אינטל סבורה שהטכנולוגיה תניב גידול של 30% עד 50% במספר הטרנזיסטורים שניתן יהיה להכניס לשטח נתון של השבב בעיקר באמצעות שימוש בטכנולוגית ערימות שבבים. הגדלת מספר הטרנזיסטורים היא הסיבה העיקרית שבזכותה השבבים נעשו יותר ויותר מהירים ב-50 השנים האחרונות
צוותי מחקר של חברת אינטל חשפו השבת, 11.12, במסגרת כנס בינלאומי שנערך בסן פרנסיסקו, תוכנית שלדעת החברה תסייע להאיץ את כיווצם של שבבי המחשב בעשור הקרוב באמצעות טכנולוגיות אשר נועדו לסייע באריזת חלקי השבבים זה על גבי זה.
חוקרים בחברה תיארו פתרונות לאתגרי התכנון, התהליך וההרכבה של חיבור היברידי . באירוע Intel Accelerated ביולי, הודיעה אינטל על תוכניות להציג את Foveros Direct, המאפשרת לייצר בליטות מתחת ל-10 מיקרון, ומספקת עלייה בסדר גודל בצפיפות החיבורים בערימה תלת ממדית. כדי לאפשר למערכת האקולוגית לזכות ביתרונות של אריזה מתקדמת, אינטל גם קוראת להקמת תקני תעשייה חדשים ונהלי בדיקה כדי לאפשר מערכת אקולוגית של שבבי מליטה היברידית.
בהסתכלות מעבר לכל השער שלה RibbonFET, אינטל שולטת בעידן הבא שלאחר FinFET עם גישה לערום טרנזיסטורים מרובים (CMOS) שמטרתה להגיע לשיפור מרבי של 30% עד 50% בקנה מידה לוגי להמשך הקידום של חוק מור על ידי התאמת טרנזיסטורים נוספים למילימטר רבוע.
אינטל גם סוללת את הדרך להתקדמות חוק מור לעידן האנגסטרום עם מחקר צופה פני עתיד המראה כיצד ניתן להשתמש בחומרים חדשים בעובי של כמה אטומים בלבד לייצור טרנזיסטורים שמתגברים על המגבלות של תעלות סיליקון קונבנציונליות, ומאפשרים לדחוס עוד מיליוני טרנזיסטורים בכל שטח קובייה. למחשוב חזק יותר בעשור הבא.
החברה גם מדווחת על שיפורים בסיליקון עצמו. טכנולוגיות כוח יעילות יותר מתקדמות באמצעות האינטגרציה הראשונה בעולם של מתגי כוח מבוססי GaN עם CMOS מבוסס סיליקון על פרוסת 300 מ"מ. זה מכין את הקרקע לאספקת חשמל בהפסד נמוך ובמהירות גבוהה למעבדים תוך צמצום רכיבי לוח האם ושטחו.
התקדמות נוספת היא יכולות הקריאה/כתיבה של אינטל, תוך שימוש בחומרים פרו-אלקטריים חדשים לטכנולוגיית DRAM משובצת מהדור הבא, שיכולה לספק משאבי זיכרון גדולים יותר כדי להתמודד עם המורכבות ההולכת וגוברת של יישומי מחשוב, מגיימינג ועד AI.
מיחשוב קוונטי בטמפרטורת החדר
אינטל מחפשת להשיג ביצועים מסיביים באמצעות מחשוב קוונטי מבוסס טרנזיסטור מסיליקון, כמו גם באמצעות מתגים חדשים לחלוטין למחשוב חסכוני באנרגיה עם בטמפרטורת החדר (כיום נדרשים מחשבים קוונטיים לפעול בטמפרטורה הקרובה לאפס המוחלט . בעתיד עשויים גילויים אלה עשויים להחליף טרנזיסטורים קלאסיים MOSFET באמצעות מושגים חדשים לחלוטין בפיזיקה.
ב-IEDM 2021, אינטל הדגימה את המימוש הניסיוני הראשון בעולם של התקן לוגי של ספין-אורביט (MESO) מגנטואלקטרי בטמפרטורת החדר, שהראה את יכולת האיוש הפוטנציאלית לסוג חדש של טרנזיסטור המבוסס על החלפת מגנטים ננומטריים.
אינטל ו-IMEC מתקדמות עם מחקר חומרים ספינטרוניים כדי לקחת את מחקר שילוב המכשירים קרוב למימוש התקן מומנט ספין פונקציונלי לחלוטין.
אינטל הציגה גם פרוסות שלמות של שבבי קיוביט למימוש מחשוב קוונטי מדרגי התואם לייצור CMOS ומזהה את השלבים הבאים למחקר עתידי.
