר בשנת 2018.
"אנו נמצאים כבר בשלבי ייצור המוני בטכנולוגיות SOI המובילות בעולם במתקני הייצור שלנו, בארצות הברית ובישראל. עתה, הודות להצטרפותו של מפעל הייצור המתקדם שלנו ביפן, אנו נהנים מהגדלה משמעותית של כושר הייצור תוך גמישות ייצור, הנדרשת בכדי לעמוד בדרישות השוק הגדל ומתרחב", אמר ד"ר מרקו רקאנלי, סמנכ"ל בכיר ומנהל כללי של היחידה העסקיתRF/HPA ו-Power בטאואר-ג'אז.
| {loadposition content-related} |
