הייצור בטכנולוגיה זו יחל באמצע שנת 2012, בעוד שאר היצרניות ייצרו אז ב-22 ננומטר
.
| פרוסת שבבים בטכנולוגית 28 ננומטר שיוצרו ב-TSMC. קפיצה ישירות ל-20 ננומטר |
חברת TSMC – טאיוואן סמיקונדקטור מנופקצ'ורינג מבקשת ליטול את ההובלה בתחום ייצור השבבים. במסגרת אסטרטגיה זו היא החליטה שלאחר סיום הייצור בטכנולוגית 28 ננומטר היא תדלג על טכנולוגיות 22 ננומטר "full node" היא תקפוץ ישירות ל-20 ננומטר "half node", ותתחיל לייצר בטכנולוגיה זו באמצע שנת 2012.
עם זאת, החברה מסרה בועידה בקליפורניה כי לא תציע בשלב זה תהליך עיבוד בטכנולוגית 18 ננומטר.
טכנולוגית 20 ננומטר של TSMC היא תהליך מתכתי בן עשרה שלבים המבוסס על טכנולוגיה שטחה. היא תציע תרשים high-k/metal gate, סיליקון דחוס ו- copper ultra-low-k interconnects או כפי שהיא מכנה זו ""low-r. עבור node של 20 ננומטר היא תציע אפשרות של high-k/metal-gate scheme ולא תאפשר ייצור בטכנולוגית סיליקון דו חומצני.
TSMC תמשיך בטכנולוגית הליטוגרפיה בטבילה ב-193 ננומטר גם בטכנולוגית 20 ננומטר, אך היא גם תטמיע תרשימי אופטימיזציה double-patterning ו- source-mask.
בכך תעקוף TSMC את יריבותיה כאשר לאחרונה גלובל פאונדריז הודיעה על פיתוח טכנולוגית CMOS ב-22 ננומטר שתבשיל במחצית השניה של 2012. אינטל מצפה להתחיל לייצר בטכנולוגית 22 ננומטר ברבעון הרביעי של 2011.
| {loadposition content-related} |
