טכנולוגית הייצור החדשה תענה על שוק מוצרי התקשורת הדורשים מהירות גבוהה וצריכת חשמל נמוכה הנובעים מהגידול העצום בשימוש בווידאו באינטרנט
| ראסל אלוונגר. מנכ"ל טאואר-ג'אז |
טאואר-ג'אז הודיעה היום על זמינותה של פלטפורמת ה-SBC18H3, המבוססת על טכנולוגיית ה-SiGe המהירה ביותר בעולם. הטכנולוגיה מיועדת לדרישות הדור הבא בממשקי תקשורת בעלי מהירות גבוהה ומאופיינת בשיפור הביצועים תוך כדי הפחתת רעשים וצריכת אנרגיה. הטכנולוגיה מיועדת, בין השאר, ליישומים כגון מערכות אוטומטיות לרכב למניעת התנגשות, מכ"מים והדמיות. ה-SBC18H3 הוא הדור השלישי של טכנולוגיית ה-SiGe בטאואר-ג'אז. הטכנולוגיה מבוססת על פלטפורמות SiGe בשלות המשולבות כבר בייצור המוני בטאואר-ג'אז.
"ה-SBC18H3 מרחיבה את מובילותינו באספקת המהירות הגבוהה ביותר בייצור שבבים בטכנולוגיית ה-SiGe", אמר ד"ר מרקו רקאנלי, סמנכ"ל בכיר ומנהל חטיבת ה-RF/HPA בטאואר-ג'אז. "הפלטפורמה הזו מגדילה את ההיצע הטכנולוגי שלנו בטכנולוגיית ה-SiGe, אשר מקיפה כעת טכנולוגיות מ-0.35 מיקרון ועד 0.13 מיקרון. זמינותה של הפלטפורמה החדשה בשני מתקני הייצור שלנו מספקת גמישות באספקה ובכושר הייצור."
טאואר-ג'אז תשתתף בכנס ה-ChipEx השנתי ב-4 במאי, במרכז הכנסים של מלון הילטון בתל-אביב (ביתן 22).
| {loadposition content-related} |
