על סין נאסר להשתמש בטכנולוגיות מודרניות לייצור שבבים בשל תקנות בארה"ב
| שבב 40 ננומטר מתוצרת סין – נאסר עליה להשיג טכנולוגיות עדכניות יותר בשל חוקים בארה"ב |
המכון למיקרואלקטרוניקה של האקדמיה הסינית למדעים (IMECAS) בבייג'ינג הכריזה כי בנתה התקן הפועל בטכנולוגית high-K metal-gate MOSFET עם שערים בקוטר 22 ננומטר שיוצר במפעל חדש בסין.
ההתקן החדש, פרי תכנון עצמי מראה "ביצועים ברמה גבוהה וצריכת חשמל נמוכה" אומרים במכון. לא נמסרו פרטים. המעבר לטכנולוגית 22 ננומטר אמור לחסוך לסינים כסף ביבוא שבבים או טכולוגיות ייצור ולקדם את התחרות הסינית בתחום ה-IC.
טכנולוגית הייצור 22/20 ננומטר מתחילה להכנס למגזר המסחרי והיא חשובה בשל האפשרות שלה להוריד את צריכת החשמל של טלפונים חכמים וטבלטים ולהאריך את חיי הסוללה. ייצור טרנזיסטור 22 ננומטר כאב טיפוס אקדמי מציבה את היכולת הטכנולוגית העצמית של סין שנתיים עד ארבע שנים לפני המערב. אינטל משתמשת בטכנולוגית 22 ננומטר FinFET במפעליה ו-TSMC צפויה להתחיל בתהליך 20 ננומטר ב-2013.
במשך שנים סין סורבה כשביקשה לפתח ציוד אלקטרוני בטכנולגיה המתקדמת ביותר באמצעות מקורות חיצוניים בשל חוקים ותקנות בארה"ב. בשנים האחרונות סין מדביקה את הפער באמצעות שילוב של רישוי תהליכים חיצוניים ולימוד עצמי. המפעל העצמי של סין, SMC, מציע תהליך ייצור מסחרי בטכנולוגית 40 ננומטר.
פיתוחו של אב הטיפוס של שבב בטכנולוגית 22 ננומטר החל כפרויקט מדעי לאומי ב-2009.
| {loadposition content-related} |
