TSMC הכריזה על משפחה חדשה של שבבים תלת ממדיים.
ייצור שבבים. תצלום יח"צ TSMC |
בסימופזיון שהתקיים לאחרונה בסן חוזה, הכריזה TSMC על משפחה גדולה של שבבי 2.5 ו-3 ממדים כחלק ממפת דרכים נרחבת יותר לשוק האמריקני, האחראי ל-74% מעסקי הייצור שלה.
ענקית הייצור מציעה כיום ארבעה גרסאות של תהליך 28 ננומטר, טכנולוגית 20 ננומטר של שבבים שטוחים ושידרוג של תהליך FinFET בטכנולוגית 16 ננומטר. כך אמר ג'ק סאן, ה-CTO הראשי של TSMC. כזכור דיווחנו כי המתחרות סמסונג וגלובל פאונדריז הודיעו על גרסאות ראשונות לטכנולוגית 14 ננומטר ב-2015.
ההתקדמות החשובה ביותר עליה הכריזה החברה היא בתחום חלופות זולות לאריזה שמטרתם לאפשר למפעליה לייצר אריזות שבבים ב-2.5 ממדים ובשלושה ממדים במטרה להתגבר על בעיית הצפיפות ולהגביר את עוצמת השבבים תוך הפחתת צריכת האנרגיה.
במבט קדימה, אמר סון כי החברה מתכננת ייצור בתהליךFinFET בצמתים בעובי 10 ננומטר, שיהיו צפופים פי 2.2 מאלו שב-16 ננומטר. החבר הגם צופה ייצור ראשוני ב-7 ננומטר בשנת 2017. TSMC תשקיע כ-10 מיליארד דולר בציוד ובמבנים השנה, בדומה להשקעתה בשנת 2013.
{loadposition content-related} |